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本發(fā)明公開了一種通過膜側(cè)種植方法防除苜蓿田間雜草的技術(shù)。使用該技術(shù)可以有效控制苜蓿田雜草的蓋度，使苜蓿田的蓋度降低21?46％；同時大幅提高當(dāng)年的苜蓿干草產(chǎn)量，提高幅度19.8％?152.6％。可以使每公頃3年總的產(chǎn)量增加9387.6?9438.4kg，按每噸價格2400元計算，可以使每公頃增加經(jīng)濟效益22530?22652元，折合每畝增效1502?1510元。同時降低了除草劑的使用量，減少了對環(huán)境的污染，可以有效促進苜蓿產(chǎn)業(yè)的低環(huán)境消耗生產(chǎn)的目標(biāo)。

本發(fā)明公開了一種適用于陶瓷PTC裝配技術(shù)的卷膜裝置。四個推桿組分別為上豎直推桿組、下豎直推桿組、上水平推桿組和下水平推桿組，機架上面板和機架下面板的四角之間均通過面板撐桿固定支撐連接，上豎直推桿組安裝在機架上面板頂面中心，上水平推桿組安裝在機架上面板頂面的一側(cè)，下豎直推桿組安裝在機架下面板頂面中心，下水平推桿組安裝在機架下面板頂面與上水平推桿組相反的一側(cè)，發(fā)熱芯位于上豎直推桿組和下豎直推桿組之間，四個推桿組按固定順序運動，將薄膜全部卷在發(fā)熱芯上。本發(fā)明采用自動卷膜技術(shù)，相比手工卷膜技術(shù)，極大提高了生產(chǎn)效率并使產(chǎn)品規(guī)格統(tǒng)一。

制備對可見光透過良好，而對紫外線和紅外線有優(yōu)良的阻隔作用，并且價格低廉，易于加工的建筑用或車用太陽膜是非常有應(yīng)用價值和實際意義的。現(xiàn)今市場上的太陽膜，一般是采用沉積或濺射的方法在聚合物薄膜或直接在玻璃上沉積制備的一層或多層金屬或金屬氧化物，主要利用金屬膜或金屬氧化物膜對紅外線進行吸收和反射。但由于這種方法所需設(shè)備復(fù)雜昂貴，而且填充的金屬及金屬氧化物的成本也不低廉，所以制備低成本且性能優(yōu)良的太陽膜成為一種需求。本項目采用價廉易得的炭黑作為填充物，與聚合物復(fù)合制備太陽膜。炭黑作為一種典型的吸光物質(zhì)，對紫外線和紅外線有很強的吸收特性，但炭黑易團聚，在聚合物基體中不易分散，造成薄膜不同區(qū)域可見光和紫外線及紅外線的透過率差異很大，另外炭黑粒子的分布不均，也會造成成膜性能差，薄膜韌性不能達到應(yīng)用要求。本項目首先通過對炭黑進行改性，改善其在聚合物基體中的分散，并使改性炭黑粒子的尺寸遠小于可見光的波長，粒子和基體的折射率盡量匹配，從而減小粒子填充的體積份數(shù)。炭黑經(jīng)過改性后，其填充的聚合物復(fù)合薄膜將具有較好的透明性，同時又能在一定程度保持對紫外線和紅外線的強吸收特性,使這種復(fù)合薄膜作為太陽膜使用成為一種可能。本項目詳細研究了改性炭黑在基體中的分散狀況，并對復(fù)合薄膜的光學(xué)特性進行了重點研究, 解決可見光透過率與紅外線阻隔這一對矛盾，從而制備符合太陽膜性能要求的新型復(fù)合薄膜。另外，制備復(fù)合薄膜的方法簡單，操作時無需復(fù)雜昂貴的設(shè)備，因此應(yīng)用前景廣闊。

研發(fā)階段/n仿生型膜通過在普通的白色薄膜中添加轉(zhuǎn)光劑，使陽光中對作物無用的紫外光轉(zhuǎn)變?yōu)閷ψ魑锷L有利的藍紫光（430nm-480nm）及紅光（630nm-680nm），從而促進作物生長速度的提高和產(chǎn)量的增加。由于仿生型膜能將陽光中的能量較高的紫外光轉(zhuǎn)變?yōu)槟芰肯鄬^低的藍紫光，因此，用仿生型膜包裝水果、蔬菜等綠色食品，可起到保護水果、蔬菜的功效。在甜玉米、黃瓜、轉(zhuǎn)基因番茄、棉花營養(yǎng)體上進行田間應(yīng)用實驗，均提高了苗期生長速度，作物開花結(jié)果提前3-15天左右，作物產(chǎn)量提高5-10%左右；在番茄、甜玉米、黃

