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一種基于雙超時(shí)網(wǎng)絡(luò)報(bào)文的組流方法，設(shè)置短超時(shí)和長超時(shí)，當(dāng)報(bào)文到達(dá)測量器，從報(bào)文頭中提取流信息，在網(wǎng)絡(luò)流緩存中查找由所測量報(bào)文的網(wǎng)絡(luò)流記錄，如果找到所述的網(wǎng)絡(luò)流記錄，更新流結(jié)束標(biāo)識(shí)，否則在網(wǎng)絡(luò)流緩存中增加一條新的網(wǎng)絡(luò)流記錄，如果測量周期結(jié)束，則檢查網(wǎng)絡(luò)流緩存中的每條網(wǎng)絡(luò)流，如果所檢查網(wǎng)絡(luò)流的流結(jié)束標(biāo)識(shí)為1，則所檢查短超時(shí)判斷網(wǎng)絡(luò)流結(jié)束，否則根據(jù)長超時(shí)判斷網(wǎng)絡(luò)流結(jié)束，本發(fā)明采用兩個(gè)不同時(shí)間粒度的流超時(shí)機(jī)制，大大減少已經(jīng)結(jié)束流在緩存中的存在性，并減少一個(gè)流被分割成多段而需要在緩存中進(jìn)行多次輸出流記錄、生成新流記錄等消耗系統(tǒng)資源的操作，同時(shí)又減少后臺(tái)需要系統(tǒng)資源將多個(gè)被分割的短流合并成一個(gè)流。

氮化硅陶瓷是一種耐高溫耐磨材料，廣泛用于冶金、化工、能源等領(lǐng)域，氮化硅粉是制備氮化硅的原材料。實(shí)驗(yàn)室提出了一種流態(tài)化直接氮化制備超細(xì)粉方法，可低成本生產(chǎn)晶相和非晶相氮化硅粉。

多相流數(shù)字全息顯示與測量儀將光學(xué)全息干涉原理與數(shù)字圖像處理技 術(shù)相結(jié)合，利用CCD或CMOS器件代替全息記錄干板，對液液或氣液擴(kuò)散過 程依次記錄其一定時(shí)間間隔的多幅全息圖，再通過計(jì)算機(jī)數(shù)值計(jì)算來實(shí)現(xiàn) 待測液液或氣液擴(kuò)散過程的數(shù)值重建，獲得折射率實(shí)時(shí)變化參數(shù)并進(jìn)一 步得到擴(kuò)散參數(shù)。 該技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平，獲實(shí)用新型專利1項(xiàng)。

流場數(shù)字全息顯示與測量儀利用數(shù)字全息干涉技術(shù)和相位倍增技術(shù) 等，釆用馬赫曾德干涉光路使一束激光束照穿過待測量流場作為物光波 與另一束參考光束干涉形成全息圖，用CCD數(shù)字記錄全息圖并通過計(jì)算機(jī) 數(shù)值重建獲得物光波的相位變化以及待測量流場的折射率分布，進(jìn)而達(dá) 到流場顯示與測量的目的。該儀器具有非接觸、實(shí)時(shí)、全場、直觀等優(yōu) 點(diǎn)。 該技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平，獲實(shí)用新型專利6項(xiàng)。

本實(shí)用新型提供一種流場實(shí)時(shí)精確測量系統(tǒng)，包括示蹤粒子發(fā)生器，用于產(chǎn)生示蹤粒子并釋放到待測流場；圖像處理子系統(tǒng)，包括激光發(fā)射單元和圖像采集單元，用于照亮示蹤粒子并且采集示蹤粒子圖像；PIV 測量子系統(tǒng)，用于接收示蹤粒子圖像數(shù)據(jù)，測量全流暢速度矢量，并按照流場情況調(diào)整采集圖像時(shí)間間隔和實(shí)現(xiàn)空間分辨率自適應(yīng)測量；示蹤粒子發(fā)生器設(shè)置在待測流場上游，圖像處理子系統(tǒng)采集流場中示蹤粒子圖像，傳遞給 PIV 測量子系統(tǒng)。本實(shí)用新型提供的流場實(shí)時(shí)精確測量系統(tǒng)，對于流速高，尤其是高超音速流場、變化劇烈的流場進(jìn)行實(shí)時(shí)測量

