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本發(fā)明涉及自蔓延反應(yīng)與無(wú)人機(jī)焊接和切割技術(shù)，具體地說(shuō)是涉及一種基于自蔓延反應(yīng)的無(wú)人機(jī)焊 接和切割方法。整個(gè)焊接/切割過(guò)程利用自蔓延化學(xué)反應(yīng)放熱，完全(或部分)不需要外熱源。焊接中通 過(guò)快速自動(dòng)波燃燒的自維持反應(yīng)得到所需成份和結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物。利用無(wú)人機(jī)搭載自蔓延設(shè)備，可快速到達(dá) 危險(xiǎn)或人工難以到達(dá)的區(qū)域。通過(guò)攜帶不同種類的自蔓延粉末，可實(shí)現(xiàn)不同材質(zhì)的焊接/切割。將自蔓延 反應(yīng)焊接/切割與無(wú)人機(jī)相結(jié)合，提

01. 成果簡(jiǎn)介 本項(xiàng)成果提供了一種多肽的合成方法，利用了自聚集短肽誘導(dǎo)目標(biāo)多肽的聚集，使得生物合成的多肽以沉淀形式保護(hù)下來(lái)，從而避免降解；然后通過(guò)體外切割，獲得目標(biāo)多肽，優(yōu)化了多肽合成和分離的工藝，操作簡(jiǎn)便且不受多肽的長(zhǎng)度限制，有望為多肽藥物的高效制備提供一種解決方案。 具體的，在目標(biāo)多肽的N端或C端融合一段自聚集短肽，這兩者之間采用一個(gè)連接肽將兩者融合。這個(gè)連接肽可以是化學(xué)切割、酶切割的識(shí)別序列或自切割肽（內(nèi)含肽）。通過(guò)分子克隆，將這三段肽（目標(biāo)肽、連接肽、自聚集短肽）克隆并轉(zhuǎn)化至表達(dá)菌株（如大腸桿菌BL21（DE3））中進(jìn)行表達(dá)。隨后通過(guò)離心或過(guò)濾收獲菌體，利用高壓、超聲波等技術(shù)進(jìn)行細(xì)胞破碎；再通過(guò)離心或過(guò)濾收集不可溶部分（聚集體）；在簡(jiǎn)單洗滌后，根據(jù)所選的連接肽的屬性進(jìn)行切割，如化學(xué)切割，蛋白酶切割或誘導(dǎo)自切割；再通過(guò)離心或過(guò)濾去除不可溶部分，收集上清即可得到粗純多肽產(chǎn)品。如下圖所示： 02. 應(yīng)用前景 基于本項(xiàng)技術(shù)可以合成糖尿病仿制藥利拉魯肽、矮小癥仿制藥生長(zhǎng)激素（hGH）等。03. 知識(shí)產(chǎn)權(quán) 相關(guān)成果已授權(quán)3項(xiàng)中國(guó)發(fā)明專利及1項(xiàng)美國(guó)專利。04. 團(tuán)隊(duì)介紹 團(tuán)隊(duì)主要研究領(lǐng)域?yàn)楹铣缮飳W(xué)和生物制藥（包括他汀類化學(xué)藥物和多肽藥物），負(fù)責(zé)人林章凜博士為教授、博士生導(dǎo)師，教育部長(zhǎng)江學(xué)者，廣東省“珠江人才計(jì)劃”科技領(lǐng)軍人才。先后承擔(dān)973、863、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)基金等科研項(xiàng)目，發(fā)表SCI論文50余篇，申請(qǐng)專利20余項(xiàng)。05. 合作方式 商務(wù)合作。06. 聯(lián)系方式 lijiaoli2016@tsinghua.edu.cn biyangxf@scut.edu.cn

數(shù)控等離子切割機(jī)行業(yè)屬于高端裝備制造產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，實(shí)現(xiàn)其完全國(guó)產(chǎn)化有助于我國(guó)由制造大國(guó)到制造強(qiáng)國(guó)轉(zhuǎn)型，具有重要戰(zhàn)略意義。等離子切割機(jī)包括機(jī)械和電控兩大部分，后者又包括等離子電源、數(shù)字控制系統(tǒng)CNC以及其他六大重要配件。 本項(xiàng)目創(chuàng)新技術(shù)如下：（1）部分?jǐn)夭ǖ娜郟WM整流器技術(shù)和軟上電技術(shù)；（2）兩級(jí)交錯(cuò)并聯(lián)模塊化BUCK型DC-DC變換器；（3）高壓低頻引弧裝置、高靈敏弧壓調(diào)高器以及自動(dòng)氣控箱等；（4）ECAN總線實(shí)時(shí)信息傳輸技術(shù)；（5）智能自動(dòng)套料軟件。 本項(xiàng)目技術(shù)水平如下：（1）等離子切割電源支持直流260A，電流控制誤差≤2%，電流紋波系數(shù)≤5%。（2）數(shù)控系統(tǒng)CNC控制軸數(shù)：2－4軸聯(lián)動(dòng)；控制精度：±0.001mm；坐標(biāo)范圍：±99m；（3）工件切割質(zhì)量的5大指標(biāo)達(dá)到國(guó)外同類產(chǎn)品的性能，如切口棱邊垂直度接近1.5度-2.5度）。支持全時(shí)、自動(dòng)、高效的平面切割和坡口切割，支持自動(dòng)套料。 本項(xiàng)目實(shí)施過(guò)程中，與上海方菱計(jì)算機(jī)軟件有限公司密切合作，2013年12月獲得上海產(chǎn)學(xué)研合作優(yōu)秀項(xiàng)目獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)（中小微企業(yè)），2015年11月獲得第17屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)創(chuàng)新獎(jiǎng)。

