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一種基于微流控通道的磁分離方法及裝置
本發(fā)明公開了一種基于微流控通道的磁分離方法和裝置，所述方法包括：控制樣品液流入微流控通道；對所述微流控通道中的樣品液施加垂直于微流控通道方向的梯度磁場，使所述樣品液中的不同粒子分離；對所述微流控通道中的樣品液施加靜態(tài)均勻磁場；對所述微流控通道中的樣品液施加周期均勻磁場，所述梯度磁場、周期均勻磁場以及靜態(tài)均勻磁場共同作用產生振蕩復合式梯度磁場，避免所述樣品液中不同的粒子團聚；其中，所述微流控通道、所述梯度磁場以及所述靜態(tài)均勻磁場位于 xy 平面內，所述周期均勻磁場垂直于 xy 平面。本發(fā)明中涉及的磁分
華中科技大學
2021-04-14
一種電場輔助寫入型磁隧道結單元及其寫入方法
本發(fā)明公開了一種電場輔助寫入型磁隧道結單元及其寫入方法； 電場輔助磁隧道結單元具有雙勢壘結構，包括第一電極層，以及依次 形成在第一電極層上的第一磁性層、第一絕緣隧穿層、第二磁性層、 第一金屬層、第二絕緣層和第二電極層。第一磁性層為參照層 RL，第 一絕緣層為隧穿層 I，第二磁性層為自由層 FL，第一金屬層為非磁金 屬層 NM，第二絕緣層為介電層 I*；當在磁隧道結單元的兩端施加電 壓時，電場通過兩個絕緣層引入到 I/FL 和 FL/NM 界面，從而調控 I/FL 的界面磁各向異性，并控制 FL/NM
華中科技大學
2021-04-14
一種電場輔助寫入型磁隧道結單元及其寫入方法
本發(fā)明公開了一種電場輔助寫入型磁隧道結單元及其寫入方法； 電場輔助磁隧道結單元具有雙勢壘結構，包括第一電極層，以及依次 形成在第一電極層上的第一磁性層、第一絕緣隧穿層、第二磁性層、 第一金屬層、第二絕緣層和第二電極層。第一磁性層為參照層 RL，第 一絕緣層為隧穿層 I，第二磁性層為自由層 FL，第一金屬層為非磁金 屬層 NM，第二絕緣層為介電層 I*；當在磁隧道結單元的兩端施加電 壓時，電場通過兩個絕緣層引入到 I/
華中科技大學
2021-04-14
一種基于磁納米磁化強度的溫度測量方法
本發(fā)明公開一種基于磁納米磁化強度的溫度測量方法，其主要創(chuàng)新在于考慮了磁納米試劑粒徑分布對溫度測量的影響，實現了在未知磁納米粒徑分布的情況下的溫度精確測量。當對磁納米試劑施加直流磁場時，檢測不同磁場強度激勵下的磁化強度信號；利用磁納米粒子磁化強度與溫度、濃度以及粒徑高階矩的關系式精確求解出溫度。當對磁納米試劑施加交流磁場時，采集交流磁化強度信號，檢測出一、三次諧波幅值；利用交流磁化強度一、三次諧波幅值與溫度、濃度以
華中科技大學
2021-04-14
小陣列核脈沖能量與時間譜分析系統(tǒng)
小陣列核脈沖能量與時間譜分析系統(tǒng)是國家自然科學基金和NSAF聯(lián)合基金 項目的創(chuàng)新成果，采用先進的低噪聲陣列讀出電路和基于FPGA的多通道能量與 時間譜分析系統(tǒng)，能夠同時測量小陣列像素探測器的能譜和時間譜，并繪制出一 維能量譜、一維時間譜、能量與時間的二維譜以及光子作用位置分布圖。 該系統(tǒng)相對于國內外現有產品的主要優(yōu)點是：(1)能夠同時測量核脈沖的 能量和時間譜，并給出二維譜分布；(2)能夠對小陣列探測器進行高速并行讀 出，并具有較高的靈敏度；(3)可以實現初步的能譜成像，并具有亞像元空間 分辨能力。 系統(tǒng)指探測器、模擬讀出電路、FPGA譜分析系統(tǒng)以及電源四個模塊組成， 低壓電源采用±3. 7V可充電鋰電池，高壓電源采用IkV高壓模塊，探測器采用基 于CZT晶體的像素陣列探測器，探測器與模擬讀出電路體積為 4. 5cmx4. 5cmx2. 7cm, FPGA 譜分析系統(tǒng)體積為 6. 5cmx8. Icmx2. 5cm,基本系統(tǒng)的 像素陣列為2x2,高分辨系統(tǒng)的陣列數可達8x8,系統(tǒng)的時間分辨可達5ns,能 量測量下限可達5keV,對59. 5keV伽馬射線可以實現能量分辨率5. 5%。
重慶大學
2021-04-11
帶數字標識腦干及下丘腦核團模型
XM-617C-1腦干及下丘腦核團模型（帶數字標識）
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XM-617C-1帶數字標識腦干及下丘腦核團模型可拆分為4部件，顯示腦干的形狀結構和間腦神經核團，腦干部除可觀察延髓、腦橋，菱形窩和中腦的形態(tài)外，還可觀察第Ⅱ至Ⅻ對腦神經在腦干部位，間腦可觀察到上丘腦、背側丘腦、后丘腦和下丘腦，在背側丘腦和下丘腦部顯示了各主要核團，共有多個部位數字指示標志和對應的文字說明。
尺寸：放大，14×11×22cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
腦干腦神經核傳導束XM-655
XM-655腦干腦神經核傳導束
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XM-655腦干腦神經核傳導束由6部件組成，顯示腦干腦神經核及腦神經、錐體系傳導束、錐體外系、淺深感覺傳導束、視聽覺和深感覺傳導束、深感覺前庭傳導束和脊髓小腦束等結構形態(tài)。
尺寸：放大
材質：優(yōu)質鐵絲
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
XM-655腦干腦神經核傳導束
XM-655腦干腦神經核傳導束
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XM-655腦干腦神經核傳導束由6部件組成，顯示腦干腦神經核及腦神經、錐體系傳導束、錐體外系、淺深感覺傳導束、視聽覺和深感覺傳導束、深感覺前庭傳導束和脊髓小腦束等結構形態(tài)。
尺寸：放大
材質：優(yōu)質鐵絲
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
安徽核芯電子科技有限公司
安徽核芯電子科技有限公司
2024-03-20
零壹核芯科技成都有限責任公司
零壹核芯科技成都有限責任公司成立于2017-06-05，法定代表人為肖忠海，注冊資本為300萬元人民幣，統(tǒng)一社會信用代碼為91510108MA6CR04H03，企業(yè)地址位于成都市成華區(qū)二仙橋東三路一號致遠樓5-4室，所屬行業(yè)為軟件和信息技術服務業(yè)，經營范圍包含：一般項目：技術服務、技術開發(fā)、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；企業(yè)管理；儀器儀表銷售；環(huán)境監(jiān)測專用儀器儀表銷售；機械設備銷售；電子產品銷售；計算機軟硬件及輔助設備零售；環(huán)境保護監(jiān)測；專用設備修理；家政服務；業(yè)務培訓（不含教育培訓、職業(yè)技能培訓等需取得許可的培訓）；招生輔助服務（除依法須經批準的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經營活動）。零壹核芯科技成都有限責任公司目前的經營狀態(tài)為存續(xù)（在營、開業(yè)、在冊）。
零壹核芯科技成都有限責任公司
2022-08-12