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本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法， 可編程模擬電路包括：阻變?cè)⒌谝浑娮琛⒌诙娮琛 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻 變?cè)囊欢伺c第一電阻的另一端連接，阻變?cè)牧硪欢俗鳛榭删?程模擬電路的第二端口；N 型 MOS 管的漏極和 P 型 MOS 管的漏極均 連接至阻變?cè)牧硪欢耍琋 型 MOS 管的源極和 P 型 MOS 管的源極 均

本發(fā)明公開了一種光纖 EFPI 次聲波傳感器及次聲信號(hào)探測(cè)系 統(tǒng)。本發(fā)明與同類型的其他聲學(xué)探測(cè)方法相比，在換能器中采用聚合 物薄膜，并對(duì)聚合物薄膜的厚度和直徑進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，使得傳感器 能探測(cè) 1～20Hz 的次聲波，且靈敏度高達(dá) 121mV/Pa。在換能器的聚合 物薄膜內(nèi)側(cè)中心粘貼鋁質(zhì)薄膜，并對(duì)鋁質(zhì)薄膜的厚度和直徑進(jìn)行了優(yōu) 化設(shè)計(jì)，不僅大幅提高了換能器的光學(xué)反射率，而且使聚合物薄膜的 中心振動(dòng)保持平穩(wěn)。本發(fā)明與傳統(tǒng)

本發(fā)明涉及一種表征太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器多模效應(yīng)的電路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源層內(nèi)部載流子輸運(yùn)特性的多模速率方程組；接著建立表征ThzQCL內(nèi)部多模態(tài)效應(yīng)的物理方程模型； 然后通過變量代換和化簡(jiǎn)得到相應(yīng)的等效電路模型；建立表征 THzQCL 輸入端電氣特性的等效電路模型； 建立表征 THzQCL 輸出端光功率特性的等效電路模型；最后建立電路宏模型，包括一個(gè)電氣端口和一個(gè) 光功率輸出端口，基于電路宏模型進(jìn)行光電性能仿真和輸出光譜性能測(cè)試。本發(fā)明可測(cè)試溫度對(duì) THzQCL 各種光電性能的影響；可支持實(shí)現(xiàn)對(duì) THzQCL 光電性能和輸出多模效應(yīng)的模擬和仿真。 

本發(fā)明提出了一種基于改進(jìn)和聲搜索算法的無線傳感器網(wǎng)絡(luò)路由方法，包括以下步驟：Step1、初始化算法相關(guān)參數(shù) HMS、HMCR、PAR 以及評(píng)價(jià)次數(shù) eval_Nomax；Step2、利用輪盤賭初始化和聲記憶庫(kù) HM；Step3、評(píng)價(jià)和聲庫(kù)中各和聲路徑的適應(yīng)度；Step4、設(shè)置 eval_No＝0；Step5、設(shè)置 i＝0；Step6、產(chǎn)生候選和聲；Step7、eval_No++，若 eval_No＜eval_Nomax，執(zhí)行 Step8；否則執(zhí)行 Step11；Step8、對(duì)和聲庫(kù)中的第 i 條和聲 Xi＝{s,x2,…xj,…,d},進(jìn)行鄰域搜索；Step9、eval_No++，若 eval_No＜eval_Nomax，執(zhí)行 Step10；否則執(zhí)行 Step11；Step10、i++，若 i＜HMS，執(zhí)行 Step6；否則執(zhí)行 Step5；Step11、記錄和聲記憶庫(kù)中的最優(yōu)和聲路徑。本發(fā)明的路由方法具有較高的能效，并且能夠有效地延長(zhǎng)整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的生命周期。

