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XM-F51陰道后穹窿穿刺模型 ? XM-F51陰道后穹窿穿刺監(jiān)測考核指導操作模型由外皮、固定腹腔臟器、子宮、子宮直腸凹血囊、陰道、直腸水囊、支架組成，外皮套在整個模型的外部，固定腹腔臟器的裝置用于將各功能臟器固定在它們各自的位置上，子宮直腸陷凹水囊、直腸水囊、子宮、陰道四個部分鑲嵌在固定腹腔臟器裝置內(nèi)，支架用于托起整個模型，保持模型臀部抬高，便于操作，子宮直腸凹血囊，直腸水囊是一個囊性結(jié)構(gòu)，其上連接了兩根引流管，用于往內(nèi)注入液體。 一、功能特點： ■ 模型采用高分子材料制成，解剖位置準確，皮膚柔軟有彈性，手感逼真，病變組織真實。 ■ 于子宮頸陰道粘膜交界下方1cm處的后穹窿正中、與宮頸管平行方向刺入（用7號穿刺針），將有淡紅色液體抽出，示穿刺術(shù)質(zhì)量達標。 ■ 操作者未按操作常規(guī)穿刺，如刺入直腸，將抽黃色液體，為操作失敗。 ■ 操作者未按操作常規(guī)進針，盲目地向兩側(cè)刺入，傷及周圍器官示穿刺術(shù)失敗。 ■ 可行雙合診、三合診檢查。 ■ 穿刺囊可更換。 ? 二、標準配置： ■ 陰道后穹窿穿刺操作模型：1臺 ■ 可更換穿刺囊：6個 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

