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目前脫除硫化氫氣體的方法主要分為物理法、化學法和生物法三大類 。近年來，生物脫硫成為硫化氫脫除技術發(fā)展新熱點，生物脫硫具有反應條件溫和、不易產生二次污染等優(yōu)勢，然而與傳統(tǒng)的物理化學方法相比，目前的生物脫硫技術還存在著反應速率較慢、效率不高等缺陷。鑒于以上原因，項目組針對現(xiàn)有硫化氫脫除技術的缺陷，將生物脫硫的優(yōu)勢和化學脫硫反應迅速的優(yōu)勢結合起來，開發(fā)出了一 種高效的“綠色循環(huán)兩級硫化氫脫除系統(tǒng)”。

框式硫化機是公司的基礎產品，可根據用戶的不同要求，設計生產各種非標硫化機，結合現(xiàn)在先進的生產制造技術，在上升/下降速度、硫化時間、溫度、保溫裝置及輔助工作臺、推拉模等，均做到了優(yōu)化設計，如：公司為國內軍工企業(yè)生產的XLB-Q1500*2700*4/30MN多層硫化機，可用于生產航天隔熱材料，產品獲得了國家發(fā)明專利。

氧化鋯纖維成果轉化 本項目涉及從原料的合成、纖維及其制品的制備以及相關設備等系列專利群，具有獨立自主知識產權，該發(fā)明專利群不僅在技術上處于國際領先水平，還可轉化為生產力，形成具有高附加值的產品，產生經濟價值和社會效益。本項目在國內外沒有先例可借鑒，從工藝到設備大都是自主研發(fā)設計，投入的人力、物力和時間非常大。已在山東德艾普節(jié)能材料有限公司實施轉化。 由于氧化鋯纖維具有極低的高溫導熱系數和耐溫性，決定了氧化鋯纖維及其制品在超高溫隔熱領域具有及其廣泛的應用市場前景。主要應用包括高溫電爐、退火爐、單晶爐、中高頻感應爐以及氣氛爐等的高溫面的隔熱。1600度以上的保溫，每年具有幾千噸的市場需求，可產生上百億的經濟價值。 《氧化鋁特種陶瓷材料及相關應用》成果轉化 該專利技術成果主要涉及的是氧化鋁微晶陶瓷磨料(S-G磨料)和氧化鋁基陶瓷纖維的“溶膠-凝膠”法制備及其相關應用等，已在山東東珩膠體材料有限公司實施轉化。 氧化鋁特種陶瓷材料及相關應用市場需求大，技術轉化條件成熟，具有良好的轉化前景。微晶陶瓷磨料(S-G磨料)和氧化鋁纖維在國際上已經得到普遍的應用和推廣，尤其是在軍事材料、航空航天材料。目前國內還是空白，但是以美日為首的西方發(fā)達國家對我國進行技術封鎖、材料禁止買賣，限制我國先進制造業(yè)、航空、航天等方面的發(fā)展，陳代榮教授團隊研究的氧化鋁特種陶瓷材料將會填補國內空白，打破美日等國對我國的技術封鎖，實現(xiàn)氧化鋁陶瓷材料在軍事、航空、航天、人民生活用品等方面的廣泛應用。 碳纖維復合芯架空導線 碳纖維復合芯導線是一種新型節(jié)能型增容導線，具有質輕，高強、耐腐、抗疲勞、弧垂變化小、安全節(jié)能等優(yōu)點，同時可以實現(xiàn)倍容輸電，并具有自融冰功能，可以減少輸電回路，提高架線土地利用率，降低線路改造成本，是原有鋼芯鋁絞線的最佳替代品。適用于高地質災害、大跨越、城網改造升級、沿海等高腐蝕區(qū)域以及超高壓和特高壓輸電，有助于構造安全、環(huán)保、高效節(jié)約型輸電網絡。 本產品以高性能碳纖維及山東大學自主研發(fā)的耐高溫特種樹脂為原料，具有獨特的防劈裂結構設計，以先進的自動化拉擠機組為硬件保障，產品性能指標達到國際領先水平，六家合作企業(yè)掛網業(yè)績已達3萬公里。曾獲國家能源科技進步一等獎，山東省科技進步一等獎等獎項。 碳纖維系列成果還有碳纖維復合材料抽油桿、單兵防護、碳纖維復合材料高壓氣瓶、碳纖維復合材料三維編織體等，成熟度基本都可以量產。

