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提供遺傳性狀穩定、高產蝦青素的法夫酵母（ Phaffia rhodozyma） YZUXHONG686CCTCC NO.M 208262 ， 在食品、醫藥、化妝品及養殖行業可得到廣泛的應用。

本項目開發了膜法VOCs回收技術，該技術針對有機廢氣中，揮發性有機物與空氣理化性質的不同，開發出具有優先滲透有機物，截留空氣的高性能分離膜，實現有機廢氣中揮發性有機物與空氣的分離，達標排放凈化空氣。有機物在分離膜滲透側獲得濃縮，以較低的能耗冷凝收集回收有機物。其特點是操作簡單、能耗低，與石蠟油回收正己烷相比，節能70%以上。該技術及所使用的分離膜已獲中國專利授權。并且該技術同時實現揮發性有機物的回收利用和有機廢氣的清潔排放。因此具有分離效果好、排放濃度低、回收率高、無二次污染和能耗低等優點。

本技術主要產品為空氣凈化膜及成套分離設備，包括中低溫與高溫空氣凈化膜兩大類主要產品。除塵膜材料為碳化硅等無機材料或改性聚四氟乙烯材料，化學穩定好，機械強度高。可經受各種有機氣體腐蝕，能夠進行頻繁的反吹和化學清洗，壽命在3年以上。可用于冶金、化工、水泥等工業過程煙氣處理及家庭、商場、寫字樓、汽車等民用場所空氣凈化。 專利情況：在申請19項已授權5項，專利號： 成熟度：量產 合作方式：技術開發、技術轉讓、技術服務 創新要點：1）分離效率高：除塵膜對PM2.5截留率大于99.99%，滲透側顆粒濃度小于20mg/m3，最低可小于20μg/m3； 2）抗污染性能好，能量消耗低：膜材料的復合結構使傳統空氣過濾材料的“深層過濾”轉變成“表面過濾”，避免粉塵侵入基材，不僅可以維持較高的過濾效率，而且降低了運行阻力，有效降低了能耗與運行成本； 3）耐高溫，壽命長：可在500℃以上使用，可以最大程度地利用氣體的物理顯熱，提高能源利用率，同時可以簡化工藝過程，節省工藝設備投資，并避免了濕法除塵所帶來的二次水污染。 技術指標：無機碳化硅膜有機PTFE膜 膜平均孔徑μm 0.5-1.5 0.2-5 膜厚度μm 10-150 10-150 孔隙率%>36>36 最大使用溫度℃1000 260 滲透率m/h•kPa>100>500 截留率%>99.99>99.99 外徑/內徑mm/mm 60/40 130 長度m 0.5-3 0.5-10

紡織加工過程中會產生的大量下腳料，這些下腳料纖維長度短、整齊度差、含雜率高，限制了其回收利用，從而造成了嚴重的資源浪費。針對這一現象，項目提出利用生物技術對成網后的短纖維進行生物法加固制備非織造布，為紡織生產中產生的下腳料提供了新的再加工方式。該非織造布制備過程綠色環保，成本低廉，在生產過程中不需要使用任何有機溶劑，能耗低，是一種低成本、無污染的紡織原材料生物加工技術。 關鍵技術 高產菌種的篩選及培養基配方的優化；下腳料非織造布制備關鍵技術；低克重非織造布制備關鍵技術；非織造布后處理技術。 知識產權及項目獲獎情況 授權專利：一種食藥用真菌納米膜的制備方法及其應用（專利號 :201310527970.2） 項目成熟度 ：試生產階段 投資期望及應用情況 效益分析（資金需求總額 200 萬元） 應用情況：江蘇菲特濾料有限公司 

己二酸是一種重要的有機二元羧酸，廣泛應用于有機合成、醫藥和潤滑劑制造等領域。目前，工業上己二酸的生產路線主要通過硝酸對環己醇—環己酮的混合物(KA 油)進行氧化制取。雖然己二酸的化學合成方法已經成熟，但是存在著工藝流程長、副產物較多、工業“三廢”排放嚴重、產品收率不高等問題，特別的其溫室氣體氮氧化物的排放量巨大。因此，研究開發新的清潔無害己二酸生產工藝越來越受到人們的重視。本成果提供了一種己二酸的全生物合成方法，可以利用可再生碳源，獲得高產量的己二酸，同時產品的回收提取更加方便簡單，極大程度地降低了對環境的污染程度。 創新要點 本項目在大腸桿菌中重構逆己二酸降解途徑，實現了己二酸的高效生物合成。通過對菌株進行代謝改造，選用組成型啟動子以避免高額誘導劑的使用，最終在 5 L 發酵罐中實現了己二酸的高產，同時大幅度降低生產成本，使工業化生產己二酸成為可能。

香蘭素，又稱香草醛，具有香子蘭特有的濃郁的奶香味，是世界上產量最大的一種廣譜型香料，廣泛被用于冰淇淋、乳制甜點、糖果、焙烤食品、可樂飲料和烈酒等中。目前，市場上的香蘭素產品大多來源于石油化工產品愈創木酚、木質素等的化學合成，僅有極少一部分是從香子蘭豆莢中提取生產。隨著人們對天然和健康無污染食品的要求，生物法產品替代合成產品成為發展的趨勢，微生物轉化方法制造的天然等同（NI）香蘭素受到人們青睞。 

