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供應激光功率計、能量計（全）
產品詳細介紹 激光系列產品 >> 激光能量計/功率計 >> Vector S310激光功率計表頭特點大尺寸液晶屏功率/能量測量模式統計模式高級EMI/RFI保護模式自動斷路器RS-232接口IEEE 488接口模擬輸出可選衰減修正液晶背景燈可選科學符號顯示支持LabView 產品名稱： Astral S系列激光功率計產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21113533716產品信息： 產品名稱： VECTOR 系列焦熱電激光功率計探頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 2111324616產品信息： 產品名稱： Astral系列大孔徑激光功率計探頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21113211116產品信息： 產品名稱： Ultra系列超級激光功率計探頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 2111316116產品信息： 產品名稱： Astral系列激光功率計光電二極管探頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21113141916產品信息： 產品名稱： Astral S系列光電二極管激光功率計產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21110394916產品信息： 產品名稱： VECTOR H410激光能量計/功率計表頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21110264716產品信息： 產品名稱： Vector S310激光功率計表頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21110143516產品信息：
長春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
Si基GaN功率半導體及其集成技術
隨著便攜式電子設備的快速發展，將微型電子設備運用到可穿戴設備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統的硬質電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設備的儲能問題，是實現這些可能性的重要因素之一。 本成果設計并制備了一種新型柔性微型超級電容器，其具有制備工藝簡單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點。
電子科技大學
2021-04-10
Si基GaN功率半導體及其集成技術
電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器
電子科技大學
2021-04-10
高頻高功率密度GaN柵驅動電路
作為第三代半導體代表性器件.硅基GaN開關器件由于具有更小的FOM.能夠把開關頻率推到MHz應用范圍，突破了傳統電源功率密度和效率瓶頸(功率密度提高5-10倍).且具有成本優勢，滿足未來通信、計算電源、汽車電子等各方面需求,開展相關領域的研究對我國在下一代電力電子器件產業的全球競爭中實現彎道超車,具有重要意義。然而,器件物理特殊性需要定制化柵驅動電路和采用先進的環路控制策略，最大程度提高GaN開關應用的可靠性,發揮其高頻優勢。
電子科技大學
2021-04-10
高功率超短脈沖激光傳輸光纖
高功率超短脈沖激光技術在激光精細加工和激光 3D 打印等領域表現出很大的優勢，可以提供十微米以下甚至亞微米級的加工精度，市場應用前景廣闊。由于高功率超短脈沖激光的脈沖寬度非常窄（工業應用通常在百飛秒至幾十皮秒量級），單脈沖能量較大，峰值功率非常高，普通實芯石英光纖 受限于材料的非線性和損傷閾值低的問題，無法傳輸如此高功率的超短脈沖?，F在大多采用空間光路 反射輸出，這大大增加了系統的復雜性，限制了其應用范圍。 北工大基于國家自然科學基金項目，制備了高性能的無節點空芯反諧振光纖，該光纖纖芯為空氣 結構，這就避免了材料的吸收，可以大大提高光纖的損傷閾值，進而可用來傳輸高功率超快激光。這 種高性能無節點空芯反諧振光纖利用改裝的特種光纖拉絲塔通過堆積和拉制的方法拉制而成。目前， 國際范圍內僅有少數科研單位和一家法國 GLO Photonics 公司具有制備該光纖的能力，并且銷售價格較高（約 20,000 元 / 米），阻礙了其工業化應用進程。
北京工業大學
2021-04-13
高效和高功率密度電機驅動系統
? 成果簡介：高功率大轉矩交流感應電機驅動系統峰值轉矩達1400Nm，應用效果良好；車用高效大功率永磁同步電機驅動系統填補了國內該領域的空白，突破了高速穩定弱磁調速技術難，比功率大于1.45kW/kg。該成果已在大洋電機、北京公交集團、627廠、福田、618廠、山東華盛集團、北京飛馳綠能、安徽安凱公司等企業得到推廣應用。? 項目來源：自行開發? 技術領域：電氣工程、新能源汽車? &n
北京理工大學
2021-01-12
高功率超短脈沖激光傳輸光纖
北京工業大學
2021-04-14
一種超聲波功率測量系統
一種超聲波功率測量系統，本發明屬于測量儀器，解決現有輻 射力天平法測量超聲波功率對環境要求較高、儀器達到穩定測量狀態 所需時間較長的問題。本發明包括激光器、擴束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡、CCD 攝像機、計算機、激光電源和光學平臺，所述激光器、 擴束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡和 CCD 攝像機沿光路依次固定在光 學平臺上，成像透鏡的軸線與激光器 1 發出的平行光的軸線重合，CCD 攝像機放置在成像透鏡的焦點上，用于接收衍射圖案，并將該圖像傳
華中科技大學
2021-04-14
Si基GaN功率半導體及其集成技術
特色及先進性；技術指標 電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結構（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結構如圖2所示。新結構較傳統GaN整流器具有更小的導通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標準，MG-HAD在常溫下擊穿電壓超過1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下擊穿電壓為770V。本器件結果能同時具有低導通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學
2016-06-08
高功率因數雙向PWM變換器
兩電平與三電平主電路適用于能量四像限運行，三電平更適于直流高壓場合，可用于并網逆變，老化電子負載，蓄電池充放電機的前級，高功率因數整流器， 用作微電網與電網間的接口電路，可實現微網與電網間的能量互換，可用于直流充電樁的前級，實現網側的高功率因數自主知識產權。
揚州大學
2021-04-14