|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
低C/N比城市污水連續流脫氮除磷工藝與過程控制技術
北京工業大學
2021-04-14
TiO2/g-C3N4納米復合物用于可見光產氫
課題組依據共價鍵、靜電吸引力、范德華力三種不同作用力類型，構筑了三類TiO 2
南方科技大學
2021-04-14
一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統
本發明公開了一種測量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達系統。該系統由發射單本發明 公開一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統。包括信號饋入單元、光學色散單元和信號檢 測單元。信號饋入單元采用集束光纖將傳導的信號光饋入光學色散單元;光學色散單元包含兩組級聯的 準 Littrow 結構布局的單光柵色散系統;信號檢測單元分辨與記錄色散后的通帶范圍內譜信號。在波長 354.8nm 紫外激光輻射下，由 N2 分子產生的 Stokes 振轉 Raman 譜中心波長為 386.8nm，對稱分布在兩 側的 O 支與 S 支譜各譜線在頻譜上等間距;本發明能提取 N2 分子振轉 Raman 譜 O 支及 S 支各分立譜 線信號，實現對 N2 分子振轉 Raman 譜的分辨與檢測，同時能對 354.8nm 附近光信號產生大幅抑制。
武漢大學
2021-04-13
提升結晶小分子半導體在n型有機薄膜晶體管柔性方面的研究
該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現了晶粒間的粘合作用。
南方科技大學
2021-04-14
聯想邊洪：和技術賦能高校，助力高校產教融合創新發展
5月21日，以“跨界聚合·交叉融合：高質量發展”為主題的第56屆中國高等教育博覽會在青島熱烈啟幕。作為第一次參展的聯想，本屆展會帶來了智慧教室、專業景、高校直通車和產教融合等四大展區四大主題的解決方案。
慧聰教育網
2021-06-09
中國高等教育學會關于召開2023高校產教融合論壇的通知
為學習貫徹黨的二十大精神，持續推進高等教育高質量發展，貫徹落實全國教育大會精神和《中國教育現代化2035》，突破傳統路徑依賴，充分發揮產業優勢，發揮企業重要教育主體作用，深化產教融合，推動高校探索現代產業學院建設模式，助力創新人才培養質量不斷提升。
中國高等教育學會
2023-03-15
高博會 | 奧威亞教與新空間，如何賦能“雙一流”建設？
2021年5月21日，奧威亞攜教與學新空間解決方案以及豐富的落地應用參加高博會
廣州市奧威亞電子科技有限公司
2022-12-21
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導體材料 與器件制備領域，解決現有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問題，以實現禁帶寬度和能帶位置的連續可調，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無機半導體材料。本發明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發源，通過近空間升華法在襯底
華中科技大學
2021-04-14
可定制外型結構氧氣傳感器O2S-FR-T2-18X
產品詳細介紹 可定制外形結構氧氣傳感器O2S-FR-T2-18X 一、產品簡介： 氧氣傳感器采用兩個氧化鋯盤，在其中間是一個密封空間。其中一個盤起的功能是可逆氧氣泵，依次充滿樣品氣和抽空此小空間。另一個盤用于測量氧分壓差比率，得到相對應的傳感電壓。氧化鋯盤作為氧氣泵運行時，需要的700 °C 的溫度由加熱元件產生。氧氣泵使小空間范圍內達到額定的最小和最大壓力所花的時間和環境中氧分壓值具有對應關系。 二、產品特性： 1) 非消耗性的氧化鋯傳感元件 2) 氧壓范圍 2 mbar...3 bar 3) 高穩定性和精度，可測量0…100% 氧 4) 對于其他氣體無交叉干擾 5) 無需溫度穩定 6) 內置加熱元件 7) 加熱器電壓： 4.35 ±0.1 VDC (1.85 A) 8) 允許氣體溫度： -100...250 °C ； 9) 線性輸出信號 三、產品參數
深圳市新世聯科技有限公司
2021-08-23