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本發(fā)明公開了一種加工硅通孔互連結(jié)構(gòu)的工藝方法，步驟為：①在基板上刻蝕盲孔；②在基板上沉積一層圖案化介電質(zhì)層；③刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁的介電材料，在基板上形成介電質(zhì)孔；④在介電質(zhì)孔上沉積一層導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電孔；⑤在導(dǎo)電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層，填充導(dǎo)電孔；⑥刻蝕板背面，暴露出導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上形成焊料微凸點。圖案化介電質(zhì)層的材料優(yōu)選聚對二甲苯。本發(fā)明簡化了工藝步驟，減少工藝時間并降低了費用；使用二層圖案化介電質(zhì)層，降低了寄生電容，提升了互連電性能，適用于高速和

本發(fā)明公開了一種鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)可控制備方法及產(chǎn)品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過電子束光刻技術(shù)在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結(jié) 構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環(huán)境下進行氧化和退火，使得氧氣優(yōu)先與硅反應(yīng)形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮氫混合氣氛下

本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的偏振檢測系統(tǒng)及方法，所述 偏振檢測系統(tǒng)包括檢偏器、光探測器、硅基液晶驅(qū)動模塊、控制單元 和用于相位調(diào)制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅(qū)動模塊的驅(qū)動下 對待測光進行相位調(diào)節(jié)，獲取一系列偏振光，通過對這一系列偏振光 的分析獲取待測光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發(fā)明的系統(tǒng)在精確可編程控制下，進行偏振態(tài)檢測與控制， 不受類似于波片的波長敏感性制約；且本發(fā)明采用硅基液晶進

航空航天器、飛機、導(dǎo)彈、火箭、超低溫冷凍機、極寒冷地區(qū)工程機械和高速列車等設(shè)備，在極低溫度條件下運行時，對密封材料要求很高，一旦出現(xiàn)密封效果不佳或不可靠情況，會出現(xiàn)嚴(yán)重后果，極端情況會造成機毀人亡等重特大事故，形成嚴(yán)重的財產(chǎn)和人員損失。密封材料大多采用有機高分子材料，在低溫條件下，密封材料中分子熱運動減少，分子鏈段會變得僵硬甚至凍住，使之失去彈性，導(dǎo)致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應(yīng)用于上述設(shè)備和地域時，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設(shè)備的穩(wěn)定運行。這就要求密封材料必須具備

本發(fā)明公開了一種微型皮拉尼計的制備方法及其與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體硅器件集成封裝工藝難度大，風(fēng)險高，成本高且產(chǎn)量低的技術(shù)問題。

本發(fā)明公開了一種能充分利用液化天然氣冷能的蓄冷冷庫系統(tǒng)，它包括液化天然氣氣化系統(tǒng)、乙二醇循環(huán)系統(tǒng)和冷水循環(huán)系統(tǒng)，它還包括蓄冷系統(tǒng)和制冷系統(tǒng)，其中，(1)液化天然氣氣化系統(tǒng)包括液化天然氣—乙二醇換熱器；(2)乙二醇循環(huán)系統(tǒng)包括兩個串聯(lián)回路；(3)冷水循環(huán)系統(tǒng)包括水循環(huán)管路；(4)蓄冷系統(tǒng)包括蓄冷循環(huán)管路；(5)制冷系統(tǒng)包括經(jīng)冷凝器的出口依次與壓差調(diào)節(jié)閥、循環(huán)水泵、止回閥、蒸發(fā)器、板式換熱器以及冷凝器的進口相連的制冷循環(huán)管路。本發(fā)明的優(yōu)點：該系統(tǒng)在不影響液化天然氣氣化的前提下，起到液化天然氣冷量削峰填谷的功能，有效改善制冷循環(huán)的能效比，充分保證了制冷性能穩(wěn)定。