本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種面向手勢(shì)識(shí)別的稀疏二值網(wǎng)絡(luò)激活圖像編解碼硬件加速器。本發(fā)明的硬件加速器包括：激活圖像編碼單元，編碼圖像存儲(chǔ)單元，編碼圖像解碼單元。該加速器針對(duì)稀疏二值網(wǎng)絡(luò)的激活圖像中存在大量相同向量進(jìn)行壓縮，這些相同的向量是由于二值化的手勢(shì)邊緣作為輸入所產(chǎn)生的，壓縮激活圖像可以有效地降低片上存儲(chǔ)容量，降低數(shù)據(jù)搬運(yùn)功耗，進(jìn)而降低芯片功耗；該加速器能夠?qū)嚎s后的激活圖進(jìn)行譯碼，在譯碼過程中跳過重復(fù)的計(jì)算，從而減少計(jì)算次數(shù)，提升計(jì)算速度，有效地提升硬件性能。本發(fā)明具有低功耗，低延時(shí)的特性，有效地降低硬件資源，提升硬件的能效比。

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于二維半導(dǎo)體材料的電荷超注入存儲(chǔ)器及其制備方法。本發(fā)明通過存儲(chǔ)疊層能帶設(shè)計(jì)，在實(shí)現(xiàn)閃存的非易失性存儲(chǔ)特性；通過橫向電場(chǎng)設(shè)計(jì)以及器件的仿真模擬設(shè)計(jì)，利用二維半導(dǎo)體材料的原子級(jí)薄層特性，顯著增強(qiáng)最大橫向電場(chǎng)從而提升電荷的注入效率，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器中電荷的超注入機(jī)制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)閃存的亞納秒編程。本發(fā)明存儲(chǔ)器在維持十年數(shù)據(jù)保持能力的同時(shí)，大幅提升了電荷注入效率，將編程速度提升至亞納秒，為解決電荷存儲(chǔ)領(lǐng)域超快編程和長(zhǎng)保持時(shí)間無法共存的重大挑戰(zhàn)提供新的解決方案。

本發(fā)明屬于膜催化技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種基于纖維基膜反應(yīng)器的連續(xù)苯酚加氫制環(huán)己酮反應(yīng)裝置。包括膜反應(yīng)器、用于為膜反應(yīng)器提供恒溫條件的加熱組件以及用于將反應(yīng)物料實(shí)現(xiàn)循環(huán)的動(dòng)力組件，所述膜反應(yīng)器包括下組件、儲(chǔ)料罐和上組件，小環(huán)形墊片和大環(huán)形墊片之間設(shè)置有若干纖維基催化膜。本發(fā)明采用柔性膜材料，緩沖液體和氣體進(jìn)料過程中的沖擊力，并且通過設(shè)計(jì)的膜組件，實(shí)現(xiàn)柔韌性膜材料在夾持和應(yīng)用過程中不易損壞，保證了反應(yīng)過程中的穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)了環(huán)己酮的連續(xù)綠色高效制備。

本發(fā)明公開了一種面向中高壓智能配電網(wǎng)的橋臂復(fù)用電力電子變壓器，包括模塊化多電平變流器、輸入串聯(lián)輸出并聯(lián)隔離型DC，DC變換器和變流器；模塊化多電平變流器輸出的正極連接第一個(gè)隔離型DC，DC變換器模塊的輸入側(cè)逆變橋前一橋臂的中間點(diǎn)，負(fù)極連接最后一個(gè)隔離型DC，DC變換器模塊的輸入電容負(fù)端；相鄰兩個(gè)隔離型DC，DC變換器模塊的連接方式為前一模塊的輸入電容負(fù)端連接后一模塊的逆變橋前一橋臂的中間點(diǎn)；隔離型DC?DC變換器的輸入電容串聯(lián)而成的橋臂作為上一級(jí)模塊化多電平變流器的電容橋臂，前后兩級(jí)共用一個(gè)電容橋臂。本發(fā)明中MMC跟隔離型DC，DC變換器共用一組電容橋臂，降低了系統(tǒng)成本；可以避免在MMC模塊輸出電壓短路的情況下，ISOP輸入電容短路的問題。