1. 痛點(diǎn)問題 惡性腫瘤是威脅人類健康的主要疾病，已成為我國城鄉(xiāng)居民死亡的第一原因。根據(jù)世界衛(wèi)生組織（WHO）統(tǒng)計(jì)，腫瘤治療采用手術(shù)、放療、化療三大手段進(jìn)行綜合治療，對惡性腫瘤的治愈率（5年生存率）可達(dá)到45%，其中的40%（絕對值的18%）由放射治療貢獻(xiàn)。在最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中， 發(fā)達(dá)國家的治愈率已上升至55%，其中放射治療貢獻(xiàn)40%，對應(yīng)絕對值的22%。隨著技術(shù)不斷發(fā)展，放射治療將在未來扮演更重要的作用。 我國放射治療裝備國產(chǎn)化率低，相關(guān)研究落后。早在1976年我國成功研制首臺(tái)國產(chǎn)醫(yī)用直線電子加速器，達(dá)到世界先進(jìn)水平。但未能結(jié)合數(shù)字化和圖像診療等技術(shù)，我國廠商與國外先進(jìn)水平迅速拉開差距，國產(chǎn)設(shè)備市占率從2000年初的50%迅速下降至不足10%。目前這種放療設(shè)備嚴(yán)重依賴進(jìn)口的情況，造成一定的經(jīng)濟(jì)負(fù)擔(dān)，也不利于國內(nèi)放射治療物理師和相關(guān)工程技術(shù)人員的培養(yǎng)，客觀上限制了放射治療技術(shù)在我國的推廣與應(yīng)用。因此從我國公共衛(wèi)生事業(yè)的發(fā)展與戰(zhàn)略角度，亟需解決放療設(shè)備國產(chǎn)化問題。 醫(yī)用直線加速器利用高能X射線或電子線對腫瘤進(jìn)行照射。束流模塊是醫(yī)用直線加速器中產(chǎn)生高能X射線或電子線的部分，是其中的關(guān)鍵核心部件，類似于汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)。衡量醫(yī)用加速器性能的重要指標(biāo)“劑量率”主要由束流模塊決定，目前國際主流加速器的劑量率在1200MU/min左右。 束流模塊是目前制約國產(chǎn)醫(yī)用直線加速器性能提升的“卡脖子”技術(shù)，劑量率、穩(wěn)定性和可靠性是其關(guān)鍵，也是國產(chǎn)設(shè)備和進(jìn)口產(chǎn)品存在水平差距的主要因素。突破高性能束流模塊的關(guān)鍵技術(shù)，對于振興國產(chǎn)醫(yī)用加速器產(chǎn)業(yè)發(fā)展、實(shí)現(xiàn)高端醫(yī)療器械“自主可控”的國家戰(zhàn)略具有重要意義。 2. 解決方案 本項(xiàng)目通過對緊湊的優(yōu)化屏蔽系統(tǒng)、高精度的機(jī)械對中系統(tǒng)、集成冷卻和高精度溫控系統(tǒng)、功率源及加速管匹配等核心技術(shù)的攻關(guān)，S波段高性能束流模塊實(shí)現(xiàn)劑量率1400MU/min，為國際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。可靠性方面，已開展可靠性測試，無故障時(shí)間大于1800小時(shí)，高壓無故障時(shí)間大于200小時(shí)，該指標(biāo)可實(shí)現(xiàn)束流模塊在醫(yī)院較高負(fù)荷使用環(huán)境下一年內(nèi)無故障。 合作需求 尋求醫(yī)用加速器相關(guān)企業(yè)開展業(yè)務(wù)合作。

本成果是授權(quán)發(fā)明專利。成果將具有輸入輸出和中間處理的中間件單元與工作流過程中活動(dòng)結(jié)合起來，實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)過程的集成管理和不同系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)交換共享，提供了數(shù)據(jù)和流程兩類同時(shí)集成的有力工具，具有國際先進(jìn)水平

本發(fā)明公開了一種數(shù)據(jù)流跟蹤方法，包括三個(gè)階段：客戶操作 系統(tǒng)指令靜態(tài)反匯編，根據(jù)靜態(tài)的客戶機(jī) x86 指令生成對應(yīng)的污點(diǎn)傳 播指令，進(jìn)行污點(diǎn)數(shù)據(jù)傳播更新操作，對于在靜態(tài)反匯編時(shí)不能獲取 的內(nèi)存操作數(shù)物理地址，通過采用共享緩存的方式在動(dòng)態(tài)執(zhí)行過程中 獲取；編譯產(chǎn)生宿主機(jī)執(zhí)行代碼，根據(jù)上一階段的污點(diǎn)指令生成宿主 機(jī)上的可執(zhí)行代碼，以處理函數(shù)的形式進(jìn)行生成，方便下一階段的執(zhí) 行；開啟新的執(zhí)行線程，執(zhí)行污點(diǎn)指令，逐條取出污點(diǎn)

（1）軸流泵水力模型 基于葉柵理論、CFD 技術(shù)和模型試驗(yàn)方法研究變環(huán)量設(shè)計(jì)方法，建立多目標(biāo)、多工 況、多約束優(yōu)化模型，開發(fā)多組高效軸流泵葉輪模型。 軸流泵水力模型 （2）混流泵水力模型 基于理論分析、模型試驗(yàn)以及 CAD 和 CFD 技術(shù)的有機(jī)結(jié)合，應(yīng)用逆向求解設(shè)計(jì)

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 產(chǎn) 品 特 性 超載能力強(qiáng):瞬間電流能承受額定電流的300%. 暫態(tài)反應(yīng)快速,對100%的除載/加載,穩(wěn)壓反應(yīng)時(shí)間在以 2 ms內(nèi) 效率達(dá)85% 以上 採用高頻 MPWM 設(shè)計(jì),以IGBT作功率推動(dòng),體積小,噪音低. 波峰因數(shù)比(CREST FACTOR)為3:1 具有過高壓,過電流,超溫等多重保護(hù)及警告裝置.  電壓/電流/頻率/瓦特,皆為數(shù)位顯示. 輸出電壓50V ~ 144V/100V~288V 可調(diào),可模擬世界各國之電壓. 可預(yù)先設(shè)定,標(biāo)稱電壓的 +10%~ +25% 及 -10% ~ -30%. 適 用 場 所 航太工業(yè) 安定器  國防軍事 交換式電源  馬達(dá)制造  個(gè)人電腦/顯示器  半導(dǎo)體測試  冷氣/壓縮機(jī)  掃描及影印機(jī) 品檢保證 產(chǎn)品壽命及安全  實(shí)驗(yàn)室/研發(fā)部