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由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過(guò)了中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織的現(xiàn)場(chǎng)鑒定。 由中國(guó)工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國(guó)杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來(lái)自中國(guó)移動(dòng)、信通院、華為、中興、大唐電信和國(guó)內(nèi)5所高校的共15位專(zhuān)家組成的鑒定委員會(huì)對(duì)該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)鑒定并給予了高度評(píng)價(jià)，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問(wèn)題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國(guó)際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門(mén)得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過(guò)250GHz，在理論上完全可以滿(mǎn)足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來(lái)無(wú)線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問(wèn)題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來(lái)一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢(shì)，但其輸出功率相對(duì)較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問(wèn)題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無(wú)需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問(wèn)題。

本項(xiàng)目重點(diǎn)研究面向物聯(lián)網(wǎng)極低功耗微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括寬電壓標(biāo)準(zhǔn)單元和片上存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)、工藝-電壓-溫度（PVT）偏差檢測(cè)技術(shù)與自適應(yīng)動(dòng)態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)、快速響應(yīng)的寬負(fù)載高效率電源轉(zhuǎn)換技術(shù)、低功耗高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)技術(shù)、極低功耗快速啟動(dòng)晶體振蕩器技術(shù)；面向工業(yè)控制微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括高可靠處理器架構(gòu)、低延時(shí)訪問(wèn)存儲(chǔ)策略、納秒級(jí)中斷響應(yīng)處理技術(shù)、容錯(cuò)型自糾錯(cuò)SRAM 設(shè)計(jì)技術(shù)、高精度時(shí)鐘基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)技術(shù)。

本技術(shù)成果涉及集成電路測(cè)試技術(shù)領(lǐng) 域，公開(kāi)了一種RFID讀寫(xiě)器芯片中測(cè)系 統(tǒng)及方法

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問(wèn)題越來(lái)越成為制約的瓶頸問(wèn)題。特別是在即將到來(lái)的萬(wàn)物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來(lái)龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來(lái)越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對(duì)極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級(jí)以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過(guò)超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

一、創(chuàng)新點(diǎn)： 1.創(chuàng)新1-高低壓兼容工藝技術(shù)：世界首個(gè)P-sub/P-Epi高低壓兼容浮置沉底工藝平臺(tái) 2.創(chuàng)新2-抗瞬時(shí)電沖擊電路技術(shù)：國(guó)際最高品質(zhì)因子600V等級(jí)浮柵控制芯片 3.創(chuàng)新3-低損耗功率器件技術(shù)：超低開(kāi)關(guān)損耗階梯柵氧600V超結(jié)功率器件 4.創(chuàng)新4-高功率密度互聯(lián)技術(shù)：國(guó)內(nèi)首款微型智能功率驅(qū)動(dòng)芯片及600V單片智能功率驅(qū)動(dòng)芯片。 二、產(chǎn)出情況： 被Amazon、Philips、Samsung、美的等100多家國(guó)內(nèi)外公司采用，項(xiàng)目新增銷(xiāo)售27.2億元，新增利潤(rùn)4.9億元，新增創(chuàng)匯3115.5萬(wàn)美元，解決了我國(guó)智能功率驅(qū)動(dòng)芯片的“卡脖子”問(wèn)題。 1.智能生活家電領(lǐng)域累計(jì)銷(xiāo)售超16億顆，市場(chǎng)占有率全國(guó)第一（超過(guò)40%） 2.首次實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)智能功率驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)用于高鐵空調(diào)控制器 3.唯一一款應(yīng)用于智能電表的國(guó)產(chǎn)功率芯片，解決了我國(guó)智能電表系統(tǒng)的戰(zhàn)略安全問(wèn)題 4.在新能源交通工具領(lǐng)域出貨量超30億顆 成功應(yīng)用于亞馬遜無(wú)人倉(cāng)儲(chǔ)機(jī)器人，首批供貨超過(guò)1萬(wàn)套。