將高溫下進行的氧化錳礦還原反應及硫化礦的氧化反應，改為利用微生物的催化作用，在厭氧常溫常壓下，使低品位氧化錳礦與硫化礦耦合浸出，將生物槽浸和堆浸相結合，提高浸出效率和速率，利用鐵和錳的變價特點進行分離提取和深加工，制成電子級二氧化錳、四氧化三錳和高錳酸鉀，礦渣制成高效環(huán)境礦物材料。利用微生物的催化作用，將我國儲量巨大的低品位錳礦和硫化礦，在常溫常壓下進行綜合利用，使其變廢為寶。此工藝浸出時間短，效率高，能耗低，無廢氣排放，浸渣還可以制成鐵環(huán)境礦物材料，用于廢水處理，及制磚墊地等。

成果簡介：  以含硫化氫酸性氣體為研究對象，進行生物法凈化含硫化氫廢氣技術研究，以及生物脫硫基礎理論研究（生物脫硫微觀反應機理、脫硫菌種動力學研究與反應器流體力學模擬）。利用低能離子注入技術誘變篩選獲得適合于工業(yè)化的高效脫硫菌種；構建菌體生長的多階段發(fā)酵調控技術，采用高密度培養(yǎng)技術探究影響高密度培養(yǎng)的因素，并通過小分子化合物擾動，強化菌株脫硫機

將高溫下進行的氧化錳礦還原反應及硫化礦的氧化反應，改為利用微生物的催化作用，在厭氧常溫常壓下，使低品位氧化錳礦與硫化礦耦合浸出，將生物槽浸和堆浸相結合，提高浸出效率和速率，利用鐵和錳的變價特點進行分離提取和深加工，制成電子級二氧化錳、四氧化三錳和高錳酸鉀，礦渣制成高效環(huán)境礦物材料。利用微生物的催化作用，將我國儲量巨大的低品位錳礦和硫化礦，在常溫常壓下進行綜合利用，使其變廢為寶。此工藝浸出時間短，效率高，能耗低，無廢氣排放，浸渣還可以制成鐵環(huán)境礦物材料，用于廢水處理，及制磚墊地等。

室溫硫化硅橡膠可以在室溫硫化，施工簡單，且具有優(yōu)異的電絕緣?耐臭氧老化、耐候、耐高低溫等性能，在電力行業(yè)的絕緣領域得到廣泛應用。但采用白炭黑和碳酸鈣等常用填料補強的室溫硫化硅橡膠密度較高（≥1.20 g/cm3），且阻燃性能較差，而臨近居民區(qū)、樹木植被和交叉跨越河流、池塘、高架橋等的高壓架空裸導線及其部件絕緣包覆用硅橡膠需要具有較低的密度和良好的 阻燃性能。該技術采用α、ω-二羥基聚二甲基硅氧烷為基礎聚合物，加入經特殊工藝表面處理的輕質補強填料、高效環(huán)保型阻燃 劑及其協(xié)效劑等助劑，研究開發(fā)出低密度阻燃室溫硫化硅橡膠絕緣材料。產品固化后具有外觀良好、絕緣性能優(yōu)良、耐 UV 性能高、力學性能好、耐熱良好及防水氣透過等優(yōu)勢，拉伸強度≥3.0MPa、 阻燃性能達到UL94V-0 級、介電強度≥18kV/mm、密度≤0.95 g/ ??m3。 

