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本發明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經步驟（3）處理后的器件上沉積有機介電層單元；（5）在所述有機介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進行熱處理，以消除界面應力和器件的壓應力；（7）沉積有機半導體層單元。本方法通過一種機械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨率。

本發明提供的一種面向物聯網的砷化鎵基具有熱電轉換功能的MESFET器件，主要包括MESFET和熱電偶。MESFET選擇半絕緣的GaAs作為襯底，通過GaAs工藝和MEMS表面微機械加工實現具有能量轉換功能的MESFET。在源漏柵的金層四周制作一層二氧化硅，化學機械拋光后，制作熱電偶的金屬Au型熱電臂和砷化鎵型熱電臂，蒸金連接兩種熱電偶臂，將源漏柵的熱電偶電極進行金屬連線，留下兩個熱電偶電極作為塞貝克電壓的輸出極。 該砷化鎵基具有熱電轉換功能的MESFET器件根據塞貝克效應，可以將器件工作產生的熱能轉換為電能，實現能量收集的同時緩解了散熱問題。通過檢測輸出塞貝克電壓的大小來實現對熱耗散功率大小的檢測。

本發明公開一種同質結型感存算集成器件及其制備方法。該同質結型感存算集成器件包括：柔性襯底；底電極，其為有機導電聚合物，形成在所述柔性襯底上；第一功能層，其為經退火后的三元素n型氧化物半導體薄膜，具有光電響應的結晶相，形成在所述底電極上；第二功能層，其為未經退火的三元素n型氧化物半導體薄膜，與所述第一功能層的材料相同，共同構成同質結；多個彼此間隔分布的凹槽，貫穿所述第二功能層和所述第一功能層至底電極，其內填充有隔離層；頂電極，形成在所述第二功能層上，其中，第一功能層在光照下產生光生載流子，對光學信息進行感知，并以電流的形式反饋至器件，同時借助第二功能層的憶阻特性，以實現整體器件狀態的記憶存儲，通過對器件不斷地施加光電信號，實現器件電導的連續調制，從而實現神經形態計算中權重更迭。

本發明提供了一種混合導通機制鰭型柵場效應晶體管器件，包括鰭型柵場效應晶體管、第二源區與第二漏區；鰭型柵場效應晶體管包括襯底、鰭型溝道區、第一源區及第一漏區；第二源區的高度不低于第一源區與第一漏區之間的襯底的高度；第一源區與第一漏區中摻雜有第一離子；第二源區形成于襯底與第一源區之間，第二漏區形成于襯底與第一漏區之間，第二漏區與第二源區中分別摻雜有第一離子與第二離子。該方案解決了鰭型柵場效應晶體管的底部電流泄漏的問題，且通過增設第二源區和第二漏區，相當于在鰭型柵場效應晶體管的底部并聯隧穿場效應晶體管器件結構，可以實現鰭型溝道擴散漂移電流和底部溝道帶帶隧穿電流混合導通，從而獲得更優的超陡開關特性。

自微乳化技術顯著增加赤芍總苷有效成分的溶出度和口服生物利用度，進而提高藥物的療效，克服了赤芍總苷生物利用度低、服用劑量大等方面的問題。

成果描述：本實用新型公開了一種微熱計算機顯卡,涉及電子設備領域,包括背板、PCB板、錐形臺熱傳體、散熱鰭板、散熱風扇以及固定框架。所述PCB板、錐形臺熱傳體、散熱鰭板依次固定在所述背板與固定框架組合成的層狀固定架中。所述錐形臺熱傳體采用熱管的技術原理,銅制中空設計,能夠快速的將GPU工作時產生的熱量傳遞至散熱鰭板上,由散熱風扇對散熱鰭板進行散熱從而實現對GPU進行散熱的目的。本實用新型結構簡單,實用性強,通過采用錐形臺熱傳體進行熱傳遞、散熱鰭板與散熱風扇組合進行散熱的設計能夠高效的對GPU進行散熱,使顯卡在常規工作中保持在相對正常的工作溫度,延長了顯卡的使用壽命。市場前景分析：本實用新型結構簡單,實用性強,通過采用錐形臺熱傳體進行熱傳遞、散熱鰭板與散熱風扇組合進行散熱的設計能夠高效的對GPU進行散熱,使顯卡在常規工作中保持在相對正常的工作溫度,延長了顯卡的使用壽命。與同類成果相比的優勢分析：國內領先