產(chǎn)品詳細介紹f1 SL-Ⅱ?qū)游鰧嶒灷涔瘢▎伍_門）數(shù)控層析冷柜產(chǎn)品介紹：　SL-Ⅱ?qū)游鰧嶒灷涔袷菍樯瘜游鰧嶒灦兄频奶厥庥猛镜蜏毓瘢部捎糜谄渌枰蜏丨h(huán)境的實驗，或用于物品冷藏。 主要特點：l采用進口壓縮機，制冷量大；l制冷機組設計在設備底部：符合壓縮機的工作原理、提高了制冷效果，與同類產(chǎn)品相比使用壽命長，控溫精度高。l柜內(nèi)空間高大，最高處為1.7米，便于層析操作；l全不銹鋼內(nèi)壁，光潔耐腐蝕； l2根層析柱固定桿，2層載重托板； l自帶照明燈﹑消毒燈﹑內(nèi)電源插座； l具有超溫﹑差溫、報警功能；l下設腳輪，移動方便；l可選配RS-232接口。 技術(shù)參數(shù)：l溫度范圍:1℃-10℃l溫度測試精度: ±0.5℃ l溫度波動范圍：上限設定值+2.5℃，下限設定值-2.5℃ l降溫時間：≤120分l托板規(guī)格：605×700mm(共2層，上下位置可調(diào)節(jié))l內(nèi) 容 積：800Ll功　　率：500Wl內(nèi)部尺寸：660×760×1700(mm)l外部尺寸: 760×850×1950 (mm) 單門冷柜規(guī)格：內(nèi)膽不銹鋼型、內(nèi)外膽不銹鋼型。f2 SL-Ⅱ?qū)游鰧嶒灷涔瘢▎伍_門-全不銹鋼）數(shù)控層析冷柜產(chǎn)品介紹：　SL-Ⅱ?qū)游鰧嶒灷涔袷菍樯瘜游鰧嶒灦兄频奶厥庥猛镜蜏毓瘢部捎糜谄渌枰蜏丨h(huán)境的實驗，或用于物品冷藏。 主要特點：l采用進口壓縮機，制冷量大；l制冷機組設計在設備底部：符合壓縮機的工作原理、提高了制冷效果，與同類產(chǎn)品相比使用壽命長，控溫精度高。l柜內(nèi)空間高大，最高處為1.7米，便于層析操作；l全不銹鋼內(nèi)壁，光潔耐腐蝕； l2根層析柱固定桿，2層載重托板； l自帶照明燈﹑消毒燈﹑內(nèi)電源插座； l具有超溫﹑差溫、報警功能；l下設腳輪，移動方便；l可選配RS-232接口。 技術(shù)參數(shù)：l溫度范圍:1℃-10℃l溫度測試精度: ±0.5℃ l溫度波動范圍：上限設定值+2.5℃，下限設定值-2.5℃ l降溫時間：≤120分l托板規(guī)格：605×700mm(共2層，上下位置可調(diào)節(jié))l內(nèi) 容 積：800Ll功　　率：500Wl內(nèi)部尺寸：660×760×1700(mm)l外部尺寸: 760×850×1950 (mm)  單門冷柜規(guī)格：內(nèi)膽不銹鋼型、內(nèi)外膽不銹鋼型。f3 SL-Ⅱ?qū)游鰧嶒灷涔瘢ㄉ舷麻_門-非標定制）數(shù)控層析冷柜             產(chǎn)品介紹：   SL-Ⅱ?qū)游鰧嶒灷涔袷菍樯瘜游鰧嶒灦兄频奶厥庥猛镜蜏毓瘢部捎糜谄渌枰蜏丨h(huán)境的實驗，或用于物品冷藏。  主要特點：· 采用進口壓縮機，制冷量大；· 制冷機組設計在設備底部：符合壓縮機的工作原理、提高了制冷效果，與同類產(chǎn)品相比使用壽命長，控溫精度高。· 柜內(nèi)空間高大，最高處為1.7米，便于層析操作；· 全不銹鋼內(nèi)壁，光潔耐腐蝕； · 2根層析柱固定桿，2層載重托板； · 自帶照明燈﹑消毒燈﹑內(nèi)電源插座； · 具有超溫﹑差溫、報警功能；· 下設腳輪，移動方便；· 可選配RS-232接口。  技術(shù)參數(shù)：· 溫度范圍:1℃-10℃· 溫度測試精度: ±0.5℃ · 溫度波動范圍：上限設定值+2.5℃,下限設定值-2.5℃ · 降溫時間：≤120分· 托板規(guī)格：605×700mm(共2層，上下位置可調(diào)節(jié))· 內(nèi) 容 積：800L· 功　　率：500W· 內(nèi)部尺寸：660×760×1700(mm)· 外部尺寸: 760×850×1950 (mm) f4 SL-Ⅲ層析實驗冷柜(雙開門)數(shù)控層析冷柜產(chǎn)品介紹：　SL-Ⅲ層析實驗冷柜是專為生化層析實驗而研制的特殊用途低溫柜，也可用于其他需要低溫環(huán)境的實驗，或用于物品冷藏。 主要特點：l采用進口壓縮機，制冷量大；l制冷機組設計在設備底部：符合壓縮機的工作原理、提高了制冷效果， 與同類產(chǎn)品相比使用壽命長，控溫精度高；l柜內(nèi)空間高大，最高處為1.7米，便于層析操作；l全不銹鋼內(nèi)壁，光潔耐腐蝕； l2根層析柱固定桿，2層載重托板； l自帶照明燈﹑消毒燈﹑內(nèi)電源插座； l具有超溫﹑差溫、報警功能；l下設腳輪，移動方便；l可選配RS-232接口。技術(shù)參數(shù)：l溫度范圍:1℃-10℃（上下限設定值之差不小于4℃）l溫度測試精度: ±0.5℃ l溫度波動范圍：上限設定值±2.5℃，下限設定值-2.5℃l降溫時間：≤120分l托板規(guī)格：505×615mm(共2層，上下位置可調(diào)節(jié))l內(nèi) 容 積：1200Ll功　　率：1100Wl內(nèi)部尺寸：660×1200×1500(mm)l外部尺寸：760×1315×2000(mm) 雙門冷柜規(guī)格：內(nèi)膽不銹鋼型、內(nèi)外膽不銹鋼型。f5 SL-Ⅲ層析實驗冷柜（雙開門-全不銹鋼）數(shù)控層析冷柜產(chǎn)品介紹：　SL-Ⅲ層析實驗冷柜是專為生化層析實驗而研制的特殊用途低溫柜，也可用于其他需要低溫環(huán)境的實驗，或用于物品冷藏。 主要特點：l采用進口壓縮機，制冷量大；l制冷機組設計在設備底部：符合壓縮機的工作原理、提高了制冷效果， 與同類產(chǎn)品相比使用壽命長，控溫精度高；l柜內(nèi)空間高大，最高處為1.7米，便于層析操作；l全不銹鋼內(nèi)壁，光潔耐腐蝕； l2根層析柱固定桿，2層載重托板； l自帶照明燈﹑消毒燈﹑內(nèi)電源插座； l具有超溫﹑差溫、報警功能；l下設腳輪，移動方便；l可選配RS-232接口。技術(shù)參數(shù)：l溫度范圍:1℃-10℃（上下限設定值之差不小于4℃）l溫度測試精度: ±0.5℃ l溫度波動范圍：上限設定值±2.5℃，下限設定值-2.5℃l降溫時間：≤120分l托板規(guī)格：505×615mm(共2層，上下位置可調(diào)節(jié))l內(nèi) 容 積：1200Ll功　　率：1100Wl內(nèi)部尺寸：660×1200×1500(mm)l外部尺寸：760×1315×2000(mm) 雙門冷柜規(guī)格：內(nèi)膽不銹鋼型、內(nèi)外膽不銹鋼型。

