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50G 波特率 DFB 半導(dǎo)體激光器
項(xiàng)目背景：DFB 半導(dǎo)體激光器是光通信領(lǐng)域中最為重要 的器件之一，目前已經(jīng)有工業(yè)級溫度（-40°C-85°C）25G 波特率 DFB 大規(guī)模量產(chǎn)。但是，從 2000 年至今，DFB 激光器 的 3dB 帶寬在全世界范圍內(nèi)幾乎沒有明顯提高，傳統(tǒng)的基于 載流子和光子響應(yīng)的 DFB 激光器在傳統(tǒng)的制造工藝下已經(jīng)趨 近其速率的物理極限，需要用新的物理本質(zhì)來實(shí)現(xiàn)更高速率 的器件，從而進(jìn)一步提升 DFB 芯片的調(diào)制速率和整個(gè)光通信 應(yīng)用的傳輸速率。本項(xiàng)目研發(fā)的 50G 波特率 DFB 半導(dǎo)體激光 器將達(dá)到國際領(lǐng)先水平，填補(bǔ)國內(nèi)空白，打破國外壟斷本項(xiàng) 目的實(shí)施，應(yīng)對美國對中國高端材料和芯片的禁售風(fēng)險(xiǎn)。該 產(chǎn)品可在光通信系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，可以承擔(dān)接入網(wǎng)、數(shù)據(jù)中 心網(wǎng)絡(luò)、無線網(wǎng)絡(luò)、傳輸網(wǎng)絡(luò)等多個(gè)方面的主力傳輸工作。
所需技術(shù)需求簡要描述：本項(xiàng)目期望突破當(dāng)前 DFB 調(diào)制 速率的瓶頸，在目前大規(guī)模量產(chǎn)的 25G 波特率 DFB 的基礎(chǔ)上， 將速度翻一番，到達(dá) 50G 波特率。（1） 兩個(gè)背靠背 DFB 激 光器產(chǎn)生的光子-光子諧振效應(yīng)（PPR）研究。（2） 背靠背 DFB 激光器的高速陶瓷載體設(shè)計(jì)。（3） 50G 波特率 DFB 芯片 和高速陶瓷載體的測試
對技術(shù)提供方的要求:1．光電子器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域國際知名 專家，熟悉 50G 波特率 DFB 激光器基本設(shè)計(jì)。2．完善的 DFB 器件基礎(chǔ)知識(shí)和模擬能力。3．國內(nèi) 985 高校教授，技術(shù)方案成熟可靠穩(wěn)定有創(chuàng)新思維，不涉及知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵犯。
青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司
2021-09-13
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高溫壓電振動(dòng)能量回收器件和高溫驅(qū)動(dòng)器
傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時(shí)，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實(shí)驗(yàn)室利用高居里點(diǎn)的鈧酸鉍 - 鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于 d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動(dòng)能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在 150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時(shí)提高一倍以上。
與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動(dòng)器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能實(shí)現(xiàn)納米級驅(qū)動(dòng)的器件，壓電驅(qū)動(dòng)器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時(shí)，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動(dòng)效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。
