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成果描述：針對亞洲人群自然膝關(guān)節(jié)的解剖結(jié)構(gòu)特點和運動學(xué)數(shù)據(jù)，實現(xiàn)了符合國內(nèi)人群的人工膝關(guān)節(jié)的設(shè)計，為我國人工膝關(guān)節(jié)制造提供依據(jù)；提出了基于包絡(luò)原理的人工膝關(guān)節(jié)匹配關(guān)節(jié)面的創(chuàng)新設(shè)計方法，實現(xiàn)了人工膝關(guān)節(jié)匹配關(guān)節(jié)面的參數(shù)化設(shè)計，在改變參數(shù)的基礎(chǔ)上可進一步實現(xiàn)系列化設(shè)計和個性化設(shè)計；同時，可拓展應(yīng)用于人體其它關(guān)節(jié)部位的參數(shù)化設(shè)計。市場前景分析：當(dāng)前，美國大約每年有30萬患者接受人工膝關(guān)節(jié)置換；在歐洲和亞洲發(fā)達地區(qū)，每年需做人工膝關(guān)節(jié)置換手術(shù)的患者約占人口的千分之一；而我國現(xiàn)在每年有超過3萬患者接受人工膝關(guān)節(jié)置換。隨著人們觀念轉(zhuǎn)變和生活要求的提高，以及醫(yī)療保險的改善，可以預(yù)測不遠的將來我國每年至少有30萬患者接受人工膝關(guān)節(jié)置換，再加上部分亞洲市場，每年亞洲國家有潛在50萬患者選擇人工膝關(guān)節(jié)置換。如果我們所設(shè)計的產(chǎn)品占領(lǐng)亞洲市場的1/4，每套產(chǎn)品按1元萬記，估計產(chǎn)值為12億。此項目研制開發(fā)適合于亞洲人群特點的人工膝關(guān)節(jié)假體，具有更適合亞洲人膝關(guān)節(jié)解剖特點和高屈曲度功能要求，其市場應(yīng)用前景非常廣闊。 根據(jù)人體自然膝關(guān)節(jié)的特點，開發(fā)適合于亞洲人群，尤其應(yīng)用于中國人群的人工膝關(guān)節(jié)，符合我國當(dāng)前骨科醫(yī)療領(lǐng)域的實際情況，對于我國外科醫(yī)療技術(shù)的進步無疑具有重要的現(xiàn)實意義，項目成功實施后可以有效地改善患者的生活水平，創(chuàng)造更大的經(jīng)濟效益。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：國內(nèi)領(lǐng)先。

中國在國際超導(dǎo)磁懸浮上展開的競爭，爭取軌道交通未來的主導(dǎo)權(quán)，需要發(fā)展超導(dǎo)磁懸浮技術(shù)，基礎(chǔ)是：超導(dǎo)、杜瓦、制冷。本項目新材料新技術(shù)所生產(chǎn)的超導(dǎo)變壓器為高速列車的重要組件，該項目已經(jīng)得到中車、科技部支持，完成相關(guān)的設(shè)計，進行開發(fā)。 掌握了超導(dǎo)牽引變壓器和構(gòu)建復(fù)合低溫恒溫器相關(guān)的復(fù)合材料的核心技術(shù)。探索出該材料的成型工藝及高強度工藝，成功設(shè)計了團隊成功設(shè)計和建造包括（1）高溫超導(dǎo)變壓器、（2）低溫杜瓦裝置（故障限制器、核磁共振成像儀、電機、磁推進裝置和超導(dǎo)交通裝置及配套的低溫杜瓦裝置），該技術(shù)用于國家重點研發(fā)計劃中。