ST STM32F103 CORTEX-M3 ARM教學實驗箱基于ST公司CORTEX-M3內(nèi)核的ARM處理器STM32F103ZCT6，配以獨立的按鍵、矩陣鍵盤等輸入輸出設備，和數(shù)碼管、LED、LCD屏等顯示設備，以及RS232/I C/SPI/CAN等通信總線，使得學生們可以在該實驗箱上完整地學習基于STM32處理器的原理和實驗內(nèi)容。

上海皮賽電子有限公司

ST STM32F407 CORTEX-M4教學實驗箱基于ST公司CORTEX-M4內(nèi)核的ARM處理器STM32F407ZGT6，配以獨立的按鍵、矩陣鍵盤等輸入輸出設備，和數(shù)碼管、LED、LCD屏等顯示設備，以及RS232/I C/SPI/CAN等通信總線，使得學生們可以在該實驗箱上完整地學習基于STM32處理器的原理和實驗內(nèi)容。

2020年8月25日上午，由上海皮賽電子有限公司研發(fā)、設計與生產(chǎn)的“學而精”系列ST STM32F407 CORTEX-M4 ARM 實驗箱在中國科學技術(shù)大學通過了《嵌入式與微機原理》課程組的驗收，標志著該門課程的教學與實驗的內(nèi)容成功地從X86架構(gòu)轉(zhuǎn)向了ARM架構(gòu)，以適應市場的變化與人才培養(yǎng)的需求。 ST STM32F407 CORTEX-M4 ARM實驗箱是由上海皮賽電子有限公司自主研發(fā)、設計與生產(chǎn)的，基于ST公司CORTEX-M4 ARM內(nèi)核的處理器STM32F407ZGT6，配合獨立按鍵、矩陣鍵盤、撥碼開關(guān)、紅外線遙控器等輸入設備，和數(shù)碼管、LED發(fā)光二極管、128*64 LCD液晶屏等顯示設備，I2C/SPI/SD卡存儲設備，DS18B20數(shù)字溫度采集/ADC&DAC模擬信號采集/光強信號采集等傳感設備、MIC/LINEIN/LINEOUT音頻接口，RS232/RS422/USB/CAN通信接口等，使得學生們可以在該實驗箱上完整地進行《嵌入式與微機原理》課程所需的所有實驗。 中科大嵌入式與微機原理實驗室 ST STM32F407 CORTEX-M4 ARM 實驗箱運抵現(xiàn)場 我司技術(shù)工程師李工在給實驗室管理老師們進行設備的現(xiàn)場演示與培訓 GPS&北斗EMOD擴展模塊定位功能現(xiàn)場演示 驗收過程中，我司技術(shù)工程師為驗收組做了詳細的操作演示與技術(shù)講解，獲得了一致好評。驗收組全體成員對“學而精”系列ST STM32F407 CORTEX-M4 ARM 實驗箱從硬件功能設計、防靜電處理、USB端口取電、板載J-Link8下載器以及箱體上、下蓋結(jié)構(gòu)設計等各方面均給予了高度的評價，希望今后繼續(xù)與上海皮賽電子有限公司合作，為在中國科學技術(shù)大學打造高度集成化、現(xiàn)代化和新穎化的實驗室而努力！ 中科大何力老師、梁曉雯老師、楊曉宇老師與我司朱哲勇經(jīng)理合影

