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量子谷Berry Phase的拓撲聲子態在二維六角晶格材料
徐虎課題組發現具有量子谷Berry Phase的拓撲聲子態在二維六角晶格材料中普適存在。隨著研究的深入，拓撲材料的分類越來越豐富和多樣化。到目前為止，拓撲材料的研究主要集中在費米子相關的系統。隨著研究水平的進一步發展，拓撲的玻色子系統也越來越引起人們的關注，例如光子晶體、聲子晶體等人工晶體中的拓撲現象等。但是，固體中的THz頻率段的拓撲聲子的研究相對緩慢。理論研究表明，拓撲聲子對研究量子聲子霍爾效應、拓撲聲子熱器件等具有重要作用。因此，在現實材料中尋找拓撲聲子態是相關領域亟待解決的問題。 在研究中，徐虎課題組研究人員采用基于密度泛函理論的晶格動力學計算，根據二階力常數矩陣構造類似于電子系統的緊束縛哈密頓量，從而可以獲得聲子系統的Berry 相和拓撲邊緣態。在此基礎上，他們結合高通量計算，發現具有量子谷Berry相的Dirac聲子態在二維六角晶格材料中普適存在(圖3a)。研究結果對進一步研究拓撲聲子態以及其實際應用具有重要作用。 近兩年，徐虎課題組致力于拓撲材料的理論預測和設計方面的研究工作，以南方科技大學物理系為第一單位發表1篇Phys. Rev. Lett.，1篇Nano Lett.和8篇Phys. Rev. (其中5篇為Phys. Rev. B Rapid Communications)。
南方科技大學
2021-04-13
鐵磁性非晶合金功能材料制備及應用
研制出了多個具有自主知識產權的鐵磁性非晶、納米晶軟磁合金材料，具有優異的力學性能、軟磁性能、耐蝕性能及對染料廢水高效降解性能，具體研究成果包括：（1）高飽和磁感低損耗納米晶軟磁合金：研制了FeSiBPCu系列納米晶軟磁合金，飽和磁感應強度達1.8T以上，1.5T/50Hz條件下的鐵損僅為0.29W/kg，是高級取向硅鋼鐵損的1/2，技術性能遠優于日本主要生產和大力推廣的FINEMET納米晶合金系列產品，在高效節能電機、無線充電系統、新能源汽車等技術領域具有廣闊市場前景；（2）鐵磁性非晶合金構件涂層：制備了厚度達9mm的非晶合金構件涂層，非晶度90[[%]]以上，孔隙率低于1[[%]]，平均硬度達976HV，內聚強度為237MPa；利用激光熔覆技術進一步改善其力學性能，斷裂強度達1800Mpa，具有優異的耐蝕性能和耐摩擦磨損性能，適用于各種功能構件的在線修復；（3）鐵基非晶合金化學性能研究：研究了FePC(Cu)、FeSiBPCu、FeBC、FeCrNbYB等非晶/納米晶合金在對染料廢水的高效降解，發現合金表面的“自更新”行為可有效提高合金的重復利用性，同時良好的熱磁調諧性使合金便于降解后的自動回收，對于實現高效、低成本處理印染廢水，解決水污染問題具有重要的應用價值。
東南大學
2021-04-11
鐵磁性非晶合金功能材料制備及應用
研制出了多個具有自主知識產權的鐵磁性非晶、納米晶軟磁合金材料，具有優異的力學性能、軟磁性能、耐蝕性能及對染料廢水高效降解性能，具體研究成果包括：（1）高飽和磁感低損耗納米晶軟磁合金：研制了FeSiBPCu系列納米晶軟磁合金，飽和磁感應強度達1.8T以上，1.5T/50Hz條件下的鐵損僅為0.29W/kg，是高級取向硅鋼鐵損的1/2，技術性能遠優于日本主要生產和大力推廣的FINEMET納米晶合金系列產品，在高效節能電機、無線充電系統、新能源汽車等技術領域具有廣闊市場前景；（2）鐵磁性非晶合金構件涂層：制備了厚度達9mm的非晶合金構件涂層，非晶度90%以上，孔隙率