【發(fā) 明 人】潘林梅；郭立瑋；黃敏燕；朱華旭；倪荷芳【技術(shù)領(lǐng)域】 本發(fā)明涉及一種膜清洗劑，特別涉及一種適用于陶瓷膜微濾中藥液體制劑的清洗劑。【摘要】一種陶瓷膜清洗劑，其特征在于包括下列組分，各組分按質(zhì)量份配比為：氫氧化鈉50-60質(zhì)量份、氫氧化鈣20-30質(zhì)量份、次氯酸鈉5-10質(zhì)量份、十二烷基苯磺酸鈉5-I0質(zhì)量份、四硼酸鈉l-5質(zhì)量份、硅酸鈉質(zhì)量l -10份、甲基纖維素1-5質(zhì)量份。清洗劑制備簡便，清洗效果甚佳。對中藥液體制劑適用性強，降低了膜的清洗頻率。無需拆卸膜管，清洗方便易行。膜通量恢復(fù)迅速，大大縮短了清洗時間，降低了系統(tǒng)的能耗。膜管損害小，不影響膜管的使用壽命。避免清洗劑造成的二次污染，加速系統(tǒng)的再生。

1. 項目背景（1）隨著經(jīng)濟的不斷發(fā)展以及國家對環(huán)境保護問題的日益重視，污水排放要求越來越嚴(yán)格，而傳統(tǒng)的處理方法不能滿足日趨嚴(yán)格的排放要求，膜技術(shù)幾乎能將所有的微生物截流在

二、成果介紹1、 成果簡介：（500字以內(nèi)） 本項目針對國內(nèi)外對特種高分子樹脂及膜材料的重大需求，在傳統(tǒng)聚芳醚酮和聚醚砜樹脂的基礎(chǔ)上，制備高附加值和高性能的功能型改性聚芳醚樹脂及功能膜材料。具體的研究內(nèi)容和完成情況包括：（1）功能型聚芳醚樹脂合成、化學(xué)改性及放大；（2）適合耐高溫樹脂的膜制備工藝；（3）針對功能膜材料在分離膜、質(zhì)子交換膜、功能涂層和生物醫(yī)用材料方面的應(yīng)用性開發(fā)。研制

本實用新型涉及一種光能驅(qū)動靜電水膜空氣凈化裝置，屬于家用電器領(lǐng)域。從上到下包括頂殼、收 塵區(qū)、底殼，所述頂殼上表面有進氣口，太陽能電池板，內(nèi)部有機電中樞和電機，電機通過中央軸帶動 渦輪風(fēng)扇，在電機下面的兩側(cè)設(shè)置高壓電極，所述機電中樞內(nèi)設(shè)蓄電池和單片機，控制高壓電極和電機， 所述渦輪風(fēng)扇邊緣還有蓄水池;收塵區(qū)由外筒與金屬內(nèi)筒構(gòu)成，外筒和金屬內(nèi)筒由絕緣的支架連接，內(nèi) 筒與中央軸下端通電形成電場;底殼內(nèi)