幾年，隨著消費電子（手機、智能手表等）、生物醫療需求的快速發展，尤其是代表下一代柔性移動顯示屏OLED的巨大應用市場驅動下，超快激光精密微加工產業在世界范圍內迅速增長。與傳統的納秒長脈沖相比，脈寬小于15皮秒的超快激光器用于材料加工時，由于脈沖的持續時間短于材料的熱弛豫時間，在加工過程中避免熱效應，基本不帶來附加損傷和毛刺，適合于微米乃至納米精度的超精細冷加工。超快激光的瞬間功率極大，幾乎可以和任何材料相互作用，因此適用于超快激光加工的材料范圍幾乎不受限制，尤其有優勢的加工對象包括玻璃、藍寶石、陶瓷、太陽能薄膜、半導體晶圓、特種合金、精密醫療器件等。

隨著支配半導體技術數十年的摩爾定律日益接近其發展極限，多種功能器件集成被認為是超越摩爾定律延續集成電路發展進程的重要途徑之一，這就需要能夠滿足多種功能器件高密度集成的制造技術。多元兼容集成制造技術就是為此而開發的，該技術通過在更大范圍內優選結構/功能材料組合，開發異質集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創新設計和制造的騰挪空間。經過多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復合材料的MEMS異質異構制造技術體系，并在多種類型功能器件研發中發揮了關鍵作用，初步展現了其基礎性支撐作用，相關技術獲得2016年度上海市技術發明一等獎。 微系統集成發展趨勢 多元兼容集成制造技術  獲獎情況 上海市技術發明一等獎2016年團隊獲獎 國家技術發明二等獎2008年 上海市技術發明一等獎2007年 超薄超快高熱流密度微通道散熱器 上海交通大學團隊在長期研究經驗和技術積累基礎上，創造性地提出了不同高熱導率材料組合構造的復合結構微通道散熱器設計方案，并基于多元兼容集成制造技術完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當的超薄散熱器冷卻能力達到800W/cm2以上，在保留傳統微通道散熱器良好系統兼容性和適用性的基礎上達到了相當高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統超高熱流密度散熱問題提供了一個深具可行性的解決方案。 高溫薄膜溫度傳感器研究  發動機燃燒室等極端惡劣環境下（高溫、強振動、強腐蝕等）的工作參數現場監測對傳感器技術是嚴峻挑戰，國內外研究廣泛。交大團隊基于特種材料微納集成制造技術的長期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應力調控、曲面圖形化和高溫敏感介質等技術上取得了一定突破，成功開發了多種可與現場結構共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環境擾動小、響應快、靈敏度高、可分布式安置等優點，該團隊已經掌握了溫度、應力/應變、熱流等多種高溫狀態參數測量技術，適用溫度在800-1300℃之間。 薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測試結構 高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術 薄膜溫度傳感器在發動機不同部位測溫需求 無線溫度傳感器測溫系統 高性能轉接板 基于轉接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統的硅轉接板性價比不高，阻礙了廣泛應用。上海交大團隊基于非硅微加工技術的長期積累，突破了硅轉接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉接板。此外，還開發了復合材料非硅轉接板，TCV陶瓷轉接板，TGV玻璃轉接板等各種三維封裝基板，實驗室能夠針對不同類型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開發不同功能的專用轉接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個性化解決方案。 TSV-3D 高密度封裝概念圖  金屬-聚合物-納米復合材料非硅基轉接板實物圖片

該技術涉及一項基于聚苯乙烯基的載體高分子微球的生產技術。產品經改性后，可獲得表面帶-Cl、-NH3等功能性基團的微球。 

"近年來，鋰離子電池在智能電網、航空航天和軍事儲能等高能耗新能源領域的應用不斷擴展，現有商用正極材料體系（包括層狀結構的鎳鈷錳酸鋰、尖晶石結構的錳酸鋰和橄欖石結構的磷酸鐵鋰）的實際比容量已經接近各自的理論極限值，無法滿足日益增長的能量密度需求。富鋰錳基正極材料不僅具有高的比容量（250 mA h/g）和能量密度（1000 Wh/kg），而且其較低的鈷和鎳含量能夠有效降低電池的成本。 本項目主要通過構筑缺陷來增強富鋰錳基正極材料的電化學性能，實現高的首圈庫倫效率、倍率性能和循環穩定性，提升富鋰錳基正極材料整體性能，為其商業化應用打下基礎。 "