本項(xiàng)目是用 28 納米 FPGA 器件實(shí)現(xiàn)了一枚《萬(wàn)兆網(wǎng)絡(luò)多核處理器》SOC 芯 片。該芯片目標(biāo)客戶(hù)是路由器、交換機(jī)、防火墻網(wǎng)絡(luò)設(shè)備整機(jī)廠商和網(wǎng)絡(luò)技術(shù) 科研、監(jiān)管機(jī)構(gòu)。該芯片用于拓展網(wǎng)絡(luò)帶寬到 10Gbps，支持 Open Flow 協(xié)議， 兼容 IPV4/IPV6 協(xié)議，是 SDN 控制器的基礎(chǔ)載體，NFV 的運(yùn)行平臺(tái)。該芯片是 互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的核心器件、重要的戰(zhàn)略物資，國(guó)內(nèi)空白，國(guó)家急需。該項(xiàng)目的產(chǎn) 業(yè)化包含 SOC 芯片推廣，F(xiàn)PGA→ASIC 轉(zhuǎn)化、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備整機(jī)生產(chǎn) 3 部分。適合 創(chuàng)辦的企業(yè)為 Fabless 模式集成電路芯片設(shè)計(jì)為主和網(wǎng)絡(luò)裝備整機(jī)生產(chǎn)為輔的電 43 子信息類(lèi)股份制高科技企業(yè)。

已有樣品/n針對(duì)各種生物醫(yī)用儀器對(duì)心電、腦電、肌電、神經(jīng)電等電生理信號(hào)采集與分析的需求，研制出了一系列專(zhuān)用集成電路芯片。其中包括：1、一款適合大多數(shù)生理信號(hào)的通用前端集成電路，完成從電生理傳感器輸出市場(chǎng)預(yù)期：市場(chǎng)需求量：芯片300萬(wàn)顆/年，傳感器3000萬(wàn)-5000萬(wàn)顆/年；可應(yīng)用系統(tǒng)：小型化便攜式電生理檢測(cè)設(shè)備、移動(dòng)健康產(chǎn)品、穿戴式健康產(chǎn)品。的原始信號(hào)到CMOS或TTL等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字電平信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換，這款前端電路的功能包括跟隨、前放、A/D、濾波等基本功能。2、多款專(zhuān)用的信號(hào)處理后端集

組織芯片技術(shù)可廣泛應(yīng)用于腫瘤生物學(xué)、分子流行病學(xué)、生物試研制、生物工程制藥、中藥有效成分篩選等領(lǐng)域。因此，各科研院校、醫(yī)院、生物制藥企業(yè)等都將會(huì)是成為其潛在的市場(chǎng)，有很大的需求量。按照保守估計(jì)，目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)組織芯片制備器具的年需求量在500-1000套之間；對(duì)組織芯片分析系統(tǒng)的年需求量在50-100套；對(duì)病理實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程控制會(huì)診系統(tǒng)的年需求量在50-100套

成果簡(jiǎn)介本項(xiàng)目在國(guó)家973計(jì)劃、863計(jì)劃等研究成果基礎(chǔ)上，跟蹤國(guó)際趨勢(shì)，形成9**nm 大功率單發(fā)光條半導(dǎo)體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬(wàn)小時(shí)。主要優(yōu)勢(shì)：（1 ）填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長(zhǎng)可選。應(yīng)用簡(jiǎn)介所處研發(fā)階段：中試階段適合應(yīng)用領(lǐng)域：直接光加工、

本發(fā)明提出這樣一種陽(yáng)極鍵合工藝方法：將 MEMS 陀螺儀器件層沉積到臨時(shí)高分子襯底上，完成金屬電極沉積和 MEMS 結(jié)構(gòu)刻蝕之后，將臨時(shí)高分子襯底用化學(xué)機(jī)械拋光的方法去除。去除之后，將玻璃基體和玻璃蓋帽分別緊貼 MEMS 結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，加電加熱后一次完成雙面陽(yáng)極鍵合。這種工藝方法與傳統(tǒng)的兩次陽(yáng)極鍵合分兩步進(jìn)行相比，更加節(jié)省成本，而且避免了第二次陽(yáng)極鍵合對(duì)第一次陽(yáng)極鍵合強(qiáng)度削弱這個(gè)固有缺點(diǎn)，使得產(chǎn)品可靠性提高。