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EM系列電磁鐵大學物理磁效應激光實驗電磁鐵直流磁場發生器
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北京錦正茂科技有限公司自主研發的電磁鐵，可以通過更換電磁鐵極頭在一定范圍內改善磁場的大小和磁場的均勻度 ，并且可以通過調整極頭間距改變磁場的大小，該種類型的電磁鐵能夠很好的與客戶設計的磁場平臺兼容。主要用于磁滯現象研究、磁化系數測量、霍爾效應研究、磁光實驗、磁場退火、核磁共振、電子順磁共振、生物學研究、磁性測量、磁性材料取向、磁性產品磁化等研究。
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作為北京高科技企業，錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子*（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。
錦正茂始終秉承“誠信、合作、創造、共贏”的經營理念，將現代化管理技術引入到產品生產與管理中，通過新的軍民融合平臺建設，形成具有一定市場競爭優勢的高科技企業；其次，公司逐步形成以現代化高科技產業化帶動企業價值增張的商業模式，堅持“與時俱進，科技創新”的思路，彰顯業務的核心優勢，共創新的戰略制高點。
北京錦正茂科技有限公司
2022-05-11
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
DT640硅二極管溫度計溫度傳感器低溫測量儀器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-21
DT640硅二極管溫度計溫度傳感器低溫測量儀器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-04-11
關于國家重點研發計劃“儲能與智能電網技術”重點專項2023年度指南項目正式申報書（含預算申報）填報的通知
根據國家重點研發計劃重點專項管理工作的總體部署，工業和信息化部產業發展促進中心已完成“儲能與智能電網技術”重點專項2023年度指南項目預申報受理、形式審查和預評審工作，形審結果和預評審結果已通過國家科技管理信息系統進行反饋?，F依規則確定進入正式申報環節的申報項目，請收到我中心正式申報通知的項目，按要求填報項目正式申報書（含預算申報）。
科學技術部
2023-08-22
消化道腫瘤內鏡下智能早診早篩體系建立及應用（內鏡精靈——內鏡醫生的第三只眼）
本項目結合計算機視覺、自然語言處理、內鏡影像學、早期腫瘤診療學技術，創建消化道腫瘤內鏡下智能早診早篩體系，大幅提高內鏡檢查質量和消化道腫瘤早診早篩水平。
一、項目分類
顯著效益成果轉化
二、成果簡介
消化道腫瘤是嚴重威脅全球人群健康的重大疾病。早診早治是改善患者生存率的重要策略，然而，項目組多年流行病學研究揭示，我國消化道早期腫瘤檢出率低、漏診誤診率高，檢查質量參差不齊，嚴重危害患者生命。
基于此，本項目結合計算機視覺、自然語言處理、內鏡影像學、早期腫瘤診療學技術，創建消化道腫瘤內鏡下智能早診早篩體系，大幅提高內鏡檢查質量和消化道腫瘤早診早篩水平。具體為：1）首創消化內鏡全局智能監測與無盲區掃查技術，開辟內鏡質控新路徑。使胃鏡檢查盲區率降低45%、腸鏡檢查合格率提高1.78倍、腺瘤檢出率提高1.12倍，確立我國在該領域的領先地位；2）發明“邏輯擬人化”消化道高危病灶動態探查方法，使胃瘤變漏診率降低78%，推動智能內鏡臨床應用；3）創建實時監測與智能反饋內鏡檢查質量方法，使醫生胃癌前狀態檢出率提高1.33倍，腸腺瘤檢出率提高0.88倍，顯著提高消化內鏡檢查質量；4）研制消化內鏡人工智能輔助診斷主機，實現實時動態多模態預測，系統延遲小于 48ms，全面滿足臨床需求。
在消化內鏡人工智能領域發表論文影響因子排名世界第一，引領研究方向，共發表相關研究論文52篇，其中中華系列論文25篇，SCI論文27篇，影響因子9分及以上21篇，單篇最高45分。制定專家共識及行業指南3項、國家專業醫療質量控制指標18項。該項目獲批國家發明專利34項，成功轉化發明專利14項，所孵化產品獲國家醫療器械創新審批，獲中國、歐盟II類注冊認證共7項。在中德500余家三甲及基層醫院落地應用，覆蓋近2000萬人；技術相關應用直接經濟效益達5億元，社會經濟效益顯著。
獲2021年湖北省技術發明一等獎、2021年歐洲消化疾病周國家學術獎、2020年中國十佳消化道領域臨床研究獎等。樊代明院士和李兆申院士評價該成果極大推動我國消化道早癌防治事業的發展。
武漢大學
2022-08-15
關于發布可解釋、可通用的下一代人工智能方法重大研究計劃2024年度項目指南的通告
該重大研究計劃面向以深度學習為代表的人工智能方法魯棒性差、可解釋性差、對數據的依賴性強等基礎科學問題，挖掘機器學習的基本原理，發展可解釋、可通用的下一代人工智能方法，并推動人工智能方法在科學領域的創新應用。
國家自然科學基金委
2024-03-15
關于組織開展2023年山西省省級科技企業孵化器申報和績效評價工作的通知
為貫徹落實黨的二十大精神，加快實施創新驅動發展戰略，加快實現高水平科技自立自強，促進創業孵化機構體系化、專業化建設，推動科技創新創業高質量發展，形成示范帶動效應，現開展2023年山西省省級科技企業孵化器認定工作，有關事項通知如下
山西省科技廳國際與區域科技合作處
2023-07-20
用于同時檢測CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發明涉及用于同時檢測Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過激光脈沖沉積技術在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術把三個敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發明可在江河湖泊,生物醫學領域(如血液,體液),工業廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領域中對Cu2+,Pb2+,Cd2+同時進行定性和定量檢測.
東北電力大學
2021-04-30
一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結構不同的光子晶體疊加構成，其結構為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實現600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉換效率。制備工藝簡單。
河北師范大學
2021-05-03