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一種 3D 音頻空間參數(shù)全方位非均勻量化編碼系統(tǒng)及方法
本發(fā)明提供一種 3D 音頻空間參數(shù)全方位非均勻量化編碼系統(tǒng)及方法，包括基于雙聲道輸入信號進(jìn) 行預(yù)處理、聲道信號下混、下混信號量化編碼；按子帶提取空間參數(shù)，所述空間參數(shù)為聲道間強(qiáng)度差異 參數(shù) ICLD；根據(jù)全方位角度 JND 得到全方位角度量化表；根據(jù)輸入的揚(yáng)聲器的空間位置信息，建立在 兩揚(yáng)聲器所夾區(qū)域之間所形成虛擬聲像的方位角與空間參數(shù)的映射表，從全方位角度量化表映射得到空 間參數(shù)量化表；進(jìn)行空間參數(shù)全方位的非均勻量化壓縮編碼，對輸入的揚(yáng)聲器空
武漢大學(xué)
2021-04-14
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基于非均相類 Fenton 聯(lián)合脫除煙氣中 SO2、NO 和 Hg 的系統(tǒng)及 方法
本發(fā)明提供了一種非均相類 Fenton 技術(shù)聯(lián)合脫除煙氣中 SO2、NO 和 Hg 的系統(tǒng)及方法，屬煙氣污染物控制領(lǐng)域，主要用于解決電廠煙氣中 SO2、NO 和 Hg 的問題。包括反應(yīng)塔身、噴淋裝置、催化劑床層、雙氧水填料塔、反應(yīng)液分離塔和循環(huán)泵；燃煤煙氣經(jīng)電除塵器后引入反應(yīng)塔由下而上流過催化劑表面，H2O2 溶液由循環(huán)泵通過噴淋裝置流經(jīng)催化劑層，在催化劑表面發(fā)生分解反應(yīng)產(chǎn)生<sup>.</sup>OH，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種產(chǎn)生大氣壓彌散放電非平衡等離子體的系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種產(chǎn)生大氣壓彌散放電非平衡等離子體的系統(tǒng)， 包括：直流電源、諧振充電電路、Tesla 變壓器諧振升壓電路、脈沖陡 化電路、限流電阻、線型電極，諧振充電電路包括充電晶閘管、充電 電感、濾波電容、原方電容，Tesla 變壓器諧振升壓電路包括放電晶閘 管、Tesla 變壓器、副方電容，脈沖陡化電路包括三電極火花開關(guān)和觸 發(fā)極電阻，直流電源的正極連接到充電晶閘管的陽極，直流電源的負(fù)極接地，充電晶閘管的陰極連接到充電電感的一端，充電電感的另一 端連接到放電晶閘管的陽極，濾波電容直接與直流電源并聯(lián)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非接觸式一維納米材料陣列的大面積組裝方法
本發(fā)明公開了一種非接觸式一維納米材料陣列的大面積組裝方 法，將一維納米材料分散到易揮發(fā)性溶劑中，通過刮墨工具的運(yùn)動， 利用刮墨工具與液體的表面張力引導(dǎo)分散液進(jìn)行涂布；同時加熱襯底 加速分散液的揮發(fā)，分散液中的一維納米材料會在運(yùn)動、揮發(fā)過程中 受到剪切力的作用，使得一維納米材料向涂布方向上轉(zhuǎn)動，待分散溶 劑完全揮發(fā)，納米材料則有取向性地附著在襯底上。本發(fā)明方法可以 適用于易分散于醇、水、苯及氯仿等易揮發(fā)性溶劑中的一維納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于非接觸式掃描二維碼的電動汽車充電系統(tǒng)和方法
本發(fā)明公開了一種基于非接觸式掃描二維碼的電動汽車充電系統(tǒng)和方法，包括充電樁、設(shè)于各充電 樁的第一信息采集裝置、第二信息采集裝置、信息處理模塊、通信模塊和顯示模塊；第一信息采集裝置、 第二信息采集裝置、通信模塊、顯示模塊均與信息處理模塊信號連接；信號處理模塊通過通信模塊與云 服務(wù)器信號連接。本發(fā)明實現(xiàn)了非接觸式的充電樁控制，簡化了電動汽車的充電操作，方便了運(yùn)營商對 充電樁的管理，并可實現(xiàn)無人值守情況下充電費(fèi)率的自動調(diào)節(jié)，從而促進(jìn)城市智能充電網(wǎng)絡(luò)的
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個電荷存儲層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個存儲單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化的測量方法
本發(fā)明公開了一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化測量方法，包括：(1)將鐵磁性粒子置于待測對象處；(2)對所述鐵磁性粒子所在區(qū)域施加直流磁場使所述鐵磁性粒子達(dá)到飽和磁化狀態(tài)；(3)獲得待測對象在常溫下的穩(wěn)態(tài)溫度 T1，根據(jù)所述穩(wěn)態(tài)溫度 T1 計算出鐵磁性粒子的初始自發(fā)磁化強(qiáng)度 M1；(4)當(dāng)待測對象發(fā)生溫度變化后，測量鐵磁性粒子在溫度變化后的磁化強(qiáng)度變化信號的幅值 A，根據(jù)所述磁化強(qiáng)度變化信號的幅值 A 計算得到
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發(fā)明公開了一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構(gòu)成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構(gòu)成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進(jìn)行操作實現(xiàn)非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進(jìn)行操作實現(xiàn)非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14