安全無(wú)污染 全封閉式設(shè)計(jì)；觀察窗口采用歐洲CE標(biāo)準(zhǔn)防護(hù)玻璃；切割產(chǎn)生煙塵內(nèi)部過(guò)濾處理，達(dá)標(biāo)排放，無(wú)污染； PAD設(shè)計(jì)顯示屏 采用高清鋼化玻璃使屏幕更加精致細(xì)膩，操作更順暢。反應(yīng)速度快，對(duì)比度高，視角廣，功耗低，分辨率高，具有更高亮度，更低的反射率，鋼化玻璃面板堅(jiān)固耐用。

SD-YAG0505窄幅面十字滑臺(tái)式Y(jié)AG激光切割機(jī)由機(jī)體、激光器、電源、冷卻系統(tǒng)、控制系統(tǒng)組成，具有結(jié)構(gòu)緊湊、光路穩(wěn)定、操作方便、性能可靠等特點(diǎn)。 YAG激光器采用氙燈作為激勵(lì)源，輸出高能量密度的激光束聚焦在工件表面上，使被光斑照射的工件區(qū)域局部瞬間熔化和氣化，通過(guò)控制機(jī)械系統(tǒng)移動(dòng)光斑實(shí)現(xiàn)可靠的自動(dòng)切割。 該設(shè)備集激光技術(shù)、數(shù)控技術(shù)、精密機(jī)械技術(shù)于一體，專為8mm以下薄金屬切割設(shè)計(jì)，是切割不銹鋼板、碳鋼板、鐵板、鋁板材和管材的首選。廣泛應(yīng)用于鈑金、五金制品、鋼結(jié)構(gòu)、精密機(jī)械、汽車配件、銘牌、廣告、工藝品、電子、玩具、包裝等行業(yè)。

菊花晶和金銀花晶具有清熱去火的功效，目前市售的菊花晶和金銀花晶主要 以粉末狀的形態(tài)存在，外觀形狀較差，且溶解時(shí)所需的時(shí)間較長(zhǎng)。本項(xiàng)目開發(fā)的 菊花晶和金銀花晶顆粒較大，溶解性較好。 溶解時(shí)間：熱水中 3 s 以內(nèi)全部溶解，不使用食品添加劑。 效益分析： 菊花和金銀花中的有效成分具有清熱去火等諸多功效，將其從菊花和金銀花 中提取出來(lái)制備成菊花晶和金銀花晶可以提高食用的方便。此外，將菊花晶和金 銀花晶與奶粉同時(shí)食用，可以有效降低嬰兒食用奶粉時(shí)引起的上火等問(wèn)題。因此， 開發(fā)具有良好外觀形態(tài)和溶解性的菊花晶和金銀花晶具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

簡(jiǎn)介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:Cr2N層與WC層交替分布實(shí)現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強(qiáng)的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時(shí)非晶WC層進(jìn)一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的

本項(xiàng)目開發(fā)了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術(shù)。它采用天然礦物和工業(yè)廢渣來(lái)取代高溫?zé)Y(jié)法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問(wèn)題，同時(shí)具有生產(chǎn)周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優(yōu)點(diǎn)。開發(fā)的原位受控晶化技術(shù)不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級(jí)，而且還可對(duì)晶相數(shù)量和結(jié)晶形狀進(jìn)行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。

電路是以晶圓為載體，采用一定的工藝，把電路中的元器件和布線制作在晶圓片上，封裝為 一個(gè)整體，使晶圓上每個(gè)晶粒成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。晶圓切割的過(guò)程是將集成有 電路的整片晶圓通過(guò)劃切分割成單個(gè)的晶粒，切割過(guò)程又是一種無(wú)法恢復(fù)的過(guò)程，因此，材料 和制造成本的積累以及工藝的不可重復(fù)性決定了切割工藝成為整個(gè)集成電路制造過(guò)程中最關(guān)鍵 和難度最大的工藝環(huán)節(jié)。 精密機(jī)械：可加工的晶圓最小直徑可達(dá)50mm，在晶圓里面印刷有晶格，每個(gè)晶格的寬度 為200μm，晶格間距約為20μm，所以設(shè)備的切割精度要求控制在2μm以內(nèi)，每小時(shí)切割15片。 運(yùn)動(dòng)平臺(tái)采用高精度的直線電機(jī)平臺(tái)，定位精度為2μm，重復(fù)定位精度為1μm；旋轉(zhuǎn)平臺(tái)的定 位精度為30″，重復(fù)定位精度為4″。 計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制：劃片機(jī)系統(tǒng)將根據(jù)客戶要求以及配合視覺(jué)檢測(cè)系統(tǒng)傳輸?shù)木A數(shù)據(jù)，自 動(dòng)生成切割路徑，在規(guī)定的工作時(shí)間內(nèi)完成晶圓的切割。

本項(xiàng)目開發(fā)了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術(shù)。它采用天然礦物和工業(yè)廢渣來(lái)取代高溫?zé)Y(jié)法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問(wèn)題，同時(shí)具有生產(chǎn)周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優(yōu)點(diǎn)。開發(fā)的原位受控晶化技術(shù)不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級(jí)，而且還可對(duì)晶相數(shù)量和結(jié)晶形狀進(jìn)行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。