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在高技術(shù)陶瓷領(lǐng)域，先進(jìn)陶瓷占有極其重要的地位，在諸多的先進(jìn)陶瓷中，氮化硅基先進(jìn)陶瓷以其高強(qiáng)度、高韌性、高的抗熱震性、高的化學(xué)穩(wěn)定性在先進(jìn)陶瓷中占有獨(dú)特的地位，是公認(rèn)的未來(lái)陶瓷發(fā)動(dòng)機(jī)中最重要的侯選材料。并且在國(guó)際上氮化硅陶瓷刀具和氮化硅基陶瓷軸承已經(jīng)形成相當(dāng)規(guī)模的產(chǎn)業(yè)。任何一個(gè)跨國(guó)刀具公司都有氮化硅基陶瓷刀具的系列產(chǎn)品，足見(jiàn)其在機(jī)加工行業(yè)中具有不可替代的地位。 但是，影響氮化硅陶瓷推廣的一個(gè)主要因素，是氮化硅粉末價(jià)格昂貴，這是由于傳統(tǒng)的制取氮化硅粉末的方法耗能高，生產(chǎn)周期長(zhǎng)，生產(chǎn)成本高。本項(xiàng)目采用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新的燃燒合成技術(shù)，制取氮化硅陶瓷粉末和氮化硅復(fù)合粉末，具有耗能低，生產(chǎn)周期短，雜質(zhì)含量低，生產(chǎn)成本低等特點(diǎn)，具有廣泛的應(yīng)用前景。 燃燒合成（Combustion Synthesis，CS）又名自蔓延高溫合成（Self- Propagating High-Temperature Synthesis，SHS），是利用化學(xué)反應(yīng)自身放熱合成材料的新技術(shù)，基本上（或部分）不需要外部熱源，通過(guò)設(shè)計(jì)和控制燃燒波自維持反應(yīng)的諸多因素獲得所需成分和結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物。 自1990年以來(lái)，本項(xiàng)目負(fù)責(zé)人等針對(duì)燃燒合成氮化硅陶瓷產(chǎn)業(yè)化的一系列關(guān)鍵問(wèn)題，在氣-固體系氮化硅基陶瓷的燃燒合成熱力學(xué)、動(dòng)力學(xué)和形成機(jī)制等方面進(jìn)行了深入研究后得到的創(chuàng)新成果。 采用本項(xiàng)目的技術(shù)，可以生產(chǎn)符合制作先進(jìn)陶瓷要求的從全α-Si3N4相到高β- Si3N4相，及不同配比的氮化硅粉末，還可根據(jù)用戶(hù)要求，用此技術(shù)生產(chǎn)α-Sialon，β-Sialon和其它各種氮化硅基的復(fù)合粉末。粉末的質(zhì)量?jī)?yōu)良而穩(wěn)定。 應(yīng)用于航天、航空及機(jī)械行業(yè)等，用于制作氮化硅陶瓷刀具、氮化硅基陶瓷軸承、耐磨耐腐陶瓷涂料等。

氮化鋁（AlN）陶瓷具備優(yōu)異的綜合性能，是近年來(lái)受到廣泛關(guān)注的新一代先進(jìn)陶瓷，在多方面都有廣泛的應(yīng)用前景。例如高溫結(jié)構(gòu)材料、金屬溶液槽和電解槽襯里，熔融鹽容器、磁光材料、聚合物添加劑、金屬基復(fù)合材料增強(qiáng)體、裝甲材料等。尤其因其導(dǎo)熱性能良好，并且具備低的電導(dǎo)率和介電損耗，使之成為高密度集成電路基板和封裝的理想候選材料，同時(shí)氮化鋁—聚合物復(fù)合材料也可用作電子器材的封裝材料、粘結(jié)劑、散熱片等。氮化鋁在微電子領(lǐng)域應(yīng)用的市場(chǎng)潛力極其巨大。氮化鋁還是導(dǎo)電燒舟的主要成分之一，導(dǎo)電燒舟大量地用于噴涂電視機(jī)的顯象管等器件、超級(jí)市場(chǎng)許多商品包裝用的涂鋁薄膜，有著廣泛的市場(chǎng)。但是，影響氮化鋁基陶瓷的推廣的主要因素之一，是采用傳統(tǒng)方法合成氮化鋁粉末，耗能高，生產(chǎn)周期長(zhǎng)，生產(chǎn)成本高。本項(xiàng)目采用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新技術(shù)，采用燃燒合成技術(shù)制取優(yōu)質(zhì)的氮化鋁陶瓷粉末，具有耗能低，生產(chǎn)周期短，雜質(zhì)含量低，生產(chǎn)成本低等特點(diǎn)，具有廣泛的推廣價(jià)值。 燃燒合成（Combustion Synthesis，CS）又名自蔓延高溫合成（Self- Propagating High-Temperature Synthesis，SHS），是利用化學(xué)反應(yīng)自身放熱合成材料的新技術(shù)，基本上（或部分）不需要外部熱源，通過(guò)設(shè)計(jì)和控制燃燒波自維持反應(yīng)的諸多因素獲得所需成分和結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物。 自1994年以來(lái)，本項(xiàng)目負(fù)責(zé)人等針對(duì)燃燒合成氮化鋁陶瓷產(chǎn)業(yè)化的一系列關(guān)鍵問(wèn)題，在氣-固體系氮化鋁基陶瓷的燃燒合成熱力學(xué)、動(dòng)力學(xué)和形成機(jī)制等方面進(jìn)行了深入研究后得到的創(chuàng)新成果。 本項(xiàng)目來(lái)源于國(guó)家教委高校博士點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)科研基金項(xiàng)目（1994.3-1997.3）。 本項(xiàng)目以應(yīng)用基礎(chǔ)研究成果“燃燒合成氮化鋁基陶瓷的應(yīng)用基礎(chǔ)研究”已于1999年通過(guò)專(zhuān)家函審。 采用本項(xiàng)目的技術(shù)，可以生產(chǎn)符合制作先進(jìn)陶瓷要求的氮化鋁粉末，還可根據(jù)用戶(hù)要求，用此技術(shù)生產(chǎn)氮化鋁基陶瓷粉末。粉末的質(zhì)量?jī)?yōu)良而穩(wěn)定。 氮化鋁廣泛應(yīng)用于高溫結(jié)構(gòu)材料、金屬溶液槽和電解槽襯里、熔融鹽容器、磁光材料、聚合物添加劑、金屬基復(fù)合材料增強(qiáng)體、裝甲材料、高密度集成電路基板、電子器材的封裝材料、粘結(jié)劑、散熱片、導(dǎo)電燒舟等。

