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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種連續(xù)導(dǎo)電模式單電感雙輸出開關(guān)變換器變頻控制裝置
本實(shí)用新型公開了一種連續(xù)導(dǎo)電模式單電感雙輸出開關(guān)變換器變頻控制裝置，通過(guò)限定電感電流峰值和谷值的大小，完成對(duì)變換器中主開關(guān)管和支路開關(guān)管的控制，實(shí)現(xiàn)各個(gè)輸出支路的獨(dú)立調(diào)節(jié)。與工作在連續(xù)導(dǎo)電模式的傳統(tǒng)單電感雙輸出開關(guān)變換器相比，本實(shí)用新型具有穩(wěn)定性好，可靠性高，抗干擾能力強(qiáng)，輸入、負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度快，輸出支路間的交叉影響小等優(yōu)點(diǎn)，可用于控制單電感雙輸出拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的多種變換器，諸如：Buck變換器、Boost變換器、Buck-boost變換器、Bipolar變換器等。
西南交通大學(xué)
2016-10-24
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一種加熱爐空氣預(yù)熱器熱管煙泥灰垢刮除裝置
本發(fā)明公開了一種加熱爐空氣預(yù)熱器熱管煙泥灰垢刮除裝置，包括支撐座，所述支撐座上安裝有液壓缸，所述液壓缸的活塞桿上安裝有支架，所述支架上安裝有能沿?zé)峁艿目v向滑動(dòng)時(shí)刮除熱管的煙氣段外表面的煙泥灰垢的刮灰環(huán)，所述刮灰環(huán)包括經(jīng)模壓成型的環(huán)體，所述環(huán)體上設(shè)置有與熱管的煙氣段的橫截面形狀相應(yīng)的內(nèi)腔，環(huán)體的內(nèi)壁上固設(shè)有用于刮除煙泥灰垢的刷毛。本發(fā)明的刮灰環(huán)會(huì)包覆在熱管的煙氣段上，液壓缸的活塞桿帶動(dòng)支架和刮灰環(huán)上下移動(dòng)，刮灰環(huán)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 H 橋三電平有源電力濾波器的控制方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種 H 橋三電平有源電力濾波器的控制方法及系 統(tǒng)。在進(jìn)行直流母線電壓相間平衡控制時(shí)，通過(guò)檢測(cè)各相直線母線電 壓與直流母線平均電壓之間的偏差，確定基波負(fù)序電流的給定量，是 一種雙閉環(huán)結(jié)構(gòu)，因此系統(tǒng)的魯棒性更高。與傳統(tǒng)的基于負(fù)序電壓注 入的方法相比，不會(huì)影響電流環(huán)的性能；與傳統(tǒng)的基于零序電壓注入 的方法相比，其相間平衡控制的能力更強(qiáng)。在進(jìn)行負(fù)載電流諧波檢測(cè) 時(shí)，在雙 dq 軸坐標(biāo)系下分別檢測(cè)基波正序分量和基波負(fù)序分量，因此 諧波檢測(cè)的精度更高。由于在負(fù)序 dq 軸坐標(biāo)系下檢測(cè)了基波負(fù)序電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側(cè)的電極凹槽；微流控芯片基片還設(shè)有進(jìn)樣口、出樣口和銀漿注入口，進(jìn)樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發(fā)明制作簡(jiǎn)單，成本低廉
武漢大學(xué)
2021-04-14
開關(guān)變換器雙緣脈沖頻率調(diào)制V2型控制方法及其裝置
本成果來(lái)自國(guó)家科技計(jì)劃項(xiàng)目，現(xiàn)已結(jié)題，并獲國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)（ZL201320031915.X），知識(shí)產(chǎn)權(quán)屬于西南交通大學(xué)。該成果公開了一種開關(guān)變換器雙緣脈沖頻率調(diào)制V2型控制方法及其裝置，根據(jù)基準(zhǔn)電壓Vref和輸出電壓Vos經(jīng)過(guò)誤差補(bǔ)償器后生成的控制電壓Vc與輸出電壓Vos的關(guān)系，結(jié)合預(yù)設(shè)的恒定導(dǎo)通時(shí)間或恒定關(guān)斷時(shí)間，產(chǎn)生三段時(shí)間t1、t2和t3，每個(gè)周期依次采用t1、t2、t3組成的控制時(shí)序，控制開關(guān)變換器開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷。本成果可用于控制Buck變換器、Buck2變換器、Cuk變換器、Zeta變換器等開關(guān)變換器，其優(yōu)點(diǎn)是：負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度快，穩(wěn)壓精度高，穩(wěn)定性好。
西南交通大學(xué)
2016-06-27
