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基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點(diǎn)。本發(fā)明有效利用硅 量子點(diǎn)-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點(diǎn)-SiC
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種電容緩沖式混合高壓直流斷路器及其控制方法
本發(fā)明公開了一種電容緩沖式混合高壓直流斷路器及其控制方 法，該斷路器包括機(jī)械開關(guān)單元、電流轉(zhuǎn)換單元、電容緩沖單元和機(jī) 械開關(guān)供能單元。機(jī)械開關(guān)單元由至少一個機(jī)械開關(guān)子單元串聯(lián)構(gòu)成， 機(jī)械開關(guān)子單元由機(jī)械開關(guān)、均壓模塊和吸能限壓模塊并聯(lián)構(gòu)成；電 流轉(zhuǎn)換單元由電力電子開關(guān)模塊和限壓模塊并聯(lián)構(gòu)成，電力電子開關(guān) 模塊包括至少一個電力電子器件；電容緩沖單元由電容器組構(gòu)成，為 故障電流提供換流緩沖支路；機(jī)械開關(guān)供能單元為機(jī)械開關(guān)提供電能， 保證其動作的快速性和協(xié)同性。本發(fā)明提供的電容緩沖式混合高壓直 流斷路器及
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種模塊化多電平換流器功率運(yùn)行區(qū)間的獲取方法
本發(fā)明公開了一種模塊化多電平換流器功率運(yùn)行區(qū)間的獲取方 法，包括下述步驟：(1)根據(jù)已知的模塊化多電平換流器的基本參數(shù)， 建立旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下模塊化多電平換流器的穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)解析模型；(2)確定 要考慮的運(yùn)行約束條件；(3)根據(jù)穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)解析模型計算各約束條件下 功率運(yùn)行區(qū)間；(4)將各約束條件下的功率運(yùn)行區(qū)間取交集，獲得考慮 多重運(yùn)行約束條件下模塊化多電平換流器的功率運(yùn)行區(qū)間。本發(fā)明考 慮的運(yùn)行約束條件，通過建立一套旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下模塊化多電平換流器 的穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)解析模型，并通過取交集得到考慮多重約束條件下的功率
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種具有高傳輸效率可快速連續(xù)調(diào)節(jié)能量的降能器
本發(fā)明公開了一種具有高傳輸效率可快速連續(xù)調(diào)節(jié)能量的降能 器，包括碳化硼能量粗調(diào)單元、石墨能量精調(diào)單元、束流準(zhǔn)直器組、 運(yùn)動控制模塊、真空模塊；碳化硼能量粗調(diào)單元實(shí)現(xiàn)能量的初級步進(jìn) 調(diào)節(jié)，提高了束流傳輸效率；石墨能量精調(diào)單元可實(shí)現(xiàn)束流能量的連 續(xù)精準(zhǔn)調(diào)節(jié)；準(zhǔn)直器組可對束流發(fā)射度進(jìn)行有效抑制，通過改變孔徑 實(shí)現(xiàn)了發(fā)射度的選擇；運(yùn)動控制模塊可分別對碳化硼和石墨能量調(diào)節(jié) 單元進(jìn)行快速運(yùn)動控制，保證了能量的快速調(diào)節(jié)；真空模塊創(chuàng)造并維 持了真空環(huán)境。本發(fā)明的降能器可以實(shí)現(xiàn)束流能量的高傳輸效率、快 速、連續(xù)調(diào)節(jié)，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種回旋加速器等時性磁場墊補(bǔ)方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種回旋加速器等時性磁場墊補(bǔ)方法及系統(tǒng)。首 先通過有限元建模與計算得出回旋加速器磁極不同半徑處單位邊緣切 削面積磁場沿徑向改變量，利用若干組改變量計算出表征切削向量同 整體磁場改變量的相關(guān)矩陣。在對加工的主磁鐵進(jìn)行測磁后，根據(jù)等 時場偏差和相關(guān)矩陣可逆向計算出所需要切削的邊緣沿半徑分布向 量，在通過插值得到連續(xù)加工坐標(biāo)后，利用數(shù)控機(jī)床對磁極邊緣進(jìn)行 加工。本發(fā)明所提供的磁場墊補(bǔ)方法考慮了墊補(bǔ)過程中徑向邊緣場效 應(yīng)，同時結(jié)合了有限元計算與實(shí)際測磁結(jié)果，具有可預(yù)測、高精度特 點(diǎn)，并基于相關(guān)矩
