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博志金鉆技術(shù)團隊在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。 一、項目進展 已注冊公司運營 二、企業(yè)信息 企業(yè)名稱 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司 企業(yè)法人 潘遠志 注冊時間 2022/3/31 注冊所在省市 江蘇省 蘇州市 組織機構(gòu)代碼 91610131MA712U7Q06 經(jīng)營范圍 一般項目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；金屬表面處理及熱處理加工；新材料技術(shù)研發(fā)；新材料技術(shù)推廣服務(wù)；電子元器件制造；集成電路制造；信息安全設(shè)備制造；通信設(shè)備制造；光通信設(shè)備制造；雷達及配套設(shè)備制造；光電子器件制造；真空鍍膜加工；表面功能材料銷售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷售；合成材料銷售；有色金屬合金銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造；新型陶瓷材料銷售；電子元器件零售；電子元器件批發(fā)；泵及真空設(shè)備制造；泵及真空設(shè)備銷售；通用設(shè)備制造（不含特種設(shè)備制造）；玻璃、陶瓷和搪瓷制品生產(chǎn)專用設(shè)備制造；電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；特種陶瓷制品銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售；集成電路設(shè)計；機械設(shè)備租賃；租賃服務(wù)（不含許可類租賃服務(wù)）（除依法須經(jīng)批準的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動） 企業(yè)地址 江蘇省 蘇州高新區(qū)長亭路8號大新科技園3幢二樓 獲投資情況 2021/07/01蘇州匯伯壹號創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）天使輪1000萬元 2022/03/22蘇州融享進取創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）preA輪2500萬元 三、負責(zé)人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時間 潘遠志 鄧敏航 楊添皓 電子與信息學(xué)部/自動化 2020/2024 陶佳怡 管理學(xué)院/大數(shù)據(jù)管理 2020/2024 林子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2020/2024 袁子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2020/2024 牟國瑜 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2020/2024 楊志鵬 能源與動力工程學(xué)院/強基（核工程與核技術(shù)） 2020/2024 田繼森 航天航空學(xué)院/工程力學(xué) 2020/2024 孫浩然 機械工程學(xué)院/機械工程 2020/2024 鄭力愷 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2019/2023 王羿淮 管理學(xué)院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科學(xué)與工程學(xué)院/材料科學(xué)與工程 2018/2023 四、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 職務(wù)/職稱 研究方向 宋忠孝 材料學(xué)院/材料系 教授、博士生導(dǎo)師 核電領(lǐng)域；電化學(xué)、催化、電池領(lǐng)域；器件、封裝領(lǐng)域：高溫抗氧化燒蝕、高壓抗電弧燒蝕領(lǐng)域；輕量化領(lǐng)域硬質(zhì)涂層領(lǐng)域 王小華 電氣學(xué)院/電機電器及其控制 教授/博導(dǎo)，國家級人才計劃入選者（特聘教授），國家級青年人才計劃入選者（青年學(xué)者），教育部新世紀優(yōu)秀人才，陜西省青年科技標兵。西安交通大學(xué)未來技術(shù)學(xué)院/現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院副院長、實踐教學(xué)中心（工程坊）副主任、教務(wù)處副處長、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)學(xué)院副院長，CIGRE開關(guān)設(shè)備狀態(tài)評估工作組成員，中國電工技術(shù)學(xué)會電器智能化系統(tǒng)及應(yīng)用專委會委員 開關(guān)設(shè)備設(shè)計、狀態(tài)監(jiān)測與壽命評估 田高良 管理學(xué)院/會計與財務(wù) 教授、博士生導(dǎo)師 財務(wù)預(yù)警；內(nèi)部控制與風(fēng)險管理；資產(chǎn)評估；信用管理等 五、項目簡介 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司是一家專門從事高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的公司。以先進的陶瓷表面金屬化技術(shù)為核心形成了包括（1）粉體表面改性；（2）熱壓燒結(jié)；（3）研磨、拋光；（4）陶瓷金屬化；（5）增厚、刻蝕；（6）預(yù)制金錫焊料；（7）激光切割等環(huán)節(jié)的完整高端熱沉材料生產(chǎn)體系。公司擁有完整的熱沉材料生產(chǎn)體系，致力于成為“國產(chǎn)化功率半導(dǎo)體器件熱沉材料領(lǐng)跑者”，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展添磚加瓦。 博志金鉆技術(shù)團隊在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。博志金鉆目前蘇州主體工廠面積超過5000平米，含萬級潔凈間。擁有20余臺研磨拋光設(shè)備、10余臺燒結(jié)爐、4條臥式連續(xù)鍍膜設(shè)備、5臺立式鍍膜設(shè)備，以及超聲清洗、噴淋甩干等完善的配套設(shè)備。博志金鉆的工藝流程包括粉體表面改性、熱壓燒結(jié)、研磨/拋光、陶瓷金屬化、增厚/刻蝕、預(yù)制金錫焊料、激光切割，博志金鉆已經(jīng)建立了完善的產(chǎn)品生產(chǎn)管理及質(zhì)量監(jiān)控體系來進行管控，完成了包括ISO9001、14001等認證，并不斷完善產(chǎn)品檢測設(shè)備及手段，確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。 公司積極進行產(chǎn)品迭代和技術(shù)儲備，在高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域有著二十余年研發(fā)經(jīng)驗。中國科學(xué)院院士孫軍教授和國家萬人計劃領(lǐng)軍人才宋忠孝教授作為本公司首席科學(xué)家領(lǐng)銜公司技術(shù)研發(fā)，進行陶瓷金屬化和半導(dǎo)體封裝基板領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的探索。潘遠志帶領(lǐng)公司與西安交通大學(xué)表面工程國際研發(fā)中心、金屬材料強度國家重點實驗室合作進行前沿技術(shù)開發(fā)，團隊與蘇州市產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、高新區(qū)共同設(shè)立蘇州思萃材料表面應(yīng)用技術(shù)研究所，是公司的技術(shù)支持和組織依托。目前公司已完成天使輪、preA輪數(shù)千萬融資交割，公司投后估值逾2億元。

寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開關(guān)速度高工作溫度抗輻時等特點,成為當前國際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點，也是業(yè)界普遍認可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點在消費電子(如手機快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強型功率晶體管、功率整流器進行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。解決了增強型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。

       芯片功率器件測試平臺，以工程教育專業(yè)認證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè)，以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實的產(chǎn)業(yè)環(huán)境，支撐集成電路相關(guān)課程的教學(xué)與實訓(xùn)，且能進行項目開發(fā)和師資培訓(xùn)。

功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團隊在功率DMOS領(lǐng)域累計授權(quán)發(fā)明專利超過50項，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號近百種。

1. 痛點問題 功率半導(dǎo)體是支撐能源領(lǐng)域發(fā)展的核心部件。為實現(xiàn)3060雙碳目標，我國正在超常規(guī)推動新能源發(fā)電、大容量輸配電和電氣化交通等領(lǐng)域，對電壓等級4.5kV以上的功率器件需求急速增長。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯(lián)數(shù)量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風(fēng)電平臺建設(shè)成本的關(guān)鍵。然而，受工作機理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無法滿足能源發(fā)展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導(dǎo)體器件解決方案。 2020年，中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模達2000億元，但90%以上依賴進口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進口。亟需尋求自主可控的功率半導(dǎo)體器件國產(chǎn)替代方案。 2. 解決方案 本技術(shù)面向新能源發(fā)電和輸配電領(lǐng)域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門極換流晶閘管）的設(shè)計、制備和驅(qū)動控制方案，可以提高阻斷電壓和關(guān)斷電流能力、降低器件運行損耗，且可以結(jié)合應(yīng)用工況開展定制優(yōu)化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅(qū)動供電問題等，從而實現(xiàn)大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。 目前團隊已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發(fā)展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術(shù)提出的IGCT具有通態(tài)損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強等突出優(yōu)勢，符合能源發(fā)展趨勢，且制造工藝沿用基本沿用傳統(tǒng)的晶閘管路線，制造成本低，國內(nèi)工藝基礎(chǔ)好。