低于1%，平均硬度達976HV，內聚強度為237MPa；利用激光熔覆技術進一步改善其力學性能，斷裂強度達1800Mpa，具有優異的耐蝕性能和耐摩擦磨損性能，適用于各種功能構件的在線修復；（3）鐵基非晶合金化學性能研究：研究了FePC(Cu)、FeSiBPCu、FeBC、FeCrNbYB等非晶/納米晶合金在對染料廢水的高效降解，發現合金表面的“自更新”行為可有效提高合金的重復利用性，同時良好的熱磁調諧性使合金便于降解后的自動回收，對于實現高效、低成本處理印染廢水，解決水污染問題具有重要的應用價值。
東南大學
2021-04-11
化工副產物制備硫酸鈣晶須
1 成果簡介硫酸鈣晶須具有機械強度大、熱穩定性好、價格低廉等特點，是塑料、橡膠、陶瓷、水泥等材料的理想增強材料。 目前我國化工、冶金、電力等國民經濟支撐行業在生產過程中均副產大量含鈣副產物（如脫硫石膏、磷石膏、電石渣、石灰石、氯化鈣等），年產量高達數億噸。受技術經濟條件限制，這些含鈣副產物大多處于露天堆放和閑置狀態，既浪費資源、污染環境又占用大量土地。 如何實現資源的高度綜合利用，變廢為寶，將其轉化為國民經濟發展急需的量大面廣、附加值高的硫酸鈣晶須產品是一項十分有意義的工作。2 應用說明清華大學與國內相關院校合作，經過 5 年的潛心攻關，已于近期成功開發出水熱合成硫酸鈣晶須的技術。該技術的主要原料為化工副產物（如脫硫石膏、磷石膏、電石渣、石灰石、氯化鈣等），制備的硫酸鈣晶須形貌規則、結晶良好、長徑比大（長度 200~2000mm，直徑1~20mm，長徑比 50~200）、純度高（硫酸鈣晶須主含量>90~95%，與原料相關）。該技術工藝簡單，成本低廉（約 2000~4000 元/噸），所需設備大多為常規設備，具有較強的經濟和社會效益。歡迎有關單位前來洽談。目前國內類似產品售價為 2 萬元/噸。 圖1 硫酸鈣晶須形貌3 效益分析成本： <4000 元/噸， 保守售價： 10000 元/噸， 年創產值（萬元）： 10000′3000?10000=3000，年創利稅（萬元）： 3000′(10000-4000)?10000=1800。4 合作方式技術轉讓或合作開發，按年產 3 千噸中試規模計，技術開發費： 400 萬元，常溫反應及配套設備： 300 萬元，水熱反應及配套設備： 800 萬元，焙燒及配套設備： 500 萬元， 其它常規設備費（過濾、干燥、粉碎、包裝）： 300 萬元，基建： 300 萬元， 其他(管、泵、閥、控制儀表等)： 300 萬元，土地（ 30 畝）：約 500 萬元，不可預見： 200 萬元， 總投資： 3600萬元。
清華大學
2021-04-13
一種鋁基非晶甩帶裝置
本實用新型一種鋁基非晶甩帶裝置，包括箱體，所述第一電機輸出端通過輸出軸轉動連接有主動帶輪，所述箱體內腔底部位于隔離板遠離固定臺的一側固定連接有清理裝置，所述箱體內腔正面和背面中間位置轉動連接有甩帶輪，所述從動帶輪外表面通過皮帶與主動帶輪滑動連接，所述箱體內腔正面和背面位于高頻加熱器遠離橫板的一側轉動連接有調節輪，所述箱體內腔頂部固定連接有進氣口，所述箱體內腔遠離第二電機的一側內壁頂部固定連接有進氣泵，所述箱體頂部位于進料口兩側均固定連接有導料裝置，本實用新型涉及鋁基非晶加工技術領域。該裝置可及時清理
安徽建筑大學
2021-01-12
64Mb?阻變存儲器晶圓
