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一種中紅外非線性光學晶體材料 KBi4F13 及其制備方法和應用
本發(fā)明公開了一種中紅外非線性光學晶體材料，其化學式為 KBi4F13，上述材料的晶體空間群為 I-4， 晶胞參數(shù)為 a=9.2027(19)b=9.2027(19)c=6.2589(13)α=β=γ=90°、Z=2。本發(fā)明還提供了上述晶體材 料的水熱法制備方法，本發(fā)明制得的中紅外非線性光學晶體材料具有能相位匹配的倍頻效應(SHG)， Kurtz 粉末倍頻測試結果表明其粉末倍頻效應與磷酸二氫鉀(KDP)相當;粉末的激光傷閾值為 120MW/c
武漢大學
2021-04-14
OM-8F氙燈耐氣候試驗箱/氙燈耐氣候箱/氙燈耐氣候實驗機
產品詳細介紹
歐美奧蘭儀器有限公司
2021-08-23
一種高分子聚合物微流控芯片的制備方法
本發(fā)明涉及一種微流控芯片制作技術，主要用于高分子聚合物材質微流控芯片制作，其特征在于利用 CNC 雕刻機直接加工微流控設備， 即利用數(shù)控軟件進行微流控芯片的通道設計，得到相應的雕刻路徑， 編寫雕刻用代碼；將雕刻代碼導入控制 CNC 雕刻機的軟件中，對要進行制作的高分子聚合物材料進行制作；圖案制作結束后，根據(jù)不同要求，封接芯片，即可得到功能化的微流控設備。 技術特點：極大的降低高分子聚合物微流控芯片的制作成本，簡單易用，快速制備，有利于芯片的大批量生產，并能靈活的調節(jié)芯片 微通道深度，有利于實現(xiàn)微流控
蘭州大學
2021-01-12
二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。
北京大學
2021-04-11
基于卷積神經網絡的可重構類腦計算芯片及支撐系統(tǒng)研發(fā)
研發(fā)階段/n主要研究支持神經網絡芯片的設計自動化工具及FPGA驗證系統(tǒng)，設計自動化工 具本身針對ASIC和FPGA都適用。 項目主要研究：（1）研究基于模型層的設計空間探索方法;（2）研究可重構 神經網絡硬件單元抽象和歸約方法；（3）開發(fā)面向嵌入式、功耗約束下的FPGA神 經網絡芯片系統(tǒng)，突破神經網絡芯片設計小型化遇到的關鍵難題。本項目提出的自 動綜合工具至少支持CNN 等兩類不同神經網絡拓撲，支持Caffe配置文件prototex 拓撲描述語言，生成的FPGA芯片，性能比CPU快1個數(shù)量級，能效比
中國科學院大學
2021-01-12
一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法
本發(fā)明公開了一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法，其主要控制過程包括：獲取芯片的貼裝位置信息；鍵合頭拾取芯片，獲取芯片 Z 旋轉軸和 X/Y 直線軸的角度及位置粗調偏差值，然后在執(zhí)行粗調的同時，實現(xiàn) X/Y 直線軸的閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 X/Y 旋轉軸的當前實際角度值，并在逐次選擇 X/Y 旋轉軸執(zhí)行角度閉環(huán)控制的同時，實現(xiàn)另外兩直線軸的位置閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 Z 旋轉軸和X/Y 直線軸的角度及位置精調偏差值，然后在執(zhí)行精調的同時，實現(xiàn)X/Y 直線軸的閉環(huán)跟隨控制。通過本發(fā)明，可使得芯片
華中科技大學
2021-04-14
一種紅外圖像與波前雙模一體化成像探測芯片
本發(fā)明公開了一種紅外圖像與波前雙模一體化成像探測芯片，包括：陶瓷外殼、金屬支撐與散熱板、驅控與預處理模塊、面陣非制冷紅外探測器、以及面陣紅外折射微透鏡，驅控與預處理模塊、面陣非制冷紅外探測器、以及面陣紅外折射微透鏡同軸順序設置于陶瓷外殼內，陶瓷外殼后部設置于金屬支撐與散熱板頂部，驅控與預處理模塊設置于陶瓷外殼后部與金屬支撐與散熱板連接處，面陣非制冷紅外探測器設置于驅控與預處理模塊頂部，面陣紅外折射微透鏡設置于面
華中科技大學
2021-04-14
一種用于光纖與芯片間光信號傳輸?shù)乃今詈掀?/span>
本發(fā)明公開了一種用于光纖與芯片間光信號傳輸?shù)乃今詈掀?件，包括第一采集模塊，用于引導和收集一階線偏振模式中第一模斑， 第二采集模塊，用于引導和收集一階線偏振模式中第二模斑，耦合模 塊，設有第一傳輸通道、第二傳輸通道和主通道，第一傳輸通道接收 第一模斑，第二傳輸通道接收第二模斑，并通過模場的空間疊加實現(xiàn) 從耦合模塊的主傳輸通道輸出一階橫電模。本發(fā)明實現(xiàn)了將光纖中一 階線偏振模式轉化為芯片中的一階橫電模同時也保證了基模
華中科技大學
2021-04-14
一種基于石墨烯電極的電控液晶光發(fā)散微透鏡陣列芯片
本發(fā)明公開了一種基于納米石墨烯電極的電控液晶光發(fā)散微透鏡陣列芯片，包括驅控信號輸入端口、以及石墨烯液晶散光微透鏡陣列，石墨烯液晶散光微透鏡陣列為 m×n 元，石墨烯液晶散光微透鏡陣列采用液晶夾層結構，且下上層之間順次設置有第一基片、圖案化石墨烯電極、第一液晶定向層、液晶層、第二液晶定向層、石墨烯電極、第二基片，圖案化石墨烯電極和石墨烯電極分別制作在第一基片和第二基片上，圖案化石墨烯電極是由 m×n 個以微圓環(huán)隔離并以
華中科技大學
2021-04-14
一種石墨烯基雙模混合集成電控液晶微透鏡陣列芯片
本發(fā)明公開了一種石墨烯基雙模混合集成電控液晶微透鏡陣列，包括陣列化控光架構、第一驅控信號輸入端口和第二驅控信號輸入端口，陣列化控光架構的上下層之間順次設置有第一基片、微圓孔形圖案化石墨烯電極、第一液晶定向層、第一液晶層、第二液晶定向層、石墨烯共地電極、第二基片、第三液晶定向層、第二液晶層、第四液晶定向層、微圓環(huán)孔形圖案化石墨烯電極、第三基片，微圓孔形圖案化石墨烯電極、石墨烯共地電極和微圓環(huán)孔形圖案化石墨烯電極分別
華中科技大學
2021-04-14