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專家報告薈萃? | 重慶大學副校長盧義玉：新質生產力賦能創新創業教育
重慶大學將就業視為重中之重，不僅關心學生的就業率，更重視學生能夠高質量就業。要實現高質量的就業，就必須要對學生各方面進行培養。
中國高等教育博覽會
2025-01-10
專家報告薈萃? | 重慶大學副校長盧義玉：新質生產力賦能創新創業教育
重慶大學將就業視為重中之重，不僅關心學生的就業率，更重視學生能夠高質量就業。要實現高質量的就業，就必須要對學生各方面進行培養。懷部長在會議上強調的“三個譜”：知識圖譜、能力圖譜、素質圖譜方面的工作，重慶大學關心的重點是能力圖譜的建設和創新能力的培養。
中國高等教育博覽會
2025-01-20
專家報告薈萃? | 山東大學副校長易凡：強化有組織科研 培育發展新質生產力
在這個充滿機遇與挑戰的時代，山東大學始終秉持著對科技創新的不懈追求，積極探索前沿領域，力求為社會發展貢獻更多智慧與力量。今日，我們有幸與尊敬的雷司長、高院士相聚一堂，一同回顧山東大學近年來在科技創新之路上的奮進歷程，分享那些令人振奮的成果與突破。接下來，就讓我們一同走進山東大學的科技創新世界，感受那蓬勃發展的活力與激情，見證每一位山大人在科研道路上的堅守與擔當。
中國高等教育博覽會
2025-03-12
我國制造業增加值連續12年世界第一（新數據 新看點）
2021年，我國制造業增加值規模達31.4萬億元，占GDP比重達27.4%。自2010年以來，我國制造業增加值已連續12年世界第一。
人民日報
2022-03-11
一種多通道多參數雙極性恒流低頻經皮刺激儀
本實用新型公開了一種多通道多參數雙極性恒流低頻經皮刺激儀，主要包括單片機、觸屏顯示模塊、電源管理模塊、升壓模塊、恒流模塊、雙極性控制電路、DA轉換電路；其中恒流模塊包括負反饋調節電路；觸屏顯示模塊、雙極性控制電路、DA轉換電路分別與單片機連接，電源管理模塊分別與升壓模塊、單片機、觸屏顯示模塊連接，雙極性控制電路與恒流模塊、升壓模塊分別連接。該刺激儀采用多個通道互不干擾獨立工作，包括獨立升壓、獨立產生不同參數不同波形組合的電刺激；采用雙極性對稱電刺激，避免了單極性電刺激在人體表面產生的極化現象；將產生的受控制的多種單純波和組合波以及兩種不同頻率的疏密方尖波轉換成電刺激，可以較逼真的模擬出針灸、捶擊、按摩、火罐、推拿等不同的刺激效果。
浙江大學
2021-04-13
一種殺鞘翅目害蟲的蘇云金芽孢桿菌工程菌及制備方法和應用
已有樣品/n公開了一種殺鞘翅目害蟲的蘇云金芽孢桿菌工程菌及制備方法和應用，CCTCCM2013259。其步驟:A、從殺鞘翅目害蟲的Bt菌株YC-03中克隆殺蟲晶體蛋白基因cry3Aa8，將該基因插入解離載體pHT304/res中，獲得重組質粒pHT3Aa8/res，將pHT3Aa8/res的DNA電轉Bt無晶體突變株BMB171，篩選獲得轉化子，將輔助質粒pBMB1200轉入轉化子中，挑取在Amp/Erm平板上不生長在LB平板上生長的陽性轉化子，在LB液體培養基中傳代，挑取在LB平板上生長在四環素平
中國科學院大學
2021-01-12
超高壓同塔四回交流/雙回雙極直流線路零序參數測量法
本發明涉及一種超高壓同塔四回交流/雙回雙極直流線路零序參數測量法，通過建立基于分布參數的 超高壓同塔四回/雙回雙極輸電線路模型，利用全球衛星定位系統技術(GPS)，同時測量四回/四極輸電 線路首末兩端的零序電壓和零序電流，實現對零序電壓和零序電流的同步采樣;再通過本專利給出的測 量與計算方法得到超高壓同塔四回/雙回雙極輸電線路的零序電阻、零序電感、零序電容參數。本發明方 法基于分布參數模型和傳輸線方程，極大提高了測量精度，可滿足實際工程測量的需要。
武漢大學
2021-04-14
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
利用人工智能實現全期別鼻咽癌精準放射治療靶區自動勾畫
探究了AI自動勾畫的臨床應用價值，即AI能夠為臨床醫生提供多大的幫助。在8位醫生完成人工勾畫兩個月后，由他們對AI自動勾畫的結果進行修改（AI自動勾畫+醫生修改，即AI輔助勾畫）。結果顯示，AI輔助勾畫提高了5位醫生的勾畫準確性（平均由74%提高至79%），減少了55%的勾畫者間差異。 本研究是AI在全期別鼻咽癌放射治療靶區勾畫方面的首個研究，樣本量大、技術合理、測試全面，是AI在腫瘤學領域應用的一項重要進展。研究結果顯示AI輔助勾畫提高了鼻咽腫瘤勾畫的準確性，能夠讓經驗較少的醫生達到近似專家水平的勾畫，將會對腫瘤控制和患者生存產生積極影響，同時極大地提高了醫生勾畫的效率，為實現精準而又高效的鼻咽癌放射治療靶區勾畫提供了解決方案。
中山大學
2021-04-13
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發明專利/實用新型/：發明授權 簡介：本發明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產生沉淀物，將獲得的沉淀經洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經模壓成型和冷等靜壓強化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐
華中科技大學
2021-04-14