已有樣品/n64Mb ReRAM 芯片和內嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光國芯等單位共同設計，在實現基于ReRAM 存儲機理和單元特性的讀寫電路、芯片構架、可測試性設計、冗余設計、糾錯設計和系統訪問管理等關鍵技術方面實現了突破和創新。兩款芯片均已經在相關驗證系統完成了應用演示等相關測試，其中64Mb ReRAM 芯片可成功實現數據文件、圖形文件及多媒體文件的讀寫編輯及實時播放操作，在功耗、速度和壽命等方面取得了令人滿意的效果。
中國科學院大學
2021-01-12
堿溶轉化法制備氧化鋅晶須
1. 痛點問題
目前含鋅產品以金屬鋅和普通氧化鋅為主，存在產品價廉、結構單一、附加值低等問題。受技術經濟條件限制，性能優異、附加值高的先進含鋅材料如氧化鋅晶須等，至今尚未得到大規模工業應用。在晶須氧化鋅制備方面，前人雖已做大量工作，但多以鋅鹽或鋅為原料，存在原料利用率和晶須制備效率低、副產物和廢水需處理等環境和經濟效益問題，制約了相關技術的產業化發展。
2. 解決方案
以普通鋅鹽為原料、無機堿水溶液為溶劑，在室溫條件下進行活化堿溶, 制得含活性氧化鋅的懸浮液，然后加入促溶劑和晶型控制劑, 在低溫水熱條件下, 通過溶解-定向結晶途徑制得純度大于98%、長徑比大于10的氧化鋅晶須。
合作需求
資金需求：
1）中試項目，100噸/年氧化鋅晶須，需投資1000-1500萬元；
2）示范生產項目，2000噸/年氧化鋅晶須，需投資1億元。
目標企業：
1）原料端，地方鋅冶煉廠、化工廠等企業；
2）市場端，塑料/橡膠/涂料/紡織公司、合金企業、新能源公司、精密器件、醫療企業等。
清華大學
2022-01-06
晶體材料大尺寸、定晶向放電切割技術
合作的企業類型等。簡介請圖文并茂，字數1000字以內。） 近年來，在國家自然基金、江蘇省自然基金、航空基金以及國防預研、國家新能源產業化專項、江蘇省科技成果轉化等項目資助下，本課題組進行了在半導體晶體材料加工上實現了大尺寸（600mm）、高尺寸精度（5μm）、定晶向（0.3分）、低損耗、低成本的集成技術優勢，成為國內外首個在半導體晶體放電切割上實現重大突破和技術應用的研究團隊，多項研究成果已經獲得或即將獲得重要應用。 本課題組在特種加工、微細加工、激光加工、再制造等方面開
南京航空航天大學
2021-04-14
表面改性的非晶合金涂層及其制備方法
本發明公開了一種表面改性的非晶合金復合粉末，其特征在于， 通過表面改性技術在所述非晶合金粉末表面包覆一層抗氧化的金屬鍍 層。本發明還公開了該粉末的制備方法，以及利用該粉末制備的非晶 復合涂層及其制備方法。本發明非晶復合涂層具有優異的抗氧化性能、 高結合力以及良好的抗磨損性能，克服了以往單相非晶涂層/金屬基體 之間界面結合力較差、高溫抗氧化性能不足的問題，可以有效降低非 晶粉末在高溫熱噴涂過程中的表面氧化。該復合涂層在
華中科技大學
2021-04-14
一種芯片連晶缺陷識別方法
本發明公開了一種芯片連晶缺陷識別方法，該發明主要用于在 芯片制造過程中識別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個步驟：步驟 一，對采集到的芯片圖片進行模板匹配，定位出芯片的位置，根據芯 片的位置，對圖片進行截取；步驟二，對截取獲得的圖片進行預處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對經過預處理的圖片進行分割， 獲取 blob 塊，對 blob 塊進行特征分析：首先以面積為基準判斷出是否 含連晶缺陷；對面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點以及四邊中點的位置，以中心點以及四邊
華中科技大學
2021-04-14