調味品產業總體上已經經歷了第一代味精、第二代特鮮味精和第三代雞精、 雞粉的發展過程，而雞汁是在前三代的基礎上，采用現代生物技術和工藝研制的 全新的第四代調味品。市售部分雞汁產品應歸為調配雞汁（如部分廠家濃縮雞汁 產品等），主要是由雞肉濃縮抽提物、淀粉、雞油、鹽、味精、水等經過調配、 熱處理、細化、均質和殺菌等工序處理制成。此類調配雞汁產品與采用酶法制備 的原雞汁相比，一方面在鮮香味、營養價值、加工安全性等存在較大的差距，同 時也不利于下游加工（如雞精加工）企業充分把控全過程產品質量。

產品詳細介紹KY-DRX-RX型材料導熱系數測試儀 (熱線法)   該導熱系數儀主要測試定形隔熱耐火制品，粉狀料等材料的導熱系數。非金屬固體材料導熱系數，儀器參考標準：GB5990-86《定形隔熱耐火制品導熱系數試驗方法(熱線法)》。GB/T 10297-1998《非金屬固體材料導熱系數的測定(熱線法)》，GB/T 17106-1997《熱耐材料導熱系數試驗方法(平行熱線法)》。該儀器集交叉熱線和平行熱線于一體，合理的設計，由計算機實現全自動測試。 1、導熱系數測試范圍：交叉熱線0.015～1.7w/m·k  平行熱線：0.015～20 w/m·k 2、準確度±5% 3、最高溫度1000℃，1400℃，1600℃。 4、試樣尺寸要求：最大尺寸為：230×114×65(mm) 最小尺寸為：200×100×50（mm） 5、計量加熱功率可調節，也可有計算機控制。 6、同時實現交叉熱線和平行熱線法測試。 7、由計算機實現全自動測試。（計算機選配）  

研究背景 芯片是人類最偉大的發明之一，也是現代電子信息產業的基礎和核心。小到手機、電腦、數碼相機，大到6G、物聯網、云計算均基于芯片技術的不斷突破。半導體光刻工藝水平的發展是以芯片為核心的電子信息產業的基石，目前半導體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內晶體管單元已經接近分子尺度，半導體制作工藝的“瓶頸效應”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發展，急劇增長的龐大數據量要求數據處理模型和算法結構不斷優化升級，帶來的結果就是對計算能力和系統功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計算力瓶頸等現象，已越來越難以滿足大數據時代對計算力與功耗的需求，因此提高運算速度同時降低運算功耗是目前信息工業界面臨的緊要問題。 如當年集成電路開創信息時代一樣，當下已經普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進，光子芯片向小型化、集成化的發展趨勢已是必然。相對于電子驅動的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點，利用光信號進行數據獲取、傳輸、計算、存儲和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發展空間和巨大的潛能。 項目功能 本項目瞄準光通信關鍵技術及核心芯片，基于量子阱二極管發光探測共存現象，探索關鍵微納制造技術，研制出可以同時實現通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術路線 一、技術原理及可行性 本項目主要負責人王永進教授發現如圖1所示的量子阱二極管發光探測共存現象，首次研制出同質集成發射、傳輸、調制和接收器件的光電子芯片，這些原創工作引起了業界相關科研小組地廣泛關注，化合物半導體同質集成光電子芯片成為研究熱點。香港大學的蔡凱威小組和申請人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術，在藍寶石氮化物晶圓上實現LED基同質集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國王科技大學Ooi教授和美國加州大學圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實現Gbps的光發射、調制和探測速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發基于光子傳輸的化合物半導體同質集成光電子芯片以實現片上光子通信是可行的。   二、總體結構設計及工藝流程 本項目提出的同時通信/感知一體化光電子芯片基于常規的藍寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進行設計，無需特殊定制的外延結構。以典型的2寸氮化鎵基藍光LED外延片為例，其外延片結構如圖2所示，從下至上依次為藍寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調節InGaN/GaN多量子阱層的參數（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長的光源器件。   圖3為本項目所提出的同時通信/感知一體化光電子芯片結構。在藍寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級微納加工技術，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術直接與基板相連，光線從透明的藍寶石襯底發出，這樣不僅使得器件具有優良的電性能和熱特性而且簡化了其后期的封裝工藝。 三、技術創新優勢 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強PD對藍寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發展趨勢； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統異質的、分立的LED和PD簡化了封裝形式和工藝，不再需要對LED和PD進行單獨的封裝，而且同質集成器件的基板也較異質結構的簡單統一，極大地縮短了集成系統的制作周期； 3、同時通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡化了生長異質材料的復雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進行批量生產，有效地降低了生產成本。 四、實驗驗證 本項目團隊所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測試與電學性能測試平臺，并且項目成員積累了豐富的測試技術與經驗，能夠滿足本項目的同時通信/感知一體化光電子芯片測試同時表征光電參數與電學參數的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項目利用單個多功能集成器件成功實現了對人體脈搏的監測功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實現了照明、成像和探測功能為一體的LED陣列系統，如圖6所示。該系統可以在點亮照明的同時，實現對外界光信號的探測與感知，通過后端系統處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實現多種功能的集成。 項目負責人王永進教授是國家自然基金委優秀青年項目、國家973項目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學術期刊發表一系列高質量研究論文，獲授權中國發明專利23項，美國發明專利2項，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報道，榮獲2019年中國電子學會科學技術獎（自然科學）、2019年南京市十大重大原創成果獎等。

在大尺寸寬禁帶/半導體單晶襯底外延設備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國內第一臺用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統，研究發展了獲得高質量GaN襯底所需的所有關鍵技術并擁有自主知識產權，在氮化鎵單晶襯底設備和材料技術領域已獲授權國家發明專利30余項、申請國家發明專利30余項。在國內最早研制出2英寸毫米級GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統并實現7片2吋及4-6吋GaN均勻生長；研究出創新性的GaN襯底批量制備技術，即將進行高質量、低成本GaN襯底的產業化應用，為第三代半導體應用奠定了材料基礎。