傳統(tǒng)的植物組織培養(yǎng)的方法是以瓊脂為支持物的半固體或固體培養(yǎng)。固體、半固體培養(yǎng)是一個(gè)勞動(dòng)密集型技術(shù)，需要大量的手工勞動(dòng)，導(dǎo)致生產(chǎn)成本居高不下。液體培養(yǎng)易于操控，適合大規(guī)模的組培生產(chǎn)，但是由于組培苗長(zhǎng)期的浸泡在液體中，無法進(jìn)行有效的氣體交換，組培苗玻璃化情況嚴(yán)重、抗逆性較差，栽培死亡率高，也增加了生產(chǎn)成本。隨著植物組織培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)日益興盛，傳統(tǒng)的固體、半固體培養(yǎng)及液體培養(yǎng)模式已經(jīng)滿足不了產(chǎn)業(yè)的需求。 新型生物反應(yīng)器采用間歇浸沒培養(yǎng)模式和自動(dòng)化控制技術(shù)，并以半夏等藥用植物為材料進(jìn)行試驗(yàn)，優(yōu)化該裝置的浸沒頻率等參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了高通量植物種苗的工廠化擴(kuò)繁。與傳統(tǒng)的培養(yǎng)模式作比較，無論在培養(yǎng)周期、種苗質(zhì)量上均較優(yōu)。由于通量大，在育種上的應(yīng)用節(jié)省了時(shí)間和人力、物力，效率大大提高，達(dá)到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用水平。 項(xiàng)目技術(shù)優(yōu)勢(shì) 間歇浸沒培養(yǎng)系統(tǒng)結(jié)合了固體培養(yǎng)（最大化氣體交換）和液體培養(yǎng)（營(yíng)養(yǎng)充分的吸收）的優(yōu)點(diǎn)，在很多種植物幼苗和體細(xì)胞胚體的培養(yǎng)中占有一定的優(yōu)勢(shì)，植物的長(zhǎng)勢(shì)情況和增殖率比傳統(tǒng)的固體培養(yǎng)、半固體培養(yǎng)和液體培養(yǎng)都要好，所獲得的幼苗和體細(xì)胞胚體質(zhì)量高，更能很好的適應(yīng)環(huán)境，移栽成活率較高。間歇浸沒培養(yǎng)模式采用程序控制，自動(dòng)化程度高，大大的減少了勞動(dòng)力的消耗，生產(chǎn)成本和傳統(tǒng)的模式相比大幅度的降低，在商業(yè)化生產(chǎn)上占有很大的優(yōu)勢(shì)。 ①.減少甚至避免玻璃化實(shí)驗(yàn)證明，增加通風(fēng)和植物材料間歇的接觸液體培養(yǎng)基是降低玻璃化的有效方法，而間歇浸沒培養(yǎng)系統(tǒng)正好具備這兩個(gè)特征。 ②.組培苗環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)利用傳統(tǒng)的培養(yǎng)方式獲得的組培苗，對(duì)環(huán)境適應(yīng)能力較弱，在煉苗階段由于環(huán)境變化較大，一般成活率較低。但間歇浸沒系統(tǒng)獲得的植物由于在培養(yǎng)時(shí)就進(jìn)行了外界空氣的鍛煉，因此，絕大多數(shù)能夠成功的適應(yīng)環(huán)境，煉苗成活率較高。 技術(shù)成果 本項(xiàng)目已利用新型生物反應(yīng)器進(jìn)行了半夏、鐵皮石斛、大蒜、百合等經(jīng)濟(jì)植物的擴(kuò)繁。 目前本項(xiàng)目已申請(qǐng)發(fā)明專利1項(xiàng)，實(shí)用新型專利2項(xiàng)：

本發(fā)明涉及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特指一種雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底中心位置上設(shè)有淺槽，淺槽中心位置設(shè)有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽底面延至玻璃襯底底面，淺槽上設(shè)有可測(cè)量低壓差的電容C1與可測(cè)量高壓差的電容C2，可測(cè)量低壓差的電容C1包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測(cè)量高壓差的電容C2包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔(71)與可測(cè)量低壓差的電容C1對(duì)應(yīng)設(shè)置，可測(cè)量低壓差的電容C1與可測(cè)量高壓差的電容C2對(duì)應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明采用變間距原理實(shí)現(xiàn)壓力到電容的轉(zhuǎn)換，可測(cè)量低壓差的電容C1與可測(cè)量高壓差的電容C2分別實(shí)現(xiàn)了微壓段和高壓段的高精度測(cè)量，不僅提高了壓力測(cè)量精度，也提升了傳感器的測(cè)量范圍。