實驗內(nèi)容 1、示波器在實驗中的應用； 2、驗證多普勒效應及聲速的測量； 3、測量物體的運動速度； 4、繪制物體的多種運動曲線。

實驗箱簡介   產(chǎn)品鏈接：https://www.tronlongtech.com/products/38.html（點擊查看） 產(chǎn)品系列：C2000，Spartan-6匹配課程：《DSP技術(shù)與應用》，《FPGA技術(shù)與應用》處理器架構(gòu)：DSP，F(xiàn)PGA TL28335F-TEB實驗箱整體主圖 · 基于TI TMS320F28335浮點DSP C28x + Xilinx Spartan-6 FPGA處理器，主頻為150MHz；· 可拆式新型實驗箱，使用靈活，性價比高。由核心板、實驗開發(fā)底板、仿真器及相關(guān)實驗配件組成，可選3寸全功能觸摸彩屏信號源；· DSP實驗主板支持：I2C、SPI、CAN、PWM、RTC、以太網(wǎng)口、音頻輸入輸出、多通道AD、DA、RS232、RS485、LCD等接口和蜂鳴器、紅外接收器、繼電器、LED等外設；· 工業(yè)級DSP核心板，尺寸為66mm*39mm，采用排針接口連接，可用于科學研究、畢業(yè)設計、電子競賽、產(chǎn)品開發(fā)使用；· FPGA實驗主板支持：步進電機、直流電機、4*4矩陣鍵盤、數(shù)碼管、十字交通燈、溫濕度傳感器、可調(diào)直流電壓輸出、ADC輸入、DAC輸出、5V輸出、3V3輸出；· 實驗主板上均支持安裝可拆卸亞克力保護板，保護實驗電路；· 工業(yè)級FPGA核心板，尺寸56mm*35mm，體積小，采用工業(yè)級B2B連接器；· 不僅提供面向教學的實驗資源，而且提供工程應用上的開發(fā)例程；· 適用于通信、自動化、測控、工業(yè)控制和電力控制等教學領(lǐng)域。   TL28335F-TEB實驗箱結(jié)構(gòu)圖 28335F-DSP實驗主板硬件資源圖解1   28335F-DSP實驗主板硬件資源圖解2   28335F-FPGA實驗拓展板硬件資源圖解1 28335F-FPGA實驗拓展板硬件資源圖解2

本發(fā)明一種方鈷礦系熱電材料的合成方法采用鈷、銻、鐵、鎳、錫的氯化鹽或硝酸 鹽作原料，在內(nèi)襯聚四氟乙烯的高壓釜中于 140-190o C 進行反應，經(jīng)過濾洗滌后進行熱 處理最終制得所需產(chǎn)物，因此本發(fā)明方法具有原料便宜易得、設備簡單、合成溫度低、 工藝簡單易于實現(xiàn)控制、產(chǎn)物粒度細、純度高等優(yōu)點。為制備高效熱電轉(zhuǎn)換器件提供優(yōu) 質(zhì)材料。

本發(fā)明公開了一種具有優(yōu)良磁性能的FeTbBSi系非晶合金及其制備方法。 該系非晶合金的化學分子式為Fe100-x-y-zTbxBySiz，其中x、y和z分別為Tb元素、 B元素和Si元素的原子百分數(shù)，100-x-y-z為Fe元素的原子百分數(shù)，1≤x≤25， 20≤y≤25，0≤z≤10。該合金的制備方法如下：將工業(yè)純金屬原料以及FeB合 金按合金配方配料，采用磁懸浮感應熔煉成母合金，然后用單輥甩帶法制得非 晶薄帶。本發(fā)明鐵基非晶合金具有高的磁致伸縮系數(shù)，軟磁性能優(yōu)良，同時成 分簡單，并擁有良好非晶形成能力。本發(fā)明的FeTbBSi系非晶合金可以廣泛應 用于結(jié)構(gòu)材料和軟磁材料等方面。