光掩膜版(又稱光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中實現(xiàn)設(shè)計圖形轉(zhuǎn)移的載體，是決定其微細結(jié)構(gòu)和線寬精度的核心材料和工具。 目前中國半導(dǎo)體掩膜版的國產(chǎn)化率10%左右，90%需要進口，高端掩膜版國產(chǎn)化率3%，miniLED和microLED產(chǎn)業(yè)升級也需要更多高端掩膜版。隨著中國市場需求的持續(xù)提升，掩膜版產(chǎn)能嚴(yán)重不足。并且中國半導(dǎo)體掩膜版的產(chǎn)業(yè)起步較晚，技術(shù)滯后，核心技術(shù)和裝備基本讓國外公司壟斷，特別是在設(shè)備、材料領(lǐng)域眾多技術(shù)處于“卡脖子”狀態(tài)，例如掩膜版制造的核心裝備光刻機、檢測機、測量機、修復(fù)機和貼膜機等都依賴進口，嚴(yán)重制約中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。華中科技大學(xué)徐智謀教授團隊致力于全套高端半導(dǎo)體光掩膜版的關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)，為“卡脖子”技術(shù)研究而努力。 具有建立180 nm技術(shù)節(jié)點半導(dǎo)體掩膜版量產(chǎn)線相關(guān)核心技術(shù)；具備130 nm至28 nm半導(dǎo)體掩膜版研發(fā)、設(shè)計及驗證能力。主要研究成果如下： 1） 工藝突破 團隊掌握了掩膜版MEMS微納加工量產(chǎn)核心技術(shù)，如電子束光刻、激光光刻和納米壓印光刻等MEMS微納加工工藝的各類技術(shù)參數(shù)的搭配和優(yōu)化，以及大數(shù)據(jù)量軟件快速處理、補償?shù)取? 2） 裝備國產(chǎn)化 A. 超高精度二維測量裝備 尺寸測量是驗證掩膜版技術(shù)指標(biāo)的核心，主要包括關(guān)鍵尺寸測量(CD)和長尺寸測量(TP)。團隊已掌握掩膜版的關(guān)鍵測量技術(shù)，達到國內(nèi)先進水平，具有整套設(shè)備的整機制造能力。 TP測量是掩膜版制作的核心指標(biāo)，直接影響到客戶的套合精度，該測量設(shè)備一直由國外極少數(shù)廠商壟斷，且價格昂貴，一般在1000萬美元以上，高端限制對中國出口。團隊目前正在攻克該項技術(shù)，已取得階段性成果。 B. 缺陷修復(fù)裝備 掩膜版修補技術(shù)是提升良品率的關(guān)鍵手段，該技術(shù)一直為國外壟斷。團隊已熟練掌握UV、DUV激光化學(xué)沉積技術(shù)及皮秒飛秒激光金屬處理技術(shù)，具備整機制造能力，可降低設(shè)備采購成本70%以上。 C. Pellicle自動貼膜裝備 隨著產(chǎn)品精度的提升和應(yīng)用領(lǐng)域的高端化，掩膜版貼膜是個不可缺少的重要環(huán)節(jié)。在IC制造領(lǐng)域100%掩膜版需貼Pellicle，在IC封裝領(lǐng)域90%以上需貼膜，在LED領(lǐng)域80%以上需貼膜。該貼膜設(shè)備一直國外公司壟斷，國內(nèi)廠家沒有提供，國外采購全自動貼膜設(shè)備需100萬美元左右。團隊具備研發(fā)制造該設(shè)備的能力，貼膜精度±0.1mm,且有設(shè)備正式在產(chǎn)線運營，制造成本可節(jié)約90%以上。 3） 廠房建設(shè)關(guān)鍵技術(shù) 團隊對MEMS及其掩膜工廠工藝設(shè)備廠務(wù)設(shè)計有豐富經(jīng)驗，掌握高等級防微震廠房結(jié)構(gòu)和設(shè)備平臺的設(shè)計施工，可達到VC-D級技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，滿足納米級生產(chǎn)技術(shù)要求。 【技術(shù)優(yōu)勢】 （1）掌握了高性價比掩膜版量產(chǎn)的關(guān)鍵核心技術(shù)，包括部分裝備的國產(chǎn)化，解決“卡脖子”技術(shù)難題，量產(chǎn)線建設(shè)成本節(jié)約30%以上； （2）具備28 nm及以下技術(shù)節(jié)點掩膜版設(shè)計開發(fā)能力和驗證平臺，驗證周期可縮短3倍； （3）擁有一支20多年以上掩膜版量產(chǎn)、研發(fā)和銷售經(jīng)驗的隊伍，成熟的企業(yè)管理經(jīng)驗，保證企業(yè)穩(wěn)步成長，確保投資風(fēng)險可控。 【合作方式】 股權(quán)投資合作共建或政府孵化+中試線。

本發(fā)明公開了一種摩擦制備柔性透明導(dǎo)電膜的方法，該方法將 聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平鋪在基板上，再將納米石墨粉按 0.005～ 0.02 毫克/平方厘米均勻鋪在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上，然后將納米石 墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板進行摩擦，使納米石墨粉 在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微導(dǎo)電溝道，得到柔性、透明 的導(dǎo)電膜。本發(fā)明具有工藝周期短，實施便捷的特點。產(chǎn)品與目前市 場上的透明導(dǎo)電 ITO 玻璃相比，表現(xiàn)出