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相較于傳統(tǒng)聚合物發(fā)泡所用化學(xué)發(fā)泡劑和氟利昂類、烷烴類等物理發(fā)泡劑，采用超臨界CO 2 或N 2 作為發(fā)泡劑，不僅氣體原料來源豐富，價(jià)格便宜和環(huán)境友好，符合日益嚴(yán)格的環(huán)保要求，而且所得到的泡孔尺寸更小，孔密度更大且泡孔形態(tài)更容易控制，生產(chǎn)過程安全性也大大提高。自主研發(fā)了超臨界CO 2 擠出和模壓發(fā)泡技術(shù)，包括超臨界流體恒流進(jìn)氣系統(tǒng)和裝備，以及適于超臨界CO 2 發(fā)泡過程的雙階、單階擠出發(fā)泡和模壓發(fā)泡系統(tǒng)和裝備，并可基于CO2 和聚合物的相互作用快速確定優(yōu)化的發(fā)泡工藝。采用超臨界CO2 擠出發(fā)泡技術(shù)制備了泡孔尺寸0.5～1 mm，發(fā)泡倍率5～20倍的聚酯PET、聚苯乙烯PS、聚丙烯PP、聚乳酸PLA和聚乙烯PE等發(fā)泡棒材。采用超臨界CO 2 模壓發(fā)泡技術(shù)制備了泡孔尺寸1～50 μm，發(fā)泡倍率5～20倍的發(fā)泡片材。另外采用Mucell超臨界流體注塑成型制備了泡孔尺寸1～100 μm、較實(shí)體材料減重5～30%而力學(xué)性能不損失的多種聚合物的微孔發(fā)泡材料，包括聚丙烯PP、聚苯乙烯PS、聚酯PET、聚醚砜PES、聚砜PSF以及復(fù)合材料等。

本成果涉及一種可用于電子封裝領(lǐng)域的高導(dǎo)熱低介電復(fù)合材料。通過采用不同的技術(shù)在常見聚合物基材中添加氮化硼，來制備復(fù)合材料，復(fù)合材料熱導(dǎo)率高于 2 W/(m·K)，其介電常數(shù)小于 4。該復(fù)合材料可作為熱界面材料，應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域。

本發(fā)明屬于聚合物材料熱氧穩(wěn)定性能的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種提高聚合物材料用抗氧劑抗氧化效率的方法。本發(fā)明提供一種提高聚合物材料用抗氧劑抗氧化效率的方法，即在聚合物材料中添加抗氧劑和第三組分，按重量比計(jì)，聚合物材料︰抗氧劑︰第三組分＝100︰0.1～5︰0.1～5，其中，第三組分為石墨烯或納米粘土。本發(fā)明利用石墨烯和納米粘土的氧氣阻隔效應(yīng)及吸附自由基能力，結(jié)合抗氧劑這種有機(jī)小分子能夠促進(jìn)納米填料的分散特性，通過同時(shí)加入石墨烯或納米粘土和抗氧劑這一簡(jiǎn)單有效的方法，提高了聚合物用抗氧劑的抗氧化效率，還提高了聚合物材料的熱氧穩(wěn)定性能。

利用不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的無規(guī)共聚物或改性天然大分子制備聚合物膠體粒子，通過對(duì)聚合物鏈結(jié)構(gòu)以及制備方式的控制，得到不同形態(tài)、大小、表面性質(zhì)的聚合物膠體粒子；此類聚合物膠體粒子具有優(yōu)異的表面活性，可作為顆粒乳化劑穩(wěn)定油/水界面，相比傳統(tǒng)表面活性劑和無機(jī)固體顆粒乳化劑，其具有極高的乳化效率，且可以通過簡(jiǎn)單的調(diào)控手段實(shí)現(xiàn)乳液的相反轉(zhuǎn)或者制備高內(nèi)相乳液，可用于涂料、食品、化妝品、醫(yī)藥等領(lǐng)域。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩):聚苯乙烯磺酸鹽（PEDOT:PSS）是最經(jīng)典的空穴傳輸界面材料和柔性電極材料之一。PEDOT:PSS具有良好的光/熱/電化學(xué)穩(wěn)定性、成膜性和優(yōu)異的可見光透過率等優(yōu)點(diǎn)。然而，其酸性強(qiáng)，功函數(shù)相對(duì)低，我們從EDOT單體原材料出發(fā)，合成了一系列新型PEDOT衍生物，調(diào)控其各方面性能指標(biāo)，在提高有機(jī)和鈣鈦礦光伏器件的效率和穩(wěn)定性方面取得了一定進(jìn)展。同時(shí)發(fā)展簡(jiǎn)單、高效的摻雜手段，以調(diào)節(jié)PEDOT:PSS的功能，并積極推動(dòng)其在柔性電子及抗靜電等領(lǐng)域的應(yīng)用。應(yīng)用范圍:有機(jī)光電

聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩):聚苯乙烯磺酸鹽（PEDOT:PSS）是最經(jīng)典的空穴傳輸界面材料和柔性電極材料之一。PEDOT:PSS具有良好的光/熱/電化學(xué)穩(wěn)定性、成膜性和優(yōu)異的可見光透過率等優(yōu)點(diǎn)。然而，其酸性強(qiáng)，功函數(shù)相對(duì)低，我們從EDOT單體原材料出發(fā)，合成了一系列新型PEDOT衍生物，調(diào)控其各方面性能指標(biāo)，在提高有機(jī)和鈣鈦礦光伏器件的效率和穩(wěn)定性方面取得了一定進(jìn)展。同時(shí)發(fā)展簡(jiǎn)單、高效的摻雜手段，以調(diào)節(jié)PEDOT:PSS的功能，并積極推動(dòng)其在柔性電子及抗靜電等領(lǐng)域的應(yīng)用。