一種動(dòng)平臺(tái)對(duì)空目標(biāo)雙色紅外異構(gòu)并行自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別器
本發(fā)明公開了一種動(dòng)平臺(tái)對(duì)空目標(biāo)雙色紅外異構(gòu)并行自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別器，所述目標(biāo)識(shí)別器包括：交換式網(wǎng)絡(luò)與至少一個(gè)處理部件，所述處理部件與所述交換式網(wǎng)絡(luò)之間通過(guò)輸入 FIFO 接口、同步存儲(chǔ)器輸出接口以及控制線連接，所述交換式網(wǎng)絡(luò)用于動(dòng)態(tài)鏈接不同的所述輸入 FIFO 接口和所述同步存儲(chǔ)器輸出接口，所述處理部件用于完成自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別過(guò)程中所需的各種算法功能，所述輸入 FIFO 用于緩存輸入的待處理圖像數(shù)據(jù)，所述同步存儲(chǔ)器輸出接口用于
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法， 可編程模擬電路包括：阻變?cè)⒌谝浑娮琛⒌诙娮琛 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻 變?cè)囊欢伺c第一電阻的另一端連接，阻變?cè)牧硪欢俗鳛榭删?程模擬電路的第二端口；N 型 MOS 管的漏極和 P 型 MOS 管的漏極均 連接至阻變?cè)牧硪欢耍琋 型 MOS 管的源極和 P 型 MOS 管的源極 均
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種光纖 EFPI 次聲波傳感器及次聲信號(hào)探測(cè)系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種光纖 EFPI 次聲波傳感器及次聲信號(hào)探測(cè)系 統(tǒng)。本發(fā)明與同類型的其他聲學(xué)探測(cè)方法相比，在換能器中采用聚合 物薄膜，并對(duì)聚合物薄膜的厚度和直徑進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，使得傳感器 能探測(cè) 1～20Hz 的次聲波，且靈敏度高達(dá) 121mV/Pa。在換能器的聚合 物薄膜內(nèi)側(cè)中心粘貼鋁質(zhì)薄膜，并對(duì)鋁質(zhì)薄膜的厚度和直徑進(jìn)行了優(yōu) 化設(shè)計(jì)，不僅大幅提高了換能器的光學(xué)反射率，而且使聚合物薄膜的 中心振動(dòng)保持平穩(wěn)。本發(fā)明與傳統(tǒng)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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氨式法HCN固定床反應(yīng)器計(jì)算機(jī)優(yōu)化控制技術(shù)
? 氨式法HCN固定床反應(yīng)器是當(dāng)前應(yīng)用較多的由天然氣生成HCN的生成裝置，利用金屬鉑作催化劑，在1600℃高溫下反應(yīng)合成HCN。該反應(yīng)器對(duì)反應(yīng)溫度、氣體純度、氣體配比和流速等都有很高的要求。國(guó)際上先進(jìn)的氨式法反應(yīng)器的收率一般都在78~82％，而國(guó)內(nèi)該種反應(yīng)器在2000年之前的收率基本都只有45％左右，操作穩(wěn)定性差，存在一定的安全隱患。低收率造成該種反應(yīng)器在當(dāng)時(shí)使用普及度不高，也同時(shí)使HCN產(chǎn)品鏈主要依靠石化副產(chǎn)物的HCN，從而對(duì)產(chǎn)能有很大的約束。氨式法HCN固定床反應(yīng)器計(jì)算機(jī)優(yōu)化控制技術(shù)通
北京理工大學(xué)
2021-04-14
表征太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器多模效應(yīng)的電路建模仿真方法
本發(fā)明涉及一種表征太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器多模效應(yīng)的電路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源層內(nèi)部載流子輸運(yùn)特性的多模速率方程組；接著建立表征ThzQCL內(nèi)部多模態(tài)效應(yīng)的物理方程模型； 然后通過(guò)變量代換和化簡(jiǎn)得到相應(yīng)的等效電路模型；建立表征 THzQCL 輸入端電氣特性的等效電路模型； 建立表征 THzQCL 輸出端光功率特性的等效電路模型；最后建立電路宏模型，包括一個(gè)電氣端口和一個(gè) 光功率輸出端口，基于電路宏模型進(jìn)行光電性能仿真和輸出光譜性能測(cè)試。本發(fā)明可測(cè)試溫度對(duì) THzQCL 各種光電性能的影響；可支持實(shí)現(xiàn)對(duì) THzQCL 光電性能和輸出多模效應(yīng)的模擬和仿真。
武漢大學(xué)
2021-04-13