在利用太陽(yáng)能分解水制取氫氣的催化劑研究上取得新進(jìn)展。該研究工作借鑒自然界光合作用，在多個(gè)光敏中心多個(gè)催化中心產(chǎn)氫器件構(gòu)筑的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步將其植入到金屬有機(jī)框架材料中，模擬自然界酶催化環(huán)境中質(zhì)子和電子的傳輸與轉(zhuǎn)移，在有效規(guī)避分子基催化劑穩(wěn)定性差的同時(shí)，極大地提高了光催化產(chǎn)氫性能，為人工模擬光催化劑的設(shè)計(jì)和構(gòu)筑提供了新的思路。? 人工模擬光合作用，利用太陽(yáng)能在催化劑作用下分解水制取氫氣，是實(shí)現(xiàn)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為清潔的化學(xué)能，解決人類(lèi)社會(huì)面臨的能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題的理想途徑。在早期，我校化學(xué)學(xué)院蘇成勇教授和石建英副教授研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展了空間上相互獨(dú)立、功能上相互等價(jià)，集合8個(gè)光敏金屬有機(jī)釕中心和6個(gè)催化Pd2+中心于一體的金屬-有機(jī)分子籠產(chǎn)氫器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16)，在單一分子籠內(nèi)構(gòu)筑出多個(gè)相互獨(dú)立的能量傳遞和電子轉(zhuǎn)移通道，獲得了高達(dá)380 μmol h-1的初始產(chǎn)氫速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。雖然金屬有機(jī)分子籠提高了分子基催化劑的產(chǎn)氫性能，但光照條件下的穩(wěn)定性仍然是制約其進(jìn)一步應(yīng)用的決定因素。       最近，我校化學(xué)學(xué)院蘇成勇教授和石建英副教授研究團(tuán)隊(duì)又基于配位組裝策略實(shí)現(xiàn)了Au25(SG)18納米簇在金屬有機(jī)ZIF-8主體框架內(nèi)部和外表面的可控組裝[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略，他們將MOC-16植入到ZIF-8主體內(nèi)，進(jìn)一步將ZIF-8轉(zhuǎn)化為Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF)，獲得了MOC-16@CZIF催化劑。

