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超高分辨率光矢量分析設備采用“微波光子學方法”，首創具有國際領先水平的“超高分辨率光矢量分析技術”，集成了電-光、光-電和光-光3類元器件頻譜響應的測量功能，可應用于光纖通信、光纖傳感、光信號處理和集成光子學等領域。 技術特征 關鍵技術與創新點一：基于120度電橋的高抑制比光單邊帶調制技術和基于光載波抑制與平衡光電探測的非線性誤差對消技術。 關鍵技術與創新點二：光頻梳通道化測量技術和基于光希爾伯特變換的鏡像邊帶抑制技術。 關鍵技術與創新點三：多種測量模式融合與系統軟硬件集成技術。 工作波長：1528-1565 nm 最高波長分辨率：50 kHz（即0.4 fm） 幅度分辨率：0.01 dB 幅度精確度：±0.11 dB 相位分辨率：0.01° 相位精確度：±1.2° 對比國際上最高水平商用光矢量分析儀表LUNA OVA5000，設備的分辨率提升了4000倍，動態范圍提升了31倍（15dB），相位精確度提升了2.5倍（單通道40GHz范圍內），幅度分辨率也提升5倍以上，打破國外技術壁壘，實現進口替代。

超高分辨率光矢量分析設備采用“微波光子學方法”，首創具有國際領先水平的“超高分辨率光矢量分析技術”，集成了電-光、光-電和光-光3類元器件頻譜響應的測量功能，可應用于光纖通信、光纖傳感、光信號處理和集成光子學等領域。技術特征關鍵技術與創新點一：基于120度電橋的高抑制比光單邊帶調制技術和基于光載波抑制與平衡光電探測的非線性誤差對消技術。關鍵技術與創新點二：光頻梳通道化測量技術和基于光希爾伯特變換的鏡像邊帶抑制技術。關鍵技術與創新點三：多種測量模式融合與系統軟硬件集成技術。工作波長：1528-1565 nm最高波長分辨率：50 kHz（即0.4 fm）幅度分辨率：0.01 dB幅度精確度：±0.11 dB相位分辨率：0.01°相位精確度：±1.2°對比國際上最高水平商用光矢量分析儀表LUNA OVA5000，設備的分辨率提升了4000倍，動態范圍提升了31倍（15dB），相位精確度提升了2.5倍（單通道40GHz范圍內），幅度分辨率也提升5倍以上，打破國外技術壁壘，實現進口替代。應用范圍:設備已應用于包含海思光電子以及4家上市公司在內的數十家單位47種高端光器件的研發和生產（用戶包括：華為、長飛光纖601869.SH、中航光電002179.SZ、航天電器002025.SZ、光迅科技002281.SZ等），其中31種高端光器件在本項目設備的支撐下實現了量產；在我國高速光電芯片、新一代光通信系統、工業互聯網、智能感知等領域發揮著穩定的作用，有力支撐了我國核心光器件的自主可控和原始創新。

含電路板、散裝元器件、制作說明書等

含電路板、散裝元器件、制作說明書等

一、項目簡介時間分辨熒光免疫分析法（TRFIA）具有靈敏度高、特異性強、不受背景熒光干擾等特點，在 POCT 領域有極高的發展潛力。目前，市場上的 TRFIA 分析儀以中大型為主，手持式極少。本項目圍繞小型化、低成本等理念，將 TRFIA 技術應用到 POCT 領域。該小型化 TRFIA 測控模塊， 尺寸小、成本低、檢測速度快、 重復性好、適用于多種稀土螯合物。在無濾光片條件下， 基本達到了小型化 TRFIA 測控模塊的性能的極限。二、產品性能優勢（（（（1）使用雙自由度調光法，更優良；2）單次采樣即可滿足精度要求，采樣時間更短；3）單/雙通道可節省兩塊濾光片，成本低一半；4）采用基于多點采樣數據擬合法的熒光物質濃度測定法。檢測方法適用探針多點采樣擬合法稀土螯合物；激發波長：365nm~405nm；發射波長：可見光范圍；可檢最短熒光壽命約 400us調光法LED 電流峰值+LED 電流脈寬檢測時間最大采樣時間范圍為 0～2ms；單次采樣時間小于 3ms以 Eu(TTA)3phen 為檢測對象，檢測限< 0.185mg/L；信號值小于熒光檢測限精密度1.5%熒光光強變異系數 CV

本實用新型提出的一種水貂自動控光養殖棚，它包括棚體，在所述棚頂上設置有多個導光管，所述導光管包括集光罩、反光管、漫射面和擋板；在所述反光管的一側開設有可供所述擋板插入的開口，所述擋板的一端與擋板伺服電機連接；所述棚體的前后兩側設置有卷簾系統；所述卷簾卷繞在所述卷軸上，在所述卷簾的底部連接磁鐵桿，所述鐵座位于所述磁鐵桿正下方；在所述棚體內設置有光傳感器、照明燈和控制器，所述光傳感器、照明燈、擋板伺服電機和卷簾伺服電機分別于所述控制器連接。本實用新型可以自動控制貂棚光照時間和亮度，可以有效地縮短貂的繁殖周期。

