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本成果首次成功合成了有機磷多面體低聚硅倍半氧烷(P-POSS)阻燃劑。P-POSS以硅、磷為主要阻燃元素，以籠型無機Si-O結構為內核、含磷有機基團為外殼的獨特結構，具有常溫下為固體、聚合物材料加工溫度下出現玻璃化轉變的良好加工性能，同時具有熱穩定性高和與聚合物相容性好的特點，指向一類新型高效阻燃劑分子的未來特征。前期研究結果表明，P-POSS在環氧樹脂和聚碳酸酯中均表現出優異的阻燃性能，同時，使聚合物材料保持良好的綜合性能，具有廣闊的市場應用前景。 在阻燃環氧樹脂應用中，低含量的P-POSS（硅、磷元素含量為0.1——0.5wt%）即可使阻燃環氧樹脂的氧指數達到30%以上，獲得UL-94 V0級別。而且P-POSS 阻燃的環氧樹脂表現出獨特的“吹熄”現象，即樣條點燃后，點燃端明顯有氣流從炭層燃燒點噴射而出，將火焰吹離聚合物表面并迅速熄滅，正是這種“吹熄”現象實現P-POSS的高效阻燃環氧樹脂。P-POSS不但能夠提高環氧樹脂阻燃性能和熱穩定性，還能保持環氧樹脂本身的透明性、機械性能和電性能。 在阻燃聚碳酸酯應用中，P-POSS不但能夠保持POSS結構熱穩定性高的特點，而且還可以有效回避原料磷系阻燃劑的增塑作用。常溫下這種P-POSS的固體狀態使其更容易儲存和添加，而它們在PC加工溫度范圍內存在的玻璃化轉變現象更是使其分散狀態較一般固體阻燃劑有著顯著的改善，甚至達到納米級分散。P-POSS在2wt%的添加量下就可以使聚碳酸酯達到UL-94 V0級別，同時熱變形溫度保持在140℃。

本發明的硅基微機械懸臂梁耦合直接加熱在線式毫米波相位檢測器，實現結構包括懸臂梁耦合結構、功率合成／分配器和直接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結構左右對稱，兩個懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，結構相同，用于耦合部分待測信號，通過錨區與功率合成器相連，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學短路。參考信號通過功率分配器分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到直接加熱式微波功率傳感器進行功

本發明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結間接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，其上有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線傳輸線、兩個終端電阻以及熱電堆所構成，熱

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。       DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。    您也可以直接登錄淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯系更加方便！ 特點： ※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；  ※ 符合標準曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯系更加方便！ 參數： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標準曲線：DT640 ※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%； ※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達：75V； ※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。 ???????

伴隨著能源危機的挑戰和生物技術的發展，采用生物轉化技術轉化低變質煤不僅可以實現煤的高附加值高效利用，而且能夠有效緩解石油資源短缺的局面，具有十分重要的科學研究意義和經濟價值。由于不同煤種生物溶解產物是不同的，對同一煤種使用的菌株不同，其溶煤產物也不同。本方法首次采用粗壯串珠霉、黃綠青霉和黃桿菌進行溶煤，并通過選擇合適的轉化條件定向轉化低變質煤。該方法包括以下步驟：（ 1 ）光氧化煤粉的制備；（ 2 ）光氧化煤粉的堿抽提；（ 3 ）光氧化煤粉及堿抽提后光氧化煤粉的微生物轉化。通過控制煤粉的光氧化時間、接種量、轉化條件以及光氧化煤粉的用量可以有效提高低變質煤基再生腐殖酸的產量，不僅可以實現煤炭綠色轉化、高附加值利用及提高資源有效利用率；同時提高低變質煤再生腐殖酸的產率，從而制得精細化學品，實現煤的溫和條件下轉化和非燃燒利用，提高資源有效利用率，極具推廣應用價值。