北京大學(xué)
2021-04-13
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一種小規(guī)模無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的路由方法
一種小規(guī)模無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的路由方法，本發(fā)明屬于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)路由領(lǐng)域，解決傳統(tǒng)和聲搜索算法不能直接用于求解無線傳感器網(wǎng)絡(luò)路由的問題。本發(fā)明包括傳遞全局信息步驟、發(fā)送數(shù)據(jù)包步驟、傳遞數(shù)據(jù)包步驟和更新剩余能量信息步驟。本發(fā)明對現(xiàn)有和聲搜索算法的編碼方式及候選和聲生成方法進(jìn)行改進(jìn)，既考慮路徑能耗也考慮路徑長度，能有效平衡整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的能耗，顯著延長整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的生命周期。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種雙波段薄膜光探測器及其制備方法
本發(fā)明屬于微納制造與光電子器件領(lǐng)域，并公開了一種雙波段 薄膜光探測器，包括基底薄片、第一電極層、第一 WSe2 層、石墨烯 層、第一 MoS2 層、第二電極層、介質(zhì)層、第二 WSe2 層、第三電極 層、第二 MoS2 層和第四電極層,第一電極層設(shè)置在基底薄片上;第一 WSe2 層鋪設(shè)在基底薄片和第一電極層上;石墨烯層設(shè)置在第一 WSe2 層上;
華中科技大學(xué)
2021-04-14
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
多相位時(shí)鐘產(chǎn)生器、異構(gòu)集成芯片及高速接口電路
本發(fā)明提供了一種多相位時(shí)鐘產(chǎn)生器，該多相位時(shí)鐘產(chǎn)生器通過對輸入時(shí)鐘信號進(jìn)行處理，輸出與N個(gè)對應(yīng)于不同相位的注入電流信號，N為4的整數(shù)倍，并在交叉耦合環(huán)形振蕩器中設(shè)置交叉耦合環(huán)路，該環(huán)路基于相位順序分別與N/4個(gè)二級環(huán)形振蕩器中各輸出節(jié)點(diǎn)相耦接，二級環(huán)形振蕩器通過交叉耦合機(jī)制，實(shí)現(xiàn)了高工作頻率、高穩(wěn)定性的振蕩頻率輸出和低誤差的相位對齊，使得其能夠輸出N個(gè)等間隔相位的振蕩時(shí)鐘信號，由于二級環(huán)形振蕩器中的各輸出節(jié)點(diǎn)還基于相位順序被輸入注入電流信號，對二級環(huán)形振蕩器完成了頻率和相位的鎖定，該頻率與輸入時(shí)鐘信號的頻率相同，且相位噪聲非常低，從而，本發(fā)明可以生成低相位噪聲、高相位精度的高速多相位時(shí)鐘信號。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
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用于熒光檢測器的成像輔助調(diào)節(jié)焦距和位置系統(tǒng)
本實(shí)用新型公開了一種用于熒光檢測器的成像輔助調(diào)節(jié)焦距和位置系統(tǒng)，包括校準(zhǔn)平臺(tái)、聚焦于熒光收集物鏡、激發(fā)光源、透鏡、二向色鏡、長通濾光片、光電檢測器、攝像裝置和電腦，攝像裝置通過鐵架和光電檢測器固裝在一起，使該攝像裝置成像的中心位置和光電檢測器前方的小孔重合，所述長通濾光片位于光電檢測器上方，在長通濾光片上方設(shè)置二向色鏡，其上方設(shè)置聚焦與熒光收集物鏡，在聚焦與熒光收集物上方設(shè)置校準(zhǔn)平臺(tái)，校準(zhǔn)平臺(tái)上設(shè)置輔助光源，所述輔助光源的光線通過聚焦與熒光收集物鏡、二向色鏡、長通濾光片，將微通道的像投射在光電檢測器前的小孔所處的平面上。
成果亮點(diǎn)
技術(shù)特點(diǎn)：操作簡單，不受所用微流控芯片形狀的限制。
蘭州大學(xué)
2021-01-12