產(chǎn)品詳細介紹供應(yīng)工廠紅外對射，圍墻防護紅外對射，廠房周界防范系統(tǒng)產(chǎn)品名稱：三光束主動紅外對射 (廠家直銷）產(chǎn)品型號： 紅外對射柵欄系列                 Sn-20~150  產(chǎn)品規(guī)格： 標準 室外三光束全數(shù)字式紅外對射，當有人進入防區(qū)遮斷三束紅外線時發(fā)出報警信號觸發(fā)報警。全密封防雨（霧）、防塵（蟲）等的全天候一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計使其能在惡劣的環(huán)境中正常工作。特殊濾光鏡片及電路，抗強光干擾。性能優(yōu)點：1、技術(shù)先進，性能優(yōu)越。2、超強穩(wěn)定。3、人工智能識別技術(shù)，防止惡意入侵。4、專業(yè)MCU芯片、數(shù)字變頻超強信號濾波，可靠性好、抗干擾能力強。5、簡單撥碼，無需設(shè)定，每防區(qū)最多可駁接5組探頭。6、傳輸介質(zhì)：僅需2根電源線+2根信號線。7、最大無中繼傳輸距離1.2KM8、具有防水、防塵、防蟲進線口。9、具有多重防拆卸、防斷電、防移動保護功能。10、自動錯碼抗干擾技術(shù)。11、便捷式光軸調(diào)整機構(gòu)。12、超低功耗控制，傳輸距離更遠。13、整機結(jié)構(gòu)一體化優(yōu)化設(shè)計，造型輕巧，簡潔美觀。14、可選背對背安裝構(gòu)造，安裝更簡便。15、對射防范警戒距離穩(wěn)定，靈敏度高，室內(nèi)室外全天候工作。16、有線報警輸出，可兼容市場所有開關(guān)量報警主機技術(shù)參數(shù)：光束數(shù)：3束探測方式：3光束同時遮斷檢知式光　源：紅外線LED感應(yīng)速度：50 ～ 700 msec警報輸出：繼電器接點輸出　接點容量ACDC30V0.5Amax工作電壓：DC 13.8—24V；  AC 11—18V消耗電流：40mAmax 40mAmax 40mAmax 55mAmax 65mAmax 65mAmax使用溫度范圍：- 25 ° C ～ 55 ° C外型尺寸：參照外型圖防拆輸出：接點輸出　DC30V0. 5 Amax.光軸調(diào)整角度水平：180 °±90 °光軸調(diào)整角度垂直：20 °±10 °瞄準器：可拆卸式材料：ABS樹脂重量：600g（受光器+投光器各） 咨詢電話： 劉生 15013775514/0755-89206127 商務(wù)Q 272820915歡迎你的來電深圳市世寧科技有限公司，我公司會給最好服務(wù)，最實惠的價格！供應(yīng)工廠紅外對射，圍墻防護紅外對射，廠房周界防范系統(tǒng)

針對汽車電子、5G通訊基站、航空航天及電力電子設(shè)備等功率電子元器件難以在高溫、大電流/電壓、潮濕等惡劣工作環(huán)境下服役的難題，并且要求芯片封裝互連接頭尺寸更小、高溫穩(wěn)定性更好、可靠性更高，本團隊首次采用超聲輔助納米燒結(jié)的新型互連工藝，利用納米銀包銅顆粒作為焊料，成功獲得大功率器件高溫高可靠服役要求的互連接頭，為高功率芯片貼裝高導(dǎo)熱界面制造提供了新材料和新工藝。