華中科技大學(xué)
2021-04-14
無位置傳感器的無刷雙饋發(fā)電機(jī)輸出頻率控制方法
本發(fā)明公開了一種無位置傳感器的無刷雙饋發(fā)電機(jī)輸出頻率控 制方法。該方法不依賴于位置傳感器，也無需知道無刷雙饋發(fā)電機(jī)的 各種參數(shù)，利用采集到的無刷雙饋發(fā)電機(jī)的功率繞組的電壓實(shí)現(xiàn)對轉(zhuǎn) 速的辨識，避免了位置傳感器帶來的一系列問題，能對無刷雙饋發(fā)電 機(jī)的輸出頻率進(jìn)行有效控制；在需要無刷雙饋發(fā)電機(jī)和外電網(wǎng)并網(wǎng)使 用時，也能在無位置傳感器的情況下順利完成并車過程；由于無刷雙 饋發(fā)電系統(tǒng)本身就需要采集無刷雙饋發(fā)電機(jī)的功率繞組的電壓構(gòu)成電 壓閉環(huán)以實(shí)現(xiàn)對無刷雙饋發(fā)電機(jī)輸出電壓幅值的有效控制，本發(fā)明不僅能有效削減位置
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種連續(xù)導(dǎo)電模式單電感雙輸出開關(guān)變換器變頻控制裝置
本實(shí)用新型公開了一種連續(xù)導(dǎo)電模式單電感雙輸出開關(guān)變換器變頻控制裝置，通過限定電感電流峰值和谷值的大小，完成對變換器中主開關(guān)管和支路開關(guān)管的控制，實(shí)現(xiàn)各個輸出支路的獨(dú)立調(diào)節(jié)。與工作在連續(xù)導(dǎo)電模式的傳統(tǒng)單電感雙輸出開關(guān)變換器相比，本實(shí)用新型具有穩(wěn)定性好，可靠性高，抗干擾能力強(qiáng)，輸入、負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度快，輸出支路間的交叉影響小等優(yōu)點(diǎn)，可用于控制單電感雙輸出拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的多種變換器，諸如：Buck變換器、Boost變換器、Buck-boost變換器、Bipolar變換器等。
西南交通大學(xué)
2016-10-24
一種加熱爐空氣預(yù)熱器熱管煙泥灰垢刮除裝置
本發(fā)明公開了一種加熱爐空氣預(yù)熱器熱管煙泥灰垢刮除裝置，包括支撐座，所述支撐座上安裝有液壓缸，所述液壓缸的活塞桿上安裝有支架，所述支架上安裝有能沿?zé)峁艿目v向滑動時刮除熱管的煙氣段外表面的煙泥灰垢的刮灰環(huán)，所述刮灰環(huán)包括經(jīng)模壓成型的環(huán)體，所述環(huán)體上設(shè)置有與熱管的煙氣段的橫截面形狀相應(yīng)的內(nèi)腔，環(huán)體的內(nèi)壁上固設(shè)有用于刮除煙泥灰垢的刷毛。本發(fā)明的刮灰環(huán)會包覆在熱管的煙氣段上，液壓缸的活塞桿帶動支架和刮灰環(huán)上下移動，刮灰環(huán)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 H 橋三電平有源電力濾波器的控制方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種 H 橋三電平有源電力濾波器的控制方法及系 統(tǒng)。在進(jìn)行直流母線電壓相間平衡控制時，通過檢測各相直線母線電 壓與直流母線平均電壓之間的偏差，確定基波負(fù)序電流的給定量，是 一種雙閉環(huán)結(jié)構(gòu)，因此系統(tǒng)的魯棒性更高。與傳統(tǒng)的基于負(fù)序電壓注 入的方法相比，不會影響電流環(huán)的性能；與傳統(tǒng)的基于零序電壓注入 的方法相比，其相間平衡控制的能力更強(qiáng)。在進(jìn)行負(fù)載電流諧波檢測 時，在雙 dq 軸坐標(biāo)系下分別檢測基波正序分量和基波負(fù)序分量，因此 諧波檢測的精度更高。由于在負(fù)序 dq 軸坐標(biāo)系下檢測了基波負(fù)序電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動式壓電傳感器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側(cè)的電極凹槽；微流控芯片基片還設(shè)有進(jìn)樣口、出樣口和銀漿注入口，進(jìn)樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發(fā)明制作簡單，成本低廉
武漢大學(xué)
2021-04-14