西安智多晶微電子有限公司，成立于2012年，總部位于西安，北京設(shè)立有EDA軟件研究中心。創(chuàng)始團隊擁有三十多年豐富的FPGA設(shè)計制造經(jīng)驗，曾就職于海外該領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)，并擔(dān)任多個專業(yè)方向技術(shù)帶頭人。核心團隊來自于國內(nèi)各知名院校和優(yōu)秀的FPGA研發(fā)團隊，是國內(nèi)目前集硬軟件設(shè)計、生產(chǎn)、銷售最具競爭力的高科技企業(yè)。公司專注可編程邏輯電路器件技術(shù)的研發(fā)，并為系統(tǒng)制造商提供高集成度、高性價比的可編程邏輯器件、可編程邏輯器件IP核、相關(guān)軟件設(shè)計工具以及系統(tǒng)解決方案。賦能產(chǎn)業(yè)，“芯”系未來，是智多晶的奮斗愿景，團隊致力于在LED驅(qū)動、視頻監(jiān)控、圖像處理、工業(yè)控制、4G/5G通信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等各行業(yè)應(yīng)用充分發(fā)揮FPGA的方案優(yōu)勢，以市場和客戶為導(dǎo)向，幫助合作伙伴提升其核心競爭力。公司目前已實現(xiàn)55nm、40nm工藝中密度FPGA的量產(chǎn)，并針對性推出了內(nèi)嵌Flash、SDRAM等集成化方案產(chǎn)品，截至2018年已批量發(fā)貨2KK片。通過嚴(yán)謹(jǐn)科學(xué)的設(shè)計，360度圍繞客戶的技術(shù)支持及服務(wù)，以及貫穿全流程的高標(biāo)準(zhǔn)測試管理，我們正在為更多的行業(yè)合作伙伴提供最符合需求的高性價比FPGA整體解決方案。點擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺進行溝通對接！

"本項目旨在發(fā)揮光纖光柵分布式傳感、有限元模擬、大數(shù)據(jù)、人工智能的學(xué)科交叉優(yōu)勢，實現(xiàn)纖維復(fù)合材料結(jié)構(gòu)的智能檢測與健康評估。 結(jié)合本團隊的前期研究基礎(chǔ)，按照需求分析、陣列式光纖光柵刻制、高頻信號檢測儀器研制、光纖光柵的復(fù)合材料結(jié)構(gòu)埋入/表貼、材料性能測試、載荷在線監(jiān)測、有限元模擬、靈敏度分析、復(fù)合材料結(jié)構(gòu)典型損傷（準(zhǔn)靜態(tài)承載、低速沖擊、雷擊）識別算法及其數(shù)據(jù)庫開發(fā)、結(jié)構(gòu)健康評估算法研究而展開。主要成果及成果形式包括：（1）陣列式光纖光柵傳感器樣品；（2）高端復(fù)合材料結(jié)構(gòu)在線監(jiān)測裝備樣機；（3）復(fù)合材料結(jié)構(gòu)損傷診斷軟件系統(tǒng)；（4）復(fù)合材料結(jié)構(gòu)健康評估軟件系統(tǒng)；（5）常見復(fù)合材料結(jié)構(gòu)損傷數(shù)據(jù)庫；（6）申請并授權(quán)國家發(fā)明專利；（7）發(fā)表SCI收錄的高影響力期刊論文；（8）建立研發(fā)平臺，培養(yǎng)專業(yè)技術(shù)人才。本項目面向航空航天、軌道交通、風(fēng)電、共享汽車、艦船、武器裝備等領(lǐng)域?qū)w維復(fù)合材料結(jié)構(gòu)的智能檢測和健康評估的急迫需求。前期實施案例有：玻璃纖維/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料封裝的基片式光纖光柵傳感器；電子封裝用液態(tài)環(huán)氧樹脂的固化監(jiān)測；大型風(fēng)電葉片模具制造過程的光纖光柵在線監(jiān)測；纖維復(fù)合材料結(jié)構(gòu)雷擊過程的光纖光

本成果包含如下內(nèi)容：高轉(zhuǎn)換效率的小面積碲化鎘太陽電池制造技術(shù)，面積為1200mm×600mm 的碲化鎘太陽電池組件規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，年產(chǎn)30-50MW碲化鎘太陽電池生產(chǎn)線及關(guān)鍵設(shè)備的設(shè)計。 主要技術(shù)指標(biāo)： 組件效率超過12%。 應(yīng)用范圍： 用于太陽能直接發(fā)電，建立大規(guī)模光伏電站或小型戶用光伏發(fā)電系統(tǒng)。國家扶持光伏發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太陽電池，出口不會受到限制。 項目目前已進入產(chǎn)業(yè)化階段，成果權(quán)屬為我校獨自擁有。