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。

已有樣品/n通過(guò)石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數(shù)量，集中化/離散化陽(yáng)離子基阻變器件中導(dǎo)電通路的分布來(lái)調(diào)控其穩(wěn)定性,此工作是該領(lǐng)域首次在相同結(jié)構(gòu)阻變器件中實(shí)現(xiàn)電流-保持特性的雙向調(diào)控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調(diào)控方法，也能夠移植應(yīng)用到離子電池，離子傳感等研究領(lǐng)域。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹供應(yīng)太陽(yáng)能紅外對(duì)射，無(wú)線紅外對(duì)射廠家，紅外對(duì)射系統(tǒng)工程價(jià)格產(chǎn)品名稱(chēng)：雙光束主動(dòng)紅外對(duì)射 (廠家直銷(xiāo)）產(chǎn)品型號(hào)： 紅外對(duì)射柵欄系列                 Sn-20~150  產(chǎn)品規(guī)格： 標(biāo)準(zhǔn)  詳細(xì)介紹  功能簡(jiǎn)介    1、抗強(qiáng)光達(dá)50，000LUX,內(nèi)置自動(dòng)調(diào)節(jié)強(qiáng)光過(guò)濾系統(tǒng),避免受強(qiáng)光或汽車(chē)燈光的影響   2、獨(dú)特的光學(xué)設(shè)計(jì)：光電射束可穿透多層玻璃，具有特殊的抗環(huán)境能力   3、全密封防雨（霧）、防塵（蟲(chóng)）等的一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使其能在惡劣的環(huán)境中正常工作   4、可選菲涅爾或雙元非球面二次聚焦光學(xué)透鏡實(shí)現(xiàn)了大口徑光柱    5、模塊化的設(shè)計(jì)便于探測(cè)器的添加及層疊    6、具有高水準(zhǔn)的抗RFI/EMI能力   7、接收信號(hào)強(qiáng)度多級(jí)LED指示燈（校準(zhǔn)更精密）   8、射束遮斷周期可調(diào)使其更加靈活適應(yīng)性更強(qiáng)    9、探測(cè)范圍：由各個(gè)型號(hào)決定（參下表）   技術(shù)參數(shù)： 警戒距離 (室外) 20m   30m   40m   60m   80m   100m    150m 光    束     數(shù) 2束 探測(cè)方式 2光束同時(shí)遮斷檢知式 光源 紅外數(shù)字脈沖式 感應(yīng)速度 50-700msec可調(diào) 警報(bào)輸出 繼電器接點(diǎn)輸出NO或NC 接點(diǎn)容量AC、DC30V0.5AMax 供電電源 DC13.8～24V、AC11～18V  消耗電流 40mAmax 40mAmax 55mAmax 55mAmax 65mAmax 65mAmax 咨詢(xún)電話： 劉生 15013775514/0755-89206127 商務(wù)Q 272820915使用溫度范圍 -25℃～55℃ 使用濕度范圍 5%～95%RH (相對(duì)濕度） 外型尺寸 參照外型圖 防拆輸出 接點(diǎn)輸出NC 接點(diǎn)容量AC、DC24V 0.5AMax  光軸調(diào)整角度(水平) 180°(±90°) 光軸調(diào)整角度(垂直) 20°( ±10°) 結(jié)露、霜對(duì)策 加熱式外罩（另配） 材質(zhì) PC工程料 質(zhì)量 658g（受光器+投光器各）  歡迎你的來(lái)電深圳市世寧科技有限公司，我公司會(huì)給最好服務(wù)，最實(shí)惠的價(jià)格！供應(yīng)太陽(yáng)能紅外對(duì)射，無(wú)線紅外對(duì)射廠家，紅外對(duì)射系統(tǒng)工程價(jià)格

納米氮化硼材料兼具氮化硼和納米材料的雙重優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于航空航天、高端電子散熱材料、吸附劑、水凈化、化妝品等領(lǐng)域。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種能夠?qū)崿F(xiàn)形貌和尺寸均一且具有超大比表面積多孔氮化硼納米纖維的規(guī)模化制備技術(shù)，目前市場(chǎng)尚未實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。該技術(shù)合成工藝簡(jiǎn)單可控、成本低、過(guò)程綠色環(huán)保，處于國(guó)際領(lǐng)先地位。 1 產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域 圖2 高性能氮化硼納米纖維粉體 圖3 氮化硼納米纖維粉體微觀形貌

項(xiàng)目簡(jiǎn)介 氣體引射除塵器是利用壓縮空氣通過(guò)噴管高速?lài)娚洌咚贇饬骶砦渲車(chē)瑝m氣流 在文丘里管內(nèi)進(jìn)行混合和流動(dòng)，在噴淋液的參與下，使文丘里管具有抽氣吸塵功能和除 塵功能。 性能指標(biāo) （1）處理氣量 30~50m3 /min，引射比 16~18，液氣比 0.1~0.2l/m3 ，對(duì)瓦斯環(huán)境不敏 感。 （2）除塵效率>99%，排氣粉塵濃度<10mg/m3 。 （3）體積小、重量 25~30kg，安裝方便。 適用范圍、市場(chǎng)前景 主要用于煤礦井下干法鉆孔除塵，掘進(jìn)機(jī)

采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進(jìn)一步發(fā)展的尺寸限制同時(shí)可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實(shí)現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因?yàn)槠溟g接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實(shí)現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。

本方法采用低成本的氮化燃燒合成工藝制備了可被藍(lán)光或紫外光芯片激發(fā)的高性能Eu 2+ 摻雜AlN基藍(lán)色熒光粉，以及Eu 2+ 摻雜的Sr 2 Si 5 N8和Ca 2 Si 5 N 8 紅色熒光粉。該方法無(wú)需高溫長(zhǎng)時(shí)間加熱，工藝簡(jiǎn)單、成本低、效率高、重復(fù)性好、對(duì)環(huán)境沒(méi)有污染，適于工業(yè)化生產(chǎn)。