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一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制 備方法，包括由多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串構(gòu)成的存儲(chǔ)串陣列； 每個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串包括半導(dǎo)體區(qū)域以及圍繞半導(dǎo)體區(qū)域的四層包 裹結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯(lián)連接；溝道為方柱形結(jié)構(gòu)；四層包裹結(jié)構(gòu)從里到外依 次為隧穿電介質(zhì)層、電荷存儲(chǔ)層、阻隔電介質(zhì)層以及控制柵電極；阻 隔電介質(zhì)層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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2022-11-28