一種柔性碲化鎘薄膜太陽電池結(jié)構(gòu)，本項發(fā)明所屬領(lǐng)域為新型 能源。為了降低碲化鎘太陽電池的成本，擴大電池的應(yīng)用范圍，柔性 碲化鎘太陽電池將是未來發(fā)展方向之一。柔性碲化鎘電池面臨的難題 之一是如何解決金屬背電極與碲化鎘薄膜歐姆接觸，即尋找一種材 料，加入到金屬電極與碲化鎘薄膜之間，有利于p載流子傳輸。本發(fā) 明是采用石墨烯作為碲化鎘層與金屬電極層的過渡層，充分利用石墨 烯載流子傳輸速度高、力學(xué)性能好的特點。將結(jié)晶石墨進行化學(xué)清洗， 用帶膠的聚酰亞胺薄膜剝離石墨，使得一層石墨烯粘附于聚酰亞氨表 面。在此基礎(chǔ)上再濺射沉積碲化鎘，惰性氣體保護下CdCl2退火，濺 射沉積硫化鎘和ITO薄膜。制作出的柔性碲化鎘薄膜電池具有重量 輕、成本低的優(yōu)點。

本發(fā)明是一種凹凸棒礦物制造印染廢水脫色材 料的技術(shù)方法，它是以凹凸棒石粘土為主原料(80～100目)， 與1.5～ 3.0mol/LH2SO4，固液比1∶2～3，在常溫下活化1～2h，并加入 0～5％的Fe、Mn、Al等金屬硫酸鹽(按金屬氧化物計)，再經(jīng)3～ 6mol/L堿溶液中和至pH值7～8，一次固液分離，造粒(3～ 5mm)，烘干，再經(jīng)700℃煅燒0.5～2h后制成。產(chǎn)出的濾液副 產(chǎn)回收 Na2SO4·10H2O或 (NH4) 2SO4；該脫色料 對印染廢水脫色后，顆粒料經(jīng)1.5～6.0mol/L硫酸銨溶液浸泡 2～5min、在300℃下焙烘5～25min后，可重復(fù)循環(huán)使用四次 以上；脫色材料對印染廢水的脫色率≥94％，循環(huán)使用的脫色 率≥91％。具有制造過程簡單、成本低廉、無污染物排放等特 點。

本發(fā)明公開了一種新型抗爆防護門門扇結(jié)構(gòu)，包括蒙皮外鋼板框架，還包括U型加勁肋和鋼棒，所述U型加勁肋焊接于蒙皮外鋼板框架上層的內(nèi)側(cè)，所述鋼棒兩端分別與蒙皮外鋼板框架的上層和下層相焊接，所述鋼棒上設(shè)有鋼套管，鋼管套非完全覆蓋整根鋼棒，通過在蒙皮外鋼板框架內(nèi)增設(shè)U型加勁肋和鋼棒，增加防護門門扇的剛度，鋼板與鋼棒的變形耗能能力，在不改變門扇基本結(jié)構(gòu)的前提下，能夠?qū)崿F(xiàn)快速正常安裝，達到阻斷爆炸沖擊波的目的，有效緩解了因爆炸波而帶來的各種損害，提高生活的安全指數(shù)，有廣闊的應(yīng)用價值和發(fā)展前景。

提供一種絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)及其制備方法，該IGBT包括N型基區(qū)、P型基區(qū)(28)、背P+陽極區(qū)(21)、N+陰極區(qū)(26)、柵氧化層(24)、陽極(20)、柵電極(25)和陰極(27)，所述的N型基區(qū)由依次層疊的N+擴散殘留層(29)、N-基區(qū)(23)和N+緩沖層(22)組成，所述的N+擴散殘留層(29)和N+緩沖層(22)從與N-基區(qū)(23)的邊界起始向外摻雜濃度逐漸增加。IGBT在N-基區(qū)(23)正面設(shè)置N+擴散殘留層(29)，提高了N型正面的離子摻雜濃度，降低了結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JEFT)電阻的影響，從而有效降低IGBT的導(dǎo)通壓降，同時對IGBT的正向阻斷電壓(耐壓)的影響降低到最小。