面結構光三維測量技術是近幾年飛速發展的光學三維測量技術，是基于條紋投影的物體三維面形重建技術。它利用物體面形對標準正弦條紋圖的相位調制并對圖像進行相位解調實現物體三維檢測。該系統包括高質量面結構光投影模塊、低失真圖像采集模塊及快速的數據處理算法。該測量系統中，標定準確的相位與空間三維坐標的關系是該三維測量技術至關重要的步驟。由于面結構光三維測量技術具有速度快、非接觸、精度高等優點逐步受到人們的重視，它被認為是目前最有前途、最有發展潛力的三維測量技術。 一、主要功能和應用領域 該面結構光三維測量系統結合特定的標定技術，確定各個系統參數，建立相位與空間三維坐標的數學關系，改善系統的精確度及靈和性。該測量系統適用于工業制造、產品檢測、模具設計、逆向工程、生物醫學、文物保護、機器視覺等領域，具有廣闊的應用前景。 二、特色及先進性 1、系統結構任意擺放 該任意擺放面結構光三維測量系統的組成部件在空間位置相對任意，易于在實地測量中使用。它在幾何結構、光路等方面沒有嚴格的平行性、垂直性要求，僅需要圖像采集系統的視場被投影系統的視場所覆蓋。 2、標定技術經濟實惠且使用靈活 系統標定的過程中，僅需一種打印的棋盤格作為標定板，相比于制作困難且成本高昂3D標準件，該技術成本低，具有極高的實用性。同時，標定板的位置可以隨機、任意放于測量視場中的任何一個空間位置，相比于現行的標定技術，具有極大的靈活性。 3、高分辨率 基于任意擺放面結構光三維測量系統，避免現行測量方法中因系統設置不準而造成的測量誤差；考慮鏡頭引起的畸變現象，對每個像素點標定，降低畸變對測量結果的不良影響；采用最小二乘擬合算法，對多組數據擬合，保證相位與空間三維坐標關系的準確性。 4、測量系統技術指標 物體面形三維測量對測量儀器的分辨率、穩定性有較高要求，且部分算法復雜，所設計的系統采用聯機方式。系統主要技術指標：測量范圍：200mm×300mm×200mm，且連續可調；橫向分辨率：可達0.06mm(主要受相機分辨率的限制，本系統采用AVT-GT1660C相機)；縱向分辨率：可達0.02mm 四、能為產業解決的關鍵問題和實施后可取得的效果 1、基于任意擺放面結構光三維測量系統，解決傳統系統設置難度大、對測量環境穩定要求高的困難。 2、標定技術可適用于任何面結構光三維測量系統，解決了現行標定技術使用范圍較窄的問題。 3、該測量系統和標定技術具有高分辨率且經濟實用，極大提高面結構光三維測量技術測量精度，拓展了面結構光三維測量技術的應用領域。

三維顯示技術是信息顯示追求的終極目標，本項目實現的三維光場顯示技術是下一代顯示屏的主流技術，可應用于三維手機屏，三維電視屏，三維廣告屏等多個細分市場領域。本項目三維光場顯示技術的主要特點是解決了當前三維顯示存在的視差串擾問題，在屏幕前方180度范圍內，可在任意位置觀看到無串擾和無視差跳變的三維圖像。本技術同時解決了當前立體顯示長期觀看存在視覺疲勞的問題。適用于游戲、廣告、電影等多種應用。本項目同時開發了實時的三維場景采集和交互技術，可以實現三維場景的實時三維顯示，以及手勢、體感等人機交互，可以實現虛實融合顯示，結合交互可以實現三維增強現實顯示。

該面結構光三維測量系統結合特定的標定技術，確定各個系統參數，建立相位與空間三維坐標的數學關系，改善系統的精確度及靈和性。該測量系統適用于工業制造、產品檢測、模具設計、逆向工程、生物醫學、文物保護、機器視覺等領域，具有廣闊的應用前景。

本發明公開了光空間調制通信系統中ＬＥＤ個數任意時的比特映射方法。一般情況下，光通信中的空間調制都限定發送端ＬＥＤ的個數是２的冪次方。然而，實際部署的ＬＥＤ個數不一定正好是２的冪次方。針對這一問題，本發明提出了光空間調制系統中發送端ＬＥＤ個數任意的比特映射方法。所述方法主要包括三個步驟：空間域的比特映射、信號域的比特映射、加入信道信息之后的比特映射。經過以上三個步驟便能得出相應場景下性能較好的空間調制映射方式，從而實現了發送端個數任意的可見光空間調制的信息傳輸。

本實用新型公開了一種用于任意位置多點光聚焦及光斑優化的系統。擴束模塊布置在激光器出射端的前方，激光器發射出光束經擴束模塊平行擴束后入射到空間光調制器，空間光調制器出射端的前方依次置有聚焦透鏡，聚焦透鏡前方設有散射介質，散射介質位于聚焦透鏡的焦平面上；激光器發射出光束依次經第一光束準直擴束模塊透鏡Ⅰ、第一光束準直擴束模塊透鏡Ⅱ平行擴束后入射到空間光調制器，空間光調制器反射光經聚焦透鏡聚焦到散射介質內部的焦平面上。本實用新型突破了現有光遺傳學光刺激與顯微成像方案只能對單一區域進行刺激的局限，使得在大腦內部更大深度下同時進行多區域光刺激和顯微成像。