硅通孔結(jié)構(gòu)及其制造方法
本發(fā)明公開了一種硅通孔結(jié)構(gòu)的制造方法,包括以下步驟:將硅片的厚度減薄至 5 微米至 20 微米;去除硅片表面的所有絕緣層;在硅片的導電區(qū)表面和絕緣區(qū)表面制作摻雜掩膜,以對導電區(qū)和絕緣區(qū)分別進行粒子摻雜,絕緣區(qū)與導電區(qū)摻雜的粒子的極性相反;在粒子摻雜完成后去除摻雜掩膜;在導電區(qū)表面覆蓋金屬電極;在硅片的表面除金屬電極之外的區(qū)域覆蓋絕緣層。本發(fā)明的方法制造工藝簡單,可避免刻蝕、絕緣處理等工藝對硅片的破壞,并能夠提高制造硅通孔結(jié)構(gòu)的成品率。本發(fā)明還公開了一種硅通孔結(jié)構(gòu)。
華中科技大學
2021-04-11