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成功開發具有自主知識產權的新型淺色導電晶須，用晶須替代納米顆粒作為基體制備導電填料加入纖維基體中，具有比導電超細顆粒更好的分散性，而且由于晶須是棒狀結構，分散在纖維中可以通過搭接的方式首尾相接，更利于纖維導電。淺色導電晶須的開發研究對白色導電纖維的制備提供了理論和實踐基礎，葛明橋教授團隊開發的白色導電纖維經檢測達到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法紡絲）達到導電纖維要求，是國內導電纖維領域的一項重大突破，可提高白色導電纖維自產率，應用前景廣闊。 關鍵技術 （1）將高速攪拌與化學共沉積法結合，制備出的淺色導電二氧化鈦納米晶須的電阻率達到了 103 ?•cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過濕法紡絲方法制備出復合導電纖維，該種纖維的電阻達到了 106?。 （3）與企業合作制備導電母粒，進而通過熔融紡絲方法制備出各種復合結構的導電纖維，該種纖維的電阻達到了 109?。 知識產權及項目獲獎情況 發表學術論文 9 篇；申請專利 6 項 項目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應釜，實現產業化生產 投資期望及應用情況 目前已與部分企業合作，成功制備該導電材料并應用于化纖、纖維素等。

產品詳細介紹1.概述揚州晶明測試技術有限公司(http://www.yzjmtest.com/comp/2-JM3812ZB.htm)生產的JM3812ZB無線應變是每臺16個測點的無線應變儀。每個測點分別自動平衡，可用一臺計算機直接觀察最多100臺儀器的測試狀態。所有操作均由計算機完成。我們無線應變儀穩定性好，抗干擾能力強，廣泛應用于橋梁、建筑物、飛機、船舶、車輛、起重機械狀態測試，本系統采用zigbee通訊協議，基本低功耗設計，內置高容量鋰電池，給工程測試帶來極大的方便。2.應用范圍2.1 根據測量方案，完成全橋、半橋、1／4橋（公用補償片）狀態的靜態應力應變的多點巡回檢測.2.2 和各種橋式傳感器配合，實現壓力、力、荷重、位移等物理量的多點巡回檢測.2.3 與熱電偶配合，通過熱電偶分度號的計算，對溫度進行多點巡回檢測.2.4 對輸出電壓小于20mV的電壓信號進行巡回檢測，分辨率可達1μν.3.特點3.1 采用進口高性能機械繼電器，通過特殊的電路設計，消除了開關切換時，接觸電勢的變化對測量結果的影響。因此所有指標均包含了切換開關的影響.3.2 先進的隔離技術和合理的接地，使系統具有極強的抗干擾能力。每個測點可任意組橋，具有較強的靈活性，適用于各種工程現場的檢測。 3.3 數據采集箱可通過USB口和計算機通訊，采集箱網絡化分布式設計。4.技術指標4.1 測量點數:16點/臺（用戶自選）;4.2采樣頻率：10Hz4.3組網接口：無線 4.4 適用應變片電阻值:50～10000Ω任意設定;4.5 應變片靈敏度系數:1.0～3.0自動修正;4.6 供橋電壓:2V(DC);4.7 測量應變范圍:±19999με;4.8 最高分辨率:1με; 4.10 系統精度: ± 0.3％Fs±2με;4.11 溫漂:不大于3με/2h;4.12 平衡范圍:±15000με(無需電容平衡);4.13 長導線電阻修正范圍:0.0～100Ω;4.14 電源:220V±10％ 50Hz±2％;4.15 使用環境:GB6587.1-86-Ⅱ組;5.系統軟件 全漢化的WINDOWS應用軟件，方便直觀的應變、應力、橋式傳感器、拾振器等測試的參數設置功能。自動平衡、手動采樣、連續采樣、定時采樣等方式，自動完成測量結果的修正，實時顯示測量數值、應力和應變花計算，滿足靜態樁基抗壓、抗拔、水平靜載荷試驗；報告打印等功能，操作簡單、方便。數據文件可轉換為Text(.txt)、Excel(.xls)文件格式。開放的二次分析數據接口。揚州晶明科技有限公司揚州晶明測試技術有限公司地址: 江蘇揚州市維揚路25號公司主頁 http://www.yzjmtest.com公司郵箱 sale@yzjmtest.com電話     0514-87850416,87867922,82960507傳真     0514-82960507聯系人   唐先生手機     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com 個人郵箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com  

本發明公開了一種利用電流體直寫工藝制備場效應晶體管的方 法，包括:(1)在基板上制備有機半導體薄膜;(2)利用電流體直寫工藝， 在具有半導體薄膜的基板上制備平行的直線纖維;(3)通過電流體直寫 制備與之垂直的平行介電纖維;(4)在基板上真空沉積金屬;(5)在介電 纖維兩端涂覆導電銀漿，引出柵電極。本發明還公開了相應的產品。 本發明的方法利用介電微納纖維得到晶體管溝道，溝道長度尺寸與纖 維直徑尺寸相當，能夠達到亞微米甚至納米級，同時該纖維也是晶體 管的絕緣層。另外通過一次金屬真空沉積，可同時形成場效應

本技術可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學催化、超導、光電轉換等。 本技術可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質量優于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過程簡單，重現性好是本技術的優勢。

南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持，經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太陽 電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術推向產業化。

南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4 個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持， 經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。 于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其 組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太 陽電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條 年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生 產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術推向產業化。

本發明闡述了一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法。具體步驟為：先通過DMF、DMSO、環己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加熱方法制備出足量的CsPbBr3單晶并壓成靶材，再采用脈沖激光沉積薄膜制備技術：調整激光能量和基底溫度，通過激光脈沖數控制薄膜厚度，真空沉積制備CsPbBr3薄膜。本發明利用脈沖激光沉積技術制備CsPbBr3薄膜，可實現均勻大面積薄膜的便捷制備，易于有效控制薄膜厚度并且節約材料，有利于該材料在太陽能電池的工業化生產與應用。

本成果包含如下內容：高轉換效率的小面積碲化鎘太陽電池制造技術，面積為1200mm×600mm 的碲化鎘太陽電池組件規模化生產技術，年產30-50MW碲化鎘太陽電池生產線及關鍵設備的設計。 主要技術指標： 組件效率超過12%。 應用范圍： 用于太陽能直接發電，建立大規模光伏電站或小型戶用光伏發電系統。國家扶持光伏發電系統的建設，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太陽電池，出口不會受到限制。 項目目前已進入產業化階段，成果權屬為我校獨自擁有。

一種柔性碲化鎘薄膜太陽電池結構，本項發明所屬領域為新型 能源。為了降低碲化鎘太陽電池的成本，擴大電池的應用范圍，柔性 碲化鎘太陽電池將是未來發展方向之一。柔性碲化鎘電池面臨的難題 之一是如何解決金屬背電極與碲化鎘薄膜歐姆接觸，即尋找一種材 料，加入到金屬電極與碲化鎘薄膜之間，有利于p載流子傳輸。本發 明是采用石墨烯作為碲化鎘層與金屬電極層的過渡層，充分利用石墨 烯載流子傳輸速度高、力學性能好的特點。將結晶石墨進行化學清洗， 用帶膠的聚酰亞胺薄膜剝離石墨，使得一層石墨烯粘附于聚酰亞氨表 面。在此基礎上再濺射沉積碲化鎘，惰性氣體保護下CdCl2退火，濺 射沉積硫化鎘和ITO薄膜。制作出的柔性碲化鎘薄膜電池具有重量 輕、成本低的優點。

北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優異，能夠滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。