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本發明提供一種單缸雙活塞內孔用機械手，包括氣缸、一級活塞(21)、二級活塞(22)和彈簧卡 爪(3)，所述的氣缸包括缸體(11)、設置在氣缸下端的端蓋(12)和設置在缸體內壁的活塞導向套(13)， 所述的一級活塞(21)設置在缸體中部，所述的二級活塞(22)設置在缸體(11)下部，二級活塞(22) 上下端均設有活塞桿;本發明的氣缸結構中，將傳統的兩級氣缸結構簡化為單缸雙活塞結構，兩個活塞 將氣缸腔

該鐵合金粉末平均粒徑小于500納米，比表面積大，強度高；與超細鐵粉相比，化學穩定性好，具有一定的磁性，可長時間在空氣中放置而不腐蝕，不變質，成型性好，阻尼性能好；適合取代超細鐵粉用于高端粉末冶金制造；適合用于阻尼涂料添加劑，對高頻振動波具有很好的吸收效果；適合用于磁流體材料添加劑，在弱酸、弱堿中能穩定存在而不被腐蝕。

園林小菊新品種可自然分枝成球型，克服了以往需多次摘心和化學調控的缺點，實現了節本增效 一、項目分類 顯著效益成果轉化 二、技術分析 切花菊新品種突破了觀賞性和抗性聚合，在抗蚜蟲、耐寒等抗性和花色（綠色、雙色）、花型（乒乓型、托桂型）等觀賞性狀方面綜合表現突出；園林小菊新品種可自然分枝成球型，克服了以往需多次摘心和化學調控的缺點，實現了節本增效；“蘇菊系列”優質抗逆大花型茶用菊新品種的類黃酮、綠原酸、木犀草苷等功能成分含量較原有主栽品種提高20%以上。

本發明公開了一種超導電力裝置用空心低溫杜瓦，包括上、下 層低溫杜瓦部件和支撐體；上、下層低溫杜瓦部件均為中間帶有方形 通孔的空心圓筒結構，上層低溫杜瓦部件嵌套在下層低溫杜瓦部件內， 上層低溫杜瓦部件和下層低溫杜瓦部件的上部高度相等且均為敞口， 上、下層低溫杜瓦部件之間支撐體連接支撐；上層低溫杜瓦部件的空腔用于盛裝液氮和提供超導線圈放置的空間；上、下層低溫杜瓦部件 之間的空隙內填充有隔熱材料。本發明通過對低溫杜瓦部件的形狀和 結構的巧妙設計使其達到安全、穩定運行的效果。這種杜瓦結構可以 用于超導磁體中

根據我國交通現狀，鐵路運輸己遠遠超過航空業及其它運輸行業成為我國國民經濟的大動脈，是我國基礎建設的重中之重。 2009 年全世界爆發經濟危機，我國領導人果斷利用大量資金投入國民基礎建設之中，拉動經濟發展，其中對鐵路及其相關運輸業的投入尤為明顯。受電弓滑板作為一種在電力機車與動車組中消耗量大且更換頻繁的零部件，直接影響鐵路交通運輸的成本及經濟效益,，所以對受電弓滑板材料的研究與開發有重大的現實意義及廣闊的市場前景。但是，作為電力機車從接觸網上輸入電能的關鍵部件即受電弓滑板在制備技術的改進和性能的改善等

?  成果簡介：凡是噪聲環境惡劣、且需要通話的場合，都適用抗噪聲通話系統。達到國外抗噪聲通話產品的性能指標。隨著我國汽車工業的發展，近年來我國的車用渦輪增壓器市場也取得了快速的發展，形成了較大的生產規模。但是與渦輪增壓器市場迅猛發展不協調的是，目前國內增壓器設計的核心技術還是掌握在國際知名企業手中，國內的增壓器制造企業，新產品的開發主要還是依靠仿制，產品的設計還是停留在經驗設計階段，沒有形成自己的設計方法和核心技術，這對于提高企業核心競爭力和企業的可持續發展極為不利。針對國內車用