在 Nature，Science，Physical Review Letters，Advanced Materials 等學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文 200 余篇，申請中國發(fā)明專利 65 件，授權(quán)發(fā)明專利 22 件。2010 年相關(guān)塊體非晶復(fù)合材料韌化的工作被 Nature-Asia Materials 做專題評述，多項其它工作還被 Science，Materials Today，Nature 等學(xué)術(shù)雜志做專題評述以及其它世界各國媒體報道。在新一代超高強鋼和先進耐熱鋼研究上取得了國際水平的研究成果，其中關(guān)于超高強鋼的成果被國際權(quán)威給予很高的評價，同時被科技部評為“2017 年度中國科學(xué)十大進展”并在央視新聞聯(lián)播報道。 超高強鋼； 先進高熵合金； 塊體非晶合金； 非晶納米晶軟磁合金； 非晶態(tài)耐磨耐蝕合金； 非晶與高熵合金釬焊材料； 高熵合金生物材料； 高強耐蝕鎂合金。

輕量化和綠色制造是實現(xiàn)航空航天和交通運輸?shù)阮I(lǐng)域節(jié)能減排的重要手段，鋁合金是其輕量化首選，但傳統(tǒng)鋁合金服役性能不能滿足高端制造業(yè)發(fā)展的要求，制造過程也存在高污染、高能耗、質(zhì)量不穩(wěn)定等問題。以新思路、新原理、新材料、新工藝克服關(guān)鍵共性難題，突破鋁合金力學(xué)性能瓶頸、取代落后工藝是必然選擇。 本項目以多相熔體原子團簇演變調(diào)控為突破口，發(fā)明系列納米晶種材料，提出納米晶種技術(shù)，已成為大幅提升鋁合金的綜合性能和加工工藝性能的創(chuàng)新手段。 傳統(tǒng)鑄造鋁硅合金生產(chǎn)中通常添加磷鹽、赤磷或磷銅合金調(diào)控共晶及過共晶Al-Si合金中的初晶硅相的尺寸、形貌及分布，但存在磷量不可控、變質(zhì)效果及產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定、P2O5污染嚴(yán)重的問題。生產(chǎn)中通常采用傳統(tǒng)Al-Ti-B及Al-Ti-C細(xì)化劑鋁合金基體的α-Al枝晶，但是因Si“中毒”及Zr “中毒”，對含Si或含Zr鋁合金幾乎失去細(xì)晶強化作用?；谝陨想y題，山東大學(xué)發(fā)明了用于調(diào)控初晶硅相的Al-P系納米晶種材料及用于鋁合金晶粒細(xì)化的強效AlTiC-B系納米晶種材料。 Al-P系納米晶種：①節(jié)能減排：與傳統(tǒng)工藝相比，避免了P2O5有毒氣體排放，簡化工序，節(jié)能降耗。②產(chǎn)品質(zhì)量提升：實現(xiàn)了初晶硅尺度及構(gòu)型高效調(diào)控，鋁活塞鑄件抗拉強度提升0%，體積穩(wěn)定性和可靠性顯著提高。③高純化：可將鋁熔體中Ca、Na、Sr含量分別由22 ppm、14ppm、14 ppm降低至1 ppm以下。 AlTiC-B系納米晶種：①解決了Si、Zr細(xì)化“中毒”等難題，有效調(diào)控基體相。②提升了Al-Cu系鋁熔體的流動性，解決了熱裂、澆不足等行業(yè)難題。③提升了鑄件性能：與傳統(tǒng)Al-Ti-B相比，使A356合金屈服強度提高15%，延伸率提高37%；使2024合金抗拉強度由398MPa提升至550MPa，延伸率由9.8%提升至15.5%。 獲獎情況:2016年度山東省技術(shù)發(fā)明一等獎，納米晶種合金系列產(chǎn)品與耐熱高強輕金屬材料的創(chuàng)制及應(yīng)用2009年度山東省技術(shù)發(fā)明二等獎，硅-磷和鋁-磷合金研制與發(fā)動機活塞材料強化新技術(shù)2005年度山東省科技進步二等獎，富磷富碳中間合金的研究與應(yīng)用2004年度教育部技術(shù)發(fā)明二等獎，高效Al-P中間合金及其變質(zhì)處理