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產品詳細介紹
1 路 1080P/60Hz 高清 (DVI,VGA,SDI,HDMI,YPbPro，S-Video，CVBS) 信號,1 路 LPCM 音頻信號,1 路模擬音頻信號,1 路 SDI 內嵌音頻。
北京它山石眾播傳媒科技有限公司
2021-08-23
太陽能頻振式殺蟲燈
產品詳細介紹技術參數：一、殺蟲燈1、頻振誘控技術；2、撞擊面積：≥0.15㎡；3. 誘集光源：頻振燈管(波長320～680nm)，單燈管。4、防塵防水等級等于或大于IP66以上；5、使用壽命＞50000（小時），工作溫度-30℃~50℃；6、電網采用耐弧鍍膜材料，網線直徑0.6mm，電擊高壓觸蟲網瞬間高壓2000v—3000v不銹鋼網絲。觸殺蟲橫網螺旋繞制，防治因蟲體殘余電網短路，網間距可根據不同靶標害蟲進行選擇（一般≤10mm）；7、絕緣柱：瞬間耐高溫1000攝氏度，耐腐蝕、耐高壓性能，雨天高壓電網連續拉弧30min,絕緣柱無炭化現象；二、控制器1、具備定時、光控相結合的功能24V/12V自動識別系統，自耗電＜10毫安（空載），消除頻閃現象；2、光源功率采用限流降功率控制，具有防反接、防反充、防過充、防過放、防短路、防雷擊、及溫度補差保護功能，防塵防水等級等于或大于IP66以上；3、12V/24V自動識別10A控制器，光控+時控+分時段控制；三、太陽能電池組件 1、40W太陽能電池組件；2、絕緣性能≥100Ω；3、抗風能力60m/s；四、太陽能專用蓄電池1、12V 24AH太陽能專用蓄電池， 2、總容量≥24AH。3、工作溫度-30℃～55℃，五、燈桿 1、高度≥2.8米2、桿體穿線孔直徑不超過5cm，法蘭與燈桿連接處有加強筋，六、整體1、溫度范圍-40℃～55℃ 2、控制面積：50～60畝3、燈管啟輝時間：≤5s
上海點將精密儀器有限公司
2021-08-23
朗能LED格柵系列護眼燈
燈具采用整體式鋁合金結構設計，造型簡潔、易于安裝；?燈罩采用優質pc擴散材料,有效減少嫁光；?釆用優質高效的隔離恒流驅動，高p無頻閃；?密封式設計、防塵、防蚊蟲；技術性能指標符合國家強制認證標準；
廣東朗能電器有限公司
2021-08-23
低成本制備高效硅薄膜太陽電池關鍵技術研發
南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持，經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太陽 電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術推向產業化。
南開大學
2021-02-01
低成本制備高效硅薄膜太陽電池關鍵技術研發
南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4 個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持， 經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。 于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其 組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太 陽電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條 年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生 產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術推向產業化。
南開大學
2021-04-11
基于硅基外腔芯片的窄線寬連續調頻激光器
1. 痛點問題
激光雷達在自動駕駛等領域有重要應用?；谡{頻連續波技術的激光雷達（FMCW Lidar）有著探測距離遠、抗干擾和同時測速等優勢，被認為是最具應用潛力的激光雷達。激光光源是FMCW激光雷達的核心器件之一，FMCW光源的調頻非線性會嚴重影響激光雷達的分辨率，導致有效工作距離縮短，阻礙激光雷達性能的提升。
2. 解決方案
本成果預期解決目前調頻連續波激光雷達（FMCW Lidar）中光源調頻非線性的問題。本成果提出一種基于硅基外腔芯片的窄線寬激光器，通過無源硅基外腔芯片反射波長中心頻率和反射相位的聯合調諧，可以實現高線性的激光輸出頻率調諧，其原理架構與和實驗驗證結果如圖1所示。從而突破了傳統FMCW光源直接通過電流調制進行調頻導致的非線性限制，直接產生高線性連續調頻光信號。
合作需求
1、需要融資1800~2000萬元，完成研發實驗室及一期生產線的建設，以及前期工程樣品的開發；
2、需要800平米左右萬級超凈廠房及配套辦公面積，希望有興趣的地區或者園區能夠提供優惠的政策與支持；
3、歡迎FMCW激光雷達廠家及其它對FMCW光源有需求的客戶合作，聯合測試、共同開發；
4、歡迎在硅光設計、光有源、無源耦合及自動化生產等方面的技術、管理專家加盟，共同打造激光雷達的中國光芯，共創美好未來。
清華大學
2022-03-28
專用乳化劑定制和有機硅系列高效乳化劑
有機硅產品包括各類硅油（二甲基硅油、含氫硅油、烷基硅油、芳基硅油、羥基硅油）、有機硅107膠、硅樹脂等往往以乳液形式廣泛用于紡織、染整、機械加工、橡膠和塑料加工、建材等諸多領域。本技術從乳化劑的結構和被乳化物結構的匹配關系入手，并結合乳化工藝規程的科學制定，開發了針對各類硅油的系列高效乳化劑，特別對一些難以乳化的高粘度硅油、高粘度107膠、氟硅油等都有特別的乳化劑配方。也可為企業針對難以乳化的油相，或對乳液耐溫、耐電介質等的特殊要求定制開發專用乳化劑。
南京工業大學
2021-01-12
一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學
2021-04-11
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管?；诰A級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11
一種超硬非晶碳薄膜的制備裝置和工藝
項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。
西安交通大學
2021-04-11