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本發明公開了一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏 輯操作方法，非易失性邏輯器件包括磁頭以及依次附著于襯底上的底 電極、絕緣層，相變磁性薄膜和頂電極；其中相變磁性材料由一種相 變材料基質中摻雜鐵磁性元素構成，材料的磁性能夠通過非晶態-晶態 相變來可逆調控。本發明基于材料的相變控磁特性實現“實質蘊涵” 邏輯運算以及“與”、“或”、“與非”和“或非”四種布爾邏輯運 算，其運算結果以材料的剩余磁化存儲在器件中，從而實現

一、2024年政府工作報告提出：深入實施科教興國戰略，強化高質量發展的基礎支撐 3月5日上午9時，第十四屆全國人民代表大會第二次會議開幕會在人民大會堂舉行。國務院總理李強作政府工作報告時，回顧了2023年工作，介紹了2024年政府工作任務。政府工作報告提出，深入實施科教興國戰略，強化高質量發展的基礎支撐。堅持教育強國、科技強國、人才強國建設一體統籌推進，創新鏈產業鏈資金鏈人才鏈一體部署實施，深化教育科技人才綜合改革，為現代化建設提供強大動力。 政府工作報告還提出，預計今年高校畢業生超過1170萬人，要強化促進青年就業政策舉措，優化就業創業指導服務。 點擊查看完整內容：【2024年政府工作報告提出：深入實施科教興國戰略，強化高質量發展的基礎支撐】 二、教育部部長懷進鵬：自主培養拔尖創新人才 “加快發展新質生產力，迫切需要大批拔尖創新人才。”在9日召開的十四屆全國人大二次會議民生主題記者會上，教育部部長懷進鵬坦言，拔尖創新人才是促進和提升國家核心競爭力最重要的戰略資源，是實現高水平科技自立自強的重要支撐。 “建成教育強國，建成世界重要人才中心和創新高地，需要我們在拔尖創新人才的自主培養能力上發力。”懷進鵬表示，教育部門將推動高校分類特色發展，建立分類評價機制。同時，鼓勵高校發揮其人才培養優勢，圍繞國家經濟社會急需的基礎學科人才、交叉學科人才和新興學科人才，在基礎研究、工程技術等方面加強人才培養。 點擊查看完整內容：【民生主題記者會上，教育部部長懷進鵬答問全記錄】 三、教育部部長懷進鵬：加大對高校青年科技人才支持 讓他們敢坐“冷板凳” 教育部部長懷進鵬3月9日在十四屆全國人大二次會議民生主題記者會上表示，將加大對高校青年科技人才的支持，在學術生涯起步階段就開始長周期、高強度、穩定支持，允許試錯、寬容失敗，讓青年人才敢坐“冷板凳”、敢闖“無人區”，產生重要的原創性、顛覆性成果。 懷進鵬表示，在人才培養上，要不斷地下硬功夫、笨功夫，不走捷徑、不取巧，愿意啃硬骨頭，堅持人才長期培養的目標。同時，將布局區域技術創新中心，以科技成果轉化為牽引，特別提倡“刀在石上磨，人在事上練”，在實戰中培養拔尖創新人才。 點擊查看完整內容：【民生主題記者會上，教育部部長懷進鵬答問全記錄】 四、科技部部長陰和俊：加快建立健全新型舉國體制 科技部重點推進三方面工作 3月5日，十四屆全國人大二次會議首場“部長通道”開啟，科技部部長陰和俊圍繞科技如何支撐高質量發展，怎樣支持青年人才挑大梁等話題答疑解惑。陰和俊提到，下一步，科技部將堅決貫徹落實黨中央決策部署，牢牢把握抓戰略、抓改革、抓規劃、抓服務的定位要求，加強宏觀統籌，重點加強戰略規劃統籌、政策措施統籌、重大項目統籌、科研力量統籌、資源平臺統籌、區域創新統籌等，通過抓這“六大統籌”，加快建立健全新型舉國體制。具體將重點推進三方面工作。一是加大科技攻關，進一步聚焦國家戰略需求和發展要求，深入實施重大科技項目，持續加強基礎研究，不斷夯實高質量發展的科技內核。二是加強戰略力量建設，也即隊伍建設，充分發揮國家實驗室、國家科研機構、高水平研究型大學、科技領軍企業的特色優勢，建設協同高效的戰略科技力量，打造科技強國建設的國家隊。三是繼續深化科技體制機制改革，加大改革力度，強化政策協同，擴大開放合作，匯聚更多的智慧和力量，為高質量發展不斷注入新的創新動力。 點擊查看完整內容：【科技部部長陰和俊：加快建立健全新型舉國體制 科技部重點推進三方面工作】 五、科技部部長陰和俊：鼓勵把一半以上基礎科研費用投向35歲以下的年輕人 3月5日，科學技術部部長陰和俊在十四屆全國人大二次會議首場“部長通道”答記者問時表示，要加強青年人才培養，鼓勵有條件的單位，把一半以上的基礎科研費用，投向35歲以下的年輕人。 陰和俊表示，“對青年科技人才的培養要趕早一些、寬松一點”，幫助他們盡早培養起興趣和自信。在重點實驗室的評級中，對青年人的培養也是一項重要的考核指標。 陰和俊說，要為年輕人出臺政策、做好保障。比如對于從事基礎和交叉科研的年輕人，提高穩定支持的力度，既要減少考核頻次，使他們能心無旁騖、無憂無慮、潛下心來，讓他們從采購、報銷、填表等繁雜的事務中解放出來，保證他們的科研時間。 點擊查看完整內容：【科技部部長陰和俊：大膽使用加強培養青年人才】

本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電 極單元為柱狀結構，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側壁構 成；所述連通電極的上表面用于連接柵層，下表面用于連接字線。本 發明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接柵層的電極結構。此電 極結構呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應的柵層，對疊層中非相對應 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離