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一種用于脫汞的廢棄物衍生吸附劑制備方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種用于脫汞的廢棄物衍生吸附劑制備方法及產(chǎn)品，屬于城市生活廢棄物資源利用技術(shù)領(lǐng)域。該方法具體為：將含鹵素廢棄物與生物質(zhì)廢棄物混合發(fā)生熱解反應(yīng)，含鹵素廢棄物中的鹵素釋放并固定于生物質(zhì)廢棄物上，生成用于脫汞的廢棄物衍生吸附劑。應(yīng)用本發(fā)明方法，一方面減少含鹵素廢棄物熱解過程中的鹵素釋放，另一方面轉(zhuǎn)化成汞吸附劑上有用的鹵素，實(shí)現(xiàn)廢棄物資源化和生成脫汞吸附劑的雙重目的。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種固體氧化物燃料電池陰極氣體流場板及其制備方法
本發(fā)明公開了一種固體氧化物燃料電池陰極氣體流場板，用于 均勻分配氧化氣和收集陰極電流，其由多個相互平行連接且尺寸相同 的齒形波紋塊構(gòu)成，齒形波紋塊由兩個錯開距離(7)后平行排列連接的 齒形波紋條(3，4)構(gòu)成，齒形波紋條(3，4)由多個相互交替連接的平頂 凸臺(2)和平板(1)構(gòu)成，平頂凸臺(2)呈齒形輪廓狀，平板(1)連接所述平 頂凸臺(2)的根部，以形成齒形波紋狀，平頂凸臺(2)橫截面形狀為等腰 梯形去掉下底邊后
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素?fù)诫s鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對一氧化碳 有較好的響應(yīng)。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結(jié)構(gòu)簡單，性 能優(yōu)異。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內(nèi)電極依次層壓生成，其中所述 內(nèi)電極材質(zhì)為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明 具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬 Ni 為內(nèi)電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統(tǒng)的固相燒 結(jié)方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種激光重熔掃描碳化物彌散增強(qiáng)鋁合金的快速制造方法
本發(fā)明公開了一種激光重熔掃描碳化物彌散增強(qiáng)鋁合金的快速 制造方法，包括以下步驟：(1)在計算機(jī)上建立零件三維模型，然后將 所述零件三維模型轉(zhuǎn)成 STL 格式并導(dǎo)入到激光選區(qū)熔化成形設(shè)備中； (2)將鋁合金粉末和碳化物粉末混合，然后采用球磨機(jī)進(jìn)行球磨混合均 勻；(3)將球磨后的混合粉末轉(zhuǎn)移到激光選區(qū)熔化成形設(shè)備里，在惰性 氣體保護(hù)下，根據(jù)三維模型數(shù)據(jù)對混合粉末進(jìn)行成形；(4)采用線切割 工藝將成形的零件從所述基板上分離
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種短纖維增強(qiáng)熱固性樹脂復(fù)合產(chǎn)品的 3D 打印制造方法
本發(fā)明公開了一種短纖維增強(qiáng)熱固性樹脂復(fù)合產(chǎn)品的 3D 打印制 造方法，包括以下步驟：1)制備適用于選擇性激光燒結(jié) 3D 打印技術(shù)的 復(fù)合粉末；2)采用選擇性激光燒結(jié)技術(shù)成形具有孔隙的形坯；3)將形坯 放入液態(tài)熱固性樹脂前驅(qū)體中進(jìn)行浸滲后處理：3.1)配制粘度在 100mPa·s 以下的液態(tài)熱固性樹脂前驅(qū)體；3.2)將形坯浸入液態(tài)熱固性 樹脂前驅(qū)體中，讓形坯的上端露出液面，以使形坯孔隙中的氣體排出； 4)從液態(tài)熱固性樹
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個電荷存儲層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個存儲單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化的測量方法
本發(fā)明公開了一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化測量方法，包括：(1)將鐵磁性粒子置于待測對象處；(2)對所述鐵磁性粒子所在區(qū)域施加直流磁場使所述鐵磁性粒子達(dá)到飽和磁化狀態(tài)；(3)獲得待測對象在常溫下的穩(wěn)態(tài)溫度 T1，根據(jù)所述穩(wěn)態(tài)溫度 T1 計算出鐵磁性粒子的初始自發(fā)磁化強(qiáng)度 M1；(4)當(dāng)待測對象發(fā)生溫度變化后，測量鐵磁性粒子在溫度變化后的磁化強(qiáng)度變化信號的幅值 A，根據(jù)所述磁化強(qiáng)度變化信號的幅值 A 計算得到
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于微流控芯片粒子捕獲式的單粒子散射測量方法
本發(fā)明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測量 方法，包括微流控芯片的設(shè)計制作、測量環(huán)境配置、對準(zhǔn)、單粒子的 捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建以及單粒子大角度的散射分布的測定等相關(guān) 方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于結(jié)合了微流控芯片粒子捕獲技術(shù)，克服 了單粒子的大角度散射、大動態(tài)范圍內(nèi)的光散射特性測量方法的不足， 實(shí)現(xiàn)了單粒子大角度散射分布的測量
華中科技大學(xué)
2021-04-14