產(chǎn)品詳細介紹供應(yīng)太陽能紅外對射，無線紅外對射廠家，紅外對射系統(tǒng)工程價格產(chǎn)品名稱：雙光束主動紅外對射 (廠家直銷）產(chǎn)品型號： 紅外對射柵欄系列                 Sn-20~150  產(chǎn)品規(guī)格： 標準  詳細介紹  功能簡介    1、抗強光達50，000LUX,內(nèi)置自動調(diào)節(jié)強光過濾系統(tǒng),避免受強光或汽車燈光的影響   2、獨特的光學(xué)設(shè)計：光電射束可穿透多層玻璃，具有特殊的抗環(huán)境能力   3、全密封防雨（霧）、防塵（蟲）等的一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計使其能在惡劣的環(huán)境中正常工作   4、可選菲涅爾或雙元非球面二次聚焦光學(xué)透鏡實現(xiàn)了大口徑光柱    5、模塊化的設(shè)計便于探測器的添加及層疊    6、具有高水準的抗RFI/EMI能力   7、接收信號強度多級LED指示燈（校準更精密）   8、射束遮斷周期可調(diào)使其更加靈活適應(yīng)性更強    9、探測范圍：由各個型號決定（參下表）   技術(shù)參數(shù)： 警戒距離 (室外) 20m   30m   40m   60m   80m   100m    150m 光    束     數(shù) 2束 探測方式 2光束同時遮斷檢知式 光源 紅外數(shù)字脈沖式 感應(yīng)速度 50-700msec可調(diào) 警報輸出 繼電器接點輸出NO或NC 接點容量AC、DC30V0.5AMax 供電電源 DC13.8～24V、AC11～18V  消耗電流 40mAmax 40mAmax 55mAmax 55mAmax 65mAmax 65mAmax 咨詢電話： 劉生 15013775514/0755-89206127 商務(wù)Q 272820915使用溫度范圍 -25℃～55℃ 使用濕度范圍 5%～95%RH (相對濕度） 外型尺寸 參照外型圖 防拆輸出 接點輸出NC 接點容量AC、DC24V 0.5AMax  光軸調(diào)整角度(水平) 180°(±90°) 光軸調(diào)整角度(垂直) 20°( ±10°) 結(jié)露、霜對策 加熱式外罩（另配） 材質(zhì) PC工程料 質(zhì)量 658g（受光器+投光器各）  歡迎你的來電深圳市世寧科技有限公司，我公司會給最好服務(wù)，最實惠的價格！供應(yīng)太陽能紅外對射，無線紅外對射廠家，紅外對射系統(tǒng)工程價格

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和芯片性能的提高帶來電路及其芯片的散熱問題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時由于芯片的不斷集成化和微型化，導(dǎo)致散熱量的迅速增加，傳統(tǒng)的冷卻技術(shù)已經(jīng)不能滿足散熱要求。本技術(shù)開發(fā)了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環(huán)系統(tǒng)，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術(shù)，實現(xiàn)了低溫高效換熱，傳熱系數(shù)高達26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過100W/cm2（而常規(guī)水冷條件下元器件表面溫度超過150攝氏度）。

本發(fā)明涉及光伏并網(wǎng)逆變器技術(shù)領(lǐng)域。包括由功率電路組成的功率逆變單元和逆變控制單元兩部分，功率逆變單元主要包括輸入EMI 濾波電路、交錯并聯(lián) Boost 升壓電路、采用混合器件的全橋逆變電路、輸出并網(wǎng)濾波電路，逆變控制單元主要包括電網(wǎng)相位檢測電路、采樣電路、及控制器。本發(fā)明采用雙級結(jié)構(gòu)，前級采用交錯并聯(lián) Boost升壓，減小了電流的波動，降低了輸出電壓紋波；后級逆變單元采用混合功率器件，有效減小了逆變損耗，提高系統(tǒng)效率