（一）項目背景 當前以硅、砷化鎵為代表的第一和二代半導體接近其物理極限，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體是當前國際競爭熱點，也是我國發展自主核心半導體產業、實現換道超車的難得機遇。氮化鎵（GaN）特別適合制作高頻、高效、高溫、高壓的大功率微波器件，是下一代通信、雷達、制導等電子裝備向更大功率、更高頻率、更小體積和抗惡劣環境（高溫抗輻照）方向發展的關鍵技術。 目前氮化鎵基射頻器件已接近于商用，需解決從走出實驗室到小量中試的最后“1 公里”，重點攻克其在可靠性工藝和量產穩定性的瓶頸。 以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體是當前國際競爭熱點，也是我國發展自主核心半導體產業、實現換道超車的難得機遇。 半導體作為信息時代的“糧食”，將成為 5G 基建、特高壓、城際高鐵和城際軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心、人工智能、工業互聯網等“新基建”七大領域發展的支柱性產業。而氮化鎵為代表的寬禁帶半導體先進電子器件，憑借其高效、高壓、高溫等優勢，將在“新基建”中大放異彩，可以彌補傳統半導體器件的技術瓶頸，滿足更高性能器件要求。 （二）項目簡介 5G 要求更高的數據傳輸速率，發射機的效率會出現指數級的下降。這種下降可以使用包絡跟蹤技術來修復，該技術已經在較新的 4G/LTE 基站以及蜂窩電話中采用。基站中的包絡跟蹤需要高速，高功率和高電壓，這些只有使用 GaN 技術才能實現。諸如 GaN 助力運營商和基站 OEM 等實現了 5Gsub-6-GHz 和 mmWave 大規模 MIMO 的目標。 GaN 可以說為 5Gsub-6-GHz 大規模 MIMO 基站應用提供了眾多優勢：1、在 3.5GHz 及以上頻率下表現良好，對比其他產品優勢明顯。2、GaN 的特性能轉化為高輸出功率，寬帶寬和高效率。采用 DohertyPA 配置的 GaN 在 100W 輸出功率下的平均效率達到 50%至 60%，明顯降低了發射功耗。3、在高頻和寬帶寬下的效率意味著大規模 MIMO 系統可以更緊湊。4、可在較高的工作溫度下可靠運行，這意味著它可以使用更小的散熱器。 根據 Strategy Analytics 的數據，預計 5G 移動連接將從 2019 年的 500 萬增長到 2023 年的近 6 億。所以需求還將不斷上漲。 根據Strategy Analytics的數據，預計5G移動連接將從2019年的500萬增長到2023年的近6億。所以需求還將不斷上漲。 Efficient Power Conversion 的首席執行官兼聯合創始人Alex Lidow 討論5G時也說道：“基站中的包絡跟蹤需要高速，高功率和高電壓，這些只有使用GaN技術才能實現。根據Yole Development公司發布的2018年度報告數據顯示，隨著全球整體數據流量的激增，我國5G產業將迎來大規模的需求增長。預計到2022年，我國5G基站規模將達到千億市場，5G基站數量將達百萬個。所以未來氮化鎵基射頻器件是5G通信基站收發端的核心。 氮化鎵基射頻器件是華為和中興發展 5G 通信產業的核心器件，西安電子科技大學氮化鎵射頻器件研究團隊自 2016 年起就與華為西安研究所、中興西安研究所等國內主流5G通信公司協同攻關開展氮化鎵基射頻器件的研究，目前承擔的流片服務項目合計約 500 萬元。 2017 年，西安電子科技大學與西安市高新區、西電電氣集團等聯合成立“陜西半導體先導技術中心”，中心致力于推動陜西第三代半導體產業發展，促進以氮化鎵為代表的射頻器件、功率器件等加速產業化，2019 年團隊向陜西半導體先導技術中心轉讓專利 35 項，作價 2000 萬元，雙方正在聯合推進搭建第三代半導體中試平臺，平臺將會立足西安，服務全國，提升氮化鎵基射頻器件量產工藝可靠性，實現相關技術成果轉化。 （三）關鍵技術 本項目由西安電子科技大學作為技術攻關的主要單位，制定技術路線，保障國家重大科技專項“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”和“5G 移動通信 GaN 芯片可靠性機理研究”研究，與華為和中興聯合開展工程合作項目實施，加快解決器件工藝可靠性工程問題，重點開展氮化鎵微波功率與太赫茲器件工程技術研究，突破高性能低缺陷外延材料生長、高效率高可靠氮化鎵微波功率器件工藝技術等關鍵瓶頸問題，協助規模量產高效率 S-Ku 波段典型氮化鎵功率器件和模塊、5G 基站核心射頻模塊。

（專利號：ZL 201510030428.5） 簡介：本發明公開了一種兩用型試油試水膏，屬于精細化工產品制備技術領域。本發明所提供的試油試水膏組成及其重量份數是：12～18份的聚乙二醇600、15～20份的二氧化鈦、5～8份的聚乙二醇2000、1～1.4份的硼酸三丁酯、0.06～0.12份的蓖麻油、3.5～4.0份的氣相二氧化硅、28～34份的凡士林、3～5份的氧化鈣、1.3～1.8份的百里酚酞、18～22份的高嶺土、0.22～0.28份

 一種用于康復治療的按摩用醫療器械，包括底板、支撐板裝置、固定裝置、連接線裝置、氣缸裝置、轉輪裝置、定位裝置及敲擊裝置，底板上設有第一支架、第一斜桿及第二支架，支撐板裝置包括支撐板、第一滾輪、第一豎桿、第二滾輪、第三支架、第一電機、第一輸出軸、第二豎桿、第三滾輪、第四支架及第三豎桿，固定裝置包括第一彎曲板、第一彈性桿、第一橫桿、第一海綿塊、第二橫桿、第一移動桿、第一頂靠桿、第一彈簧，連接線裝置包括第一定位塊、第二彈簧、第二定位塊及連接線，氣缸裝置包括第二斜桿、第六支架、第三橫桿、第七支架、氣缸、第一推動桿及第一推動塊。本發明能夠對患者需要按摩的部位進行充分的按摩，按摩效果較好。

作為小型的污水處理與回用設備或者規模較小的處理工程，目前的工藝需要多個池體構筑物或設備進行組合，占地面積較大，并且運行費用較高。本發明將生化處理單元和深度過濾處理單元一體化，綜合性和靈活性高，較低的投資與運行費用和成本，自動化程度高；處理效果可以達到有關污水處理回用的水質指標，可回用于道路澆灑、綠化澆灌、洗車、地面沖涮、工業利用等。