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一種可變截面活塞結(jié)構(gòu)的磁流變阻尼器
本發(fā)明涉及一種可變截面活塞結(jié)構(gòu)的磁流變阻尼器，包括內(nèi)部填充有磁流變液的外殼、設(shè)置于外殼內(nèi)的活塞、與活塞連接的活塞桿和套在外殼外的永磁體；外殼一端設(shè)有通孔，所述活塞桿一端穿過通孔伸入外殼內(nèi)與活塞連接，活塞桿帶動(dòng)活塞在外殼內(nèi)做直線運(yùn)動(dòng)；活塞包括中空殼體和設(shè)置于中空外殼內(nèi)的伸縮桿，所述中空殼體包括若干依次滑動(dòng)連接的伸縮節(jié)段，伸縮桿伸縮控制若干伸縮節(jié)段相對滑動(dòng)，調(diào)節(jié)活塞的截面尺寸，從而調(diào)節(jié)輸出的阻尼力，該阻尼器只需更改阻尼器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)就可達(dá)到調(diào)節(jié)輸出范圍的效果，不需要對整體尺寸進(jìn)行修改重構(gòu)。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
一種基于位移的分級消能節(jié)點(diǎn)阻尼器
本發(fā)明公開了一種基于位移的分級消能節(jié)點(diǎn)阻尼器，該節(jié)點(diǎn)阻尼器包括柱連接基座、梁連接基座、剪切板、耗能棒、限位構(gòu)件和摩擦片，剪切板的下部兩側(cè)分別布置有摩擦片、限位構(gòu)件和梁連接基座以構(gòu)成一階阻尼器，限位構(gòu)件嵌置在梁連接基座上且限位構(gòu)件的限位環(huán)套置摩擦片后插入剪切板的剪切板摩擦定位孔內(nèi)；剪切板的上部兩側(cè)分別布置有柱連接基座且三者之間采用至少一根耗能棒相連接以構(gòu)成二階阻尼器。本發(fā)明的節(jié)點(diǎn)阻尼器通過設(shè)置臨界位移以應(yīng)對不同水準(zhǔn)的地震作用，在小位移下啟動(dòng)一階阻尼器以抵抗多遇和設(shè)防地震作用，超過臨界位移后并聯(lián)啟動(dòng)二階阻尼器，以抵抗罕遇甚至極罕遇地震作用；與節(jié)點(diǎn)處的梁柱通過錨栓連接，安裝簡單且占用空間小。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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智能型直流斷路器電弧能量抑制系統(tǒng)及其方法
本發(fā)明涉及直流配電網(wǎng)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及智能型直流斷路器電弧能量抑制系統(tǒng)及其方法，包括高頻信號注入模塊，產(chǎn)生并注入高頻載波信號至電弧通路；電弧特征識(shí)別模塊采集電弧電壓電流信號，利用VMD?HHT算法識(shí)別電弧類型并生成特征信息；磁通擾動(dòng)觀測模塊檢測電流磁通量，計(jì)算磁通擾動(dòng)值及相位差；深度學(xué)習(xí)控制模塊接收電弧特征信息和相位差，通過深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法生成IGBT控制時(shí)序信號；多端口換流控制模塊接收該信號，控制多級IGBT并聯(lián)子模塊的開關(guān)頻率，基于PWM控制方法高效抑制電弧能量。雙啟發(fā)式算法控制模塊結(jié)合遺傳算法和粒子群算法，自適應(yīng)分配各端口驅(qū)動(dòng)電流，實(shí)現(xiàn)IGBT模塊并聯(lián)均衡。
上海理工大學(xué)
2021-01-12
一種透平機(jī)械密封進(jìn)口旋流發(fā)生器
本發(fā)明涉及一種透平機(jī)械密封進(jìn)口旋流發(fā)生器，同軸的靜子和轉(zhuǎn)子之間形成逆旋腔，導(dǎo)流柵設(shè)置在逆旋腔內(nèi)；逆旋腔沿工質(zhì)流動(dòng)方向依次分為漸擴(kuò)段和漸縮段；逆旋腔的上游設(shè)置有齒尖誘導(dǎo)槽；齒尖誘導(dǎo)槽用于將泄漏流以特定徑向偏轉(zhuǎn)角進(jìn)入逆旋腔，并與逆旋腔的漸擴(kuò)段擴(kuò)大延伸方向相匹配，該裝置通過“壓力能→軸向動(dòng)能→逆旋動(dòng)能”三級能量轉(zhuǎn)換，突破了傳統(tǒng)阻旋柵單一被動(dòng)阻擋策略的局限性，提升周向流動(dòng)的調(diào)控效果，強(qiáng)化密封流體激振抑制性能。
上海理工大學(xué)
2021-01-12