山東大學藥學院李敏勇教授團隊與美國德州農工大學、北京師范大學的研究團隊合作在Journal of the American Chemical Society（J. Am. Chem. Soc.April 24. 2020 doi:10.1021/jacs.0c02949）上發表了光控CRAC通道抑制劑的研究成果，該光控抑制劑成功用于治療斑馬魚模型上的Stormorken綜合癥。鈣釋放激活鈣通道（CRAC通道）在所有的興奮性和非興奮性細胞中廣泛存在，與一系列重要的生理功能密切相關。構成CRAC通道的STIM和ORAI蛋白介導鈣池操縱鈣內流（SOCE）產生鈣信號。SOCE是由內質網（ER）內腔內Ca2+儲存耗竭和STIM1 ER-管腔結構域多聚化引發。激活的STIM1分子積聚在ER-PM連接處，結合并激活細胞膜上的門控ORAI1通道，引發鈣內流。異常的STIM-ORAI信號與多種人類疾病相關，包括免疫缺陷、自身免疫炎性疾病、心臟肥大、癌癥轉移和Stormorken綜合癥。研究表明，Stormorken綜合癥是由ORAI1或STIM1（例如R304W）中的獲得性突變引起的，導致部分Ca2+進入細胞。因此CRAC通道作為一種很有前途的治療靶點受到了廣泛關注。光藥理學方法利用可光切換的分子在時空上精確控制生物活性靶點，如離子通道、受體、酶和核酸。為了更精確地控制CRAC通道的活性，李敏勇教授團隊開發了一系列光控CRAC通道抑制劑，以良好的時空分辨率控制Ca2+信號，從而對與CRAC通道過度激活相關的疾病進行光藥理調節。該團隊基于N-芳基苯甲酰胺類CRAC通道抑制劑（GSK系列化合物和Synta 66）開發了一系列可光切換的CRAC通道調節劑。在這些化合物中引入偶氮基得到piCRACs，實現反式和順式構型之間的快速和可逆光轉化，從而使piCRACs對CRAC通道顯示出相反的抑制作用。經過一系列的實驗發現piCRAC-1光熱穩定好、良好的光化學性質、高時空精度、能夠高選擇地光誘導CRAC通道開關。首先該團隊通過UV-Vis、HPLC和NMR方法探討piCRAC-1的光化學性質，對紫外吸收光譜、紫外以及藍光照射下的trans-cis轉換率、光熱穩定性以及光敏特性進行測定，通過對CRAC通道和下游Ca2+響應轉錄因子（NAFT核內轉運）的光依賴抑制作用考察piCRAC-1的生物活性。研究發現trans-piCRAC-1在50 μM以下對SOCE幾乎沒有抑制，然而cis-piCRAC-1對SOCE有明顯的抑制作用（IC50=0.5 μM）。同時，cis-piCRAC-1對CRAC通道電流抑制高達80％，而trans沒有抑制。同樣紫外光照下TG誘導的NFAT核內轉運被piCRAC-1顯著抑制。piCRAC-1作為無創光學工具可以用于治療CRAC通道相關的Stormorken綜合征。在斑馬魚出血實驗中，piCRAC-1在紫外光下能夠拯救血小板減少癥（78.9%），抑制出血，藍光、無光下僅有輕微的拯救效果。該研究成果顯示piCRAC-1以高時空精度對細胞內CRAC通道和依賴Ca2+信號的生理過程進行光誘導調節。PiCRAC-1可以作為潛在治療劑用于光控調節與鈣信號失調相關的病理過程，例如由CRAC通道過度激活引起的Stormorken綜合征。該研究成果有助于Ca2+通道的結構-功能關系的研究，而且在研究無數Ca2+調節信號過程和與Ca2+動態平衡相關的人類疾病方面具有潛在應用價值。李敏勇教授團隊博士研究生楊興業、周育斌教授團隊博士研究生馬國林、王友軍教授團隊博士研究生鄭思思為該論文的共同第一作者。該工作得到了國家自然科學基金、山東大學杰出中青年學者、山東省泰山學者、山東省自然科學基金等項目的資助。文章鏈接：https://doi.org/10.1021/jacs.0c02949

產品詳細介紹

研究開發了 “ 熒光團輔助的 RNA 鄰近標記和測序技術 ” ，簡稱 “CAP-seq” 。   該方法通過可見光激發遺傳靶向的光敏蛋白 miniSOG 產生活性氧， 介 導鄰近 RNA 分子上的鳥嘌呤與具有生物正交功能把手的氨基探針進行共價交聯，既而通過富集純化與高通量測序檢測，實現 miniSOG 定位的亞細胞區域內 轉錄 組的空間特異性標記與鑒定。 利用 CAP-seq ，他們系統研究了幾個亞細胞區域的轉錄組，包括線粒體基質轉錄組 、 內質網表面 轉錄組 以及 線粒體外膜附近轉錄組。這些研究結果表明 CAP-seq 對 活細胞中開放區域的 RNA 標記具有良好的空間特異性和覆蓋度 。 他們在線粒體外膜附近檢測到 30 個編碼氧化磷酸化途徑相關蛋白的 RNA 和多達 55 個編碼核糖體蛋白的 mRNA ，這一結果不僅支持了線粒體蛋白在線粒體外膜被翻譯后直接轉運進線粒體的模型，還暗示著線粒體功能可能與蛋白質的翻譯調節有關。 CAP-seq 具有操作簡單、空間選擇性高、生物相容性好的特點，將成為一項適合于在多種生物系統中研究亞細胞 轉錄組 的新技術。

本發明公開了一種基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片。該芯片包括面陣電控液晶雙模微透鏡；其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電極層、電絕緣層、第二電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、公共電極層、第二基片和第二增透膜；第一電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的圓孔的一層勻質石墨烯膜構成，公共電極層和第二電極層分別由一層與第一電極層同質的勻質石