（專利號：ZL 201410662884.7） 簡介：本發(fā)明公開了一種硫化釹納米針的合成方法，屬于納米材料制備技術領域。本發(fā)明以硫化鈉、三氟甲磺酸釹、乙二胺及琥珀酸二異辛基磺酸鈉作為原料，水為溶劑，將硫化鈉、三氟甲磺酸釹、乙二胺、琥珀酸二異辛基磺酸鈉與水均勻混合后置于反應容器內并密封，于溫度300～400℃、保溫2～12h，即得到目標產物：硫化釹納米針。本發(fā)明采用的合成方法，具有過程簡單、反應溫度低、耗時短及對環(huán)境無污染的特點；同時，本發(fā)

深度“治水”關鍵技術——高級氧化 高級氧化技術：在高溫高壓、電、聲、光輻射、氧化劑、催化劑等條件下產生強氧化性•OH自由基，高效氧化大分子難降解有機物以及飲用水微量污染物的深度處理技術。 思普潤-HYRASAOR高級氧化系統(tǒng) 思普潤基于O3、H2O2、UV開發(fā)出HYRASAOR (Hydroxyl Radical Special Advanced Oxidation Reactor) 系列高級氧化系統(tǒng)，形成O3/ H2O2 /UV、O3/ H2O2 、UV/ H2O2 、UV/O3等系列高級氧化技術?？蓮V泛應用于工業(yè)污水廠達標排放、市政污水廠新建及提標改造、嗅味去除、微污染物降解及地下水修復等領域。

單層半導體性過渡族金屬硫屬化合物（MX2: MoS2, WS2 等）是繼石墨烯之后備受關注的二維層狀材料。該類材料具有優(yōu)異的電學性質、強的光物相互作用、高效的催化特性等，在光電子學器件、傳感器件、電催化產氫等領域具有非常廣闊的應用前景。單層MX2 材料的批量制備和高品質轉移是關鍵的科學問題。現(xiàn)有方法仍面臨著諸多重大挑戰(zhàn)，例如，難以實現(xiàn)晶圓尺寸的層數均勻性、單晶疇區(qū)小、生長速度緩慢、生長襯底價格昂貴、轉移過程復雜、容易引入污染物等。北京大學張艷鋒課題組是國內較早開展相關研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產氫應用方面取得了一系列重要進展：基于范德華外延的機理，他們在晶格匹配的云母基底上首次獲得了厘米尺度均勻的單層MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在藍寶石上獲得了大疇區(qū)單層WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；發(fā)展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實現(xiàn)了疇區(qū)尺寸可調單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態(tài)、電子結構和電催化析氫之間的構效關系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰寫綜述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他們在大尺寸均勻MoS2的批量制備以及“綠色”轉移方面取得重要進展。他們選用廉價易得的普通玻璃作為基底，創(chuàng)新性地采用Mo箔作為金屬源(與S粉共同作為前驅體)，采用“face-to-face”的金屬前驅體供給方式，實現(xiàn)了前驅體在樣品上下游的均勻供應，使得樣品尺寸可以得到最大限度的放大(僅受限于爐體尺寸)，獲得了對角線長度可達6英寸的均勻單層MoS2; 結合DFT理論計算和系統(tǒng)的實驗結果發(fā)現(xiàn)，玻璃基底上微量的Na對材料生長起到明顯的促進作用, Na傾向于吸附在MoS2疇區(qū)的邊緣，起到顯著降低MoS2拼接生長能壘的作用，從而促進其快速生長。 獲取滿覆蓋單層樣品的生長時間僅為8 min，單晶疇區(qū)邊緣尺寸可達0.5 mm。此外，他們利用玻璃基底的親水特性，發(fā)展了一種無刻蝕的、僅利用超純水輔助的“綠色”轉移方法。該方法適用于晶圓尺寸樣品的快速轉移，且具有操作簡單，轉移樣品質量高等明顯優(yōu)勢。該工作提出了利用廉價的普通玻璃基底來制備大面積、晶圓尺寸均勻、大疇區(qū)單層MoS2的新方法/新途徑，并深入分析了其生長機制，為相關二維材料的批量制備和高效轉移提供了重要的實驗依據，對于推動該類材料的實際應用具有非常重要的意義。