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廢舊熒光器件稀土再生關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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一種可重復(fù)利用柔性無機電致發(fā)光器件
本發(fā)明公開了一種可重復(fù)利用柔性無機電致發(fā)光器件，從下至上依次包括印有圖文信息的塑料薄膜 層、不干膠層、透明電極層、發(fā)光層、絕緣層、背電極層；不干膠層通過滾涂方式粘附在透明電極層上； 透明電極層、發(fā)光層、絕緣層與背電極層通過絲網(wǎng)印刷方式緊密貼合在一起，塑料薄膜層與不干膠層可 反復(fù)剝離與粘結(jié)地貼合在一起。本發(fā)明所制得的柔性無機電致發(fā)光器件作為薄型燈箱的光源，可以通過 塑料薄膜層的反復(fù)剝離與粘結(jié)達(dá)到重復(fù)使用的目的，使圖文內(nèi)容的更換更加方便容易，同時節(jié)
武漢大學(xué)
2021-04-14
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基于新材料的新型真空電子器件的基礎(chǔ)研究
本項目研究了超材料的電磁特性、基于超材料的反向切倫科夫輻射、基于納米材料冷陰極的場發(fā)射特性以及它們在高效率、高功率和高頻率的真空電子器件中的應(yīng)用。相關(guān)SCI論文共計153篇，SCIE數(shù)據(jù)庫中的他引次數(shù)為1058次，代表性論文被《自然-納米技術(shù)》、《物理評論快報》、《先進(jìn)材料》等國際頂級期刊上發(fā)表的SCI論文他引157次。這些學(xué)術(shù)成果解決了真空電子器件所面臨的核心科學(xué)問題，在國際真空電子學(xué)領(lǐng)域產(chǎn)生了重大的影響。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
一種可重復(fù)利用柔性有機電致發(fā)光器件
本發(fā)明公開了一種可重復(fù)利用柔性有機電致發(fā)光器件，從下至上依次包括印有圖文信息的塑料薄膜 層、不干膠層、陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層；所述的不干膠層通過滾涂方式粘 附在陽極層上；所述陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層通過真空蒸鍍方式緊密貼合在 一起，所述的塑料薄膜層與不干膠層可反復(fù)剝離與粘結(jié)地貼合在一起。本發(fā)明所制得的柔性有機電致發(fā) 光器件作為薄型燈箱的光源，可以通過塑料薄膜層的反復(fù)剝離與粘結(jié)達(dá)到重復(fù)使用的目的，使圖
武漢大學(xué)
2021-04-14
技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國科大在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
課題組基于NiO生長工藝和異質(zhì)PN的前期研究基礎(chǔ)（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），設(shè)計了結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)（Junction Termination Extension, JTE），并優(yōu)化退火工藝，成功制備出耐高壓且耐高溫的氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02
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高溫壓電振動能量回收器件和高溫驅(qū)動器
傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍 - 鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于 d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在 150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時提高一倍以上。
與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機械能實現(xiàn)納米級驅(qū)動的器件，壓電驅(qū)動器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。
北京大學(xué)
2021-04-13
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一種實現(xiàn)微型LED顯示器件封裝制作方法
本申請涉及一種實現(xiàn)微型LED顯示器件封裝制作方法，通過設(shè)計新型的微型LED陣列顯示器件結(jié)構(gòu)，結(jié)合電極外引光刻工藝與貼片封裝工藝，以進(jìn)行微型LED陣列顯示器件與驅(qū)動電路板的封裝集成。一方面通過制備電極外引結(jié)構(gòu)，可以增大像素的電極面積，使得貼片鍵合過程更容易操作且精確度更高，有效簡化鍵合的步驟；另一方面結(jié)合漏印錫膏技術(shù)，將芯片與基板鍵合，減少金線或者合金等物料的使用，并且通過采用芯片高像素密度陣列式制作，提升生產(chǎn)效率，并降低生產(chǎn)成本。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
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一種具有存儲功能的晶體管器件的應(yīng)用
本發(fā)明涉及一種具有存儲功能的晶體管器件的應(yīng)用，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。針對現(xiàn)有二維電荷陷阱存儲器中因缺乏合適電荷陷阱介質(zhì)導(dǎo)致的可靠性差及集成度低等問題，本發(fā)明提出采用二維碘化鉛（PbI<subgt;2</subgt;）作為電荷陷阱層，利用其天然存在的碘空位缺陷實現(xiàn)高效電荷捕獲。所述器件由二維半導(dǎo)體材料（如WSe<subgt;2</subgt;）與PbI<subgt;2</subgt;通過范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)集成，形成柵控存儲單元。該器件具有大存儲窗口、高開關(guān)比、快速寫入速度、多級存儲能力、高久性及長數(shù)據(jù)保持時間。本發(fā)明為高集成度、低功耗非易失性存儲器提供了創(chuàng)新解決方案。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法
本發(fā)明公開了一種微型皮拉尼計的制備方法及其與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進(jìn)行感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體硅器件集成封裝工藝難度大，風(fēng)險高，成本高且產(chǎn)量低的技術(shù)問題。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
電子元器件激光機飲料瓶蓋激光打碼噴碼機
產(chǎn)品詳細(xì)介紹電子元器件激光打標(biāo)，電感電阻電線電纜，飲料瓶蓋激光打標(biāo)流水線在線激光機口罩激光機都可以在線打標(biāo)歡迎咨詢！
上海康彥電子科技有限公司
2021-08-23