聚合物基復(fù)合材料表面金屬化常用的方法有真空蒸鍍金屬法、真空離子鍍金屬法、電鍍法、化學(xué)鍍法、電鑄法、表面直接噴涂金屬法等。這些方法各有其優(yōu)缺點(diǎn)：如真空蒸鍍和真空離子鍍的鍍層厚度均勻，但所需設(shè)備昂貴且制件尺寸受設(shè)備大小限制，涂層較薄且制備成本較高。電鍍法工序復(fù)雜，鍍層附著力相對(duì)較低；化學(xué)鍍是大多數(shù)電鍍工藝中都必須涉及到的，通常作為塑料制品電鍍的前處理工藝，其優(yōu)點(diǎn)是鍍層致密、孔隙率低、適用的基體材料范圍廣，可在金屬、無機(jī)非金屬及有機(jī)物上沉積鍍層；缺點(diǎn)是鍍液壽命短、穩(wěn)定性差，鍍覆速度慢、不易制備厚涂層，存在環(huán)境污染。電鑄法可制取高光潔度、高導(dǎo)電性、高精度、內(nèi)腔結(jié)構(gòu)復(fù)雜的制件，但每做一個(gè)制件就需一個(gè)模具，模具成本高、生產(chǎn)周期長。熱噴涂法是把金屬顆粒加熱到熔融狀態(tài)后沉積到基板或工件表面形成涂層；但聚合物基板材料的熔點(diǎn)很低，熱噴涂時(shí)熔融金屬顆粒和高溫焰流將對(duì)聚合物基板材料表面產(chǎn)生嚴(yán)重的破壞；而且由于熱噴涂的加熱溫度較高，所制備的金屬涂層由于氧化和孔隙的產(chǎn)生很難滿足使用要求。 冷噴涂技術(shù)不需要或者只需要很少量的熱量輸入，加熱溫度低、顆粒飛行速度高，這就有效防止了熱噴涂時(shí)的熱影響，減少了基體表面三維畸變，涂層中氧化、相變的發(fā)生，涂層殘余熱應(yīng)力小，可制備厚涂層；另外，與熱噴涂一個(gè)相同的技術(shù)優(yōu)勢(shì)是通過機(jī)械手挾持噴槍或者把基體工件放在數(shù)控工作臺(tái)上，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)一些復(fù)雜表面、較大工件的噴涂，加工靈活，適應(yīng)性強(qiáng)。目前可制備純Al涂層和Al-Cu等多層結(jié)構(gòu)。 已申請(qǐng)專利：“一種聚合物基復(fù)合材料表面金屬化涂層的制備方法及裝置”，中國發(fā)明專利申請(qǐng)?zhí)枺?01010588064.X.，專利申請(qǐng)時(shí)間：2010.12.14，專利公開日：2011.05.18

聚合物超細(xì)微粉是經(jīng)過一定工藝過程制備的具有微米到納米尺寸的聚合物粉體材料，具有獨(dú)特的性能，應(yīng)用廣泛。然而由于聚合物強(qiáng)韌性、低軟化溫度，實(shí)現(xiàn)聚合物的超微細(xì)化難度較高。傳統(tǒng)的機(jī)械粉碎法能耗高，對(duì)強(qiáng)韌性聚合物需深冷粉碎，有時(shí)需引入酸堿介質(zhì)，且達(dá)到的粒度有限。本項(xiàng)目利用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的固相磨盤形力化學(xué)反應(yīng)器獨(dú)特結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的強(qiáng)大擠壓剪切力或在優(yōu)選的助磨劑共同作用下實(shí)現(xiàn)脆性、彈性和強(qiáng)韌性聚合物如PP、PS、PE、PA6、SBS等的有效粉碎，可制備粒度可達(dá)微米級(jí)的單一聚合物超細(xì)微粉、混合聚合物超細(xì)微粉、聚合物共混物超細(xì)微粉以及聚合物/無機(jī)物復(fù)合超細(xì)微粉。

本發(fā)明提供一種星型聚合物及其制備方法和應(yīng)用，該星型聚合物的制備方法包括：步驟S1、季戊四醇與2?溴異丁烯酰溴混合反應(yīng)得到星型引發(fā)劑；步驟S2、所述星型引發(fā)劑與含氮的丙烯酸酯類單體混合反應(yīng)即得。與現(xiàn)有外源核酸制備成本高或核酸分子遞送效率低相比，本發(fā)明的星型聚合物具有很好的水溶性和低細(xì)胞毒性，其制備方法簡(jiǎn)單、制備成本低，其能夠與外源核酸分子形成穩(wěn)定的復(fù)合物而快速進(jìn)入細(xì)胞。

1、基于超分子作用的聚合物-SiO2 復(fù)合粒子的設(shè)計(jì)合成和性能研究 2、聚合物-無機(jī)納米復(fù)合粒子的制備與表征3、在 Chem. Rev., Polym. Chem., Langmuir, J. Phys. Chem. C, J. Polym.Chem. Part A,