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（一）項(xiàng)目背景 當(dāng)前以硅、砷化鎵為代表的第一和二代半導(dǎo)體接近其物理極限，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是當(dāng)前國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)熱點(diǎn)，也是我國(guó)發(fā)展自主核心半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、實(shí)現(xiàn)換道超車的難得機(jī)遇。氮化鎵（GaN）特別適合制作高頻、高效、高溫、高壓的大功率微波器件，是下一代通信、雷達(dá)、制導(dǎo)等電子裝備向更大功率、更高頻率、更小體積和抗惡劣環(huán)境（高溫抗輻照）方向發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。 目前氮化鎵基射頻器件已接近于商用，需解決從走出實(shí)驗(yàn)室到小量中試的最后“1 公里”，重點(diǎn)攻克其在可靠性工藝和量產(chǎn)穩(wěn)定性的瓶頸。 以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是當(dāng)前國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)熱點(diǎn)，也是我國(guó)發(fā)展自主核心半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、實(shí)現(xiàn)換道超車的難得機(jī)遇。 半導(dǎo)體作為信息時(shí)代的“糧食”，將成為 5G 基建、特高壓、城際高鐵和城際軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等“新基建”七大領(lǐng)域發(fā)展的支柱性產(chǎn)業(yè)。而氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體先進(jìn)電子器件，憑借其高效、高壓、高溫等優(yōu)勢(shì)，將在“新基建”中大放異彩，可以彌補(bǔ)傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的技術(shù)瓶頸，滿足更高性能器件要求。 （二）項(xiàng)目簡(jiǎn)介 5G 要求更高的數(shù)據(jù)傳輸速率，發(fā)射機(jī)的效率會(huì)出現(xiàn)指數(shù)級(jí)的下降。這種下降可以使用包絡(luò)跟蹤技術(shù)來(lái)修復(fù)，該技術(shù)已經(jīng)在較新的 4G/LTE 基站以及蜂窩電話中采用。基站中的包絡(luò)跟蹤需要高速，高功率和高電壓，這些只有使用 GaN 技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)。諸如 GaN 助力運(yùn)營(yíng)商和基站 OEM 等實(shí)現(xiàn)了 5Gsub-6-GHz 和 mmWave 大規(guī)模 MIMO 的目標(biāo)。 GaN 可以說(shuō)為 5Gsub-6-GHz 大規(guī)模 MIMO 基站應(yīng)用提供了眾多優(yōu)勢(shì)：1、在 3.5GHz 及以上頻率下表現(xiàn)良好，對(duì)比其他產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)明顯。2、GaN 的特性能轉(zhuǎn)化為高輸出功率，寬帶寬和高效率。采用 DohertyPA 配置的 GaN 在 100W 輸出功率下的平均效率達(dá)到 50%至 60%，明顯降低了發(fā)射功耗。3、在高頻和寬帶寬下的效率意味著大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)可以更緊湊。4、可在較高的工作溫度下可靠運(yùn)行，這意味著它可以使用更小的散熱器。 根據(jù) Strategy Analytics 的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 5G 移動(dòng)連接將從 2019 年的 500 萬(wàn)增長(zhǎng)到 2023 年的近 6 億。所以需求還將不斷上漲。 根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)5G移動(dòng)連接將從2019年的500萬(wàn)增長(zhǎng)到2023年的近6億。所以需求還將不斷上漲。 Efficient Power Conversion 的首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow 討論5G時(shí)也說(shuō)道：“基站中的包絡(luò)跟蹤需要高速，高功率和高電壓，這些只有使用GaN技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)。根據(jù)Yole Development公司發(fā)布的2018年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，隨著全球整體數(shù)據(jù)流量的激增，我國(guó)5G產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)大規(guī)模的需求增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)到2022年，我國(guó)5G基站規(guī)模將達(dá)到千億市場(chǎng)，5G基站數(shù)量將達(dá)百萬(wàn)個(gè)。所以未來(lái)氮化鎵基射頻器件是5G通信基站收發(fā)端的核心。 氮化鎵基射頻器件是華為和中興發(fā)展 5G 通信產(chǎn)業(yè)的核心器件，西安電子科技大學(xué)氮化鎵射頻器件研究團(tuán)隊(duì)自 2016 年起就與華為西安研究所、中興西安研究所等國(guó)內(nèi)主流5G通信公司協(xié)同攻關(guān)開展氮化鎵基射頻器件的研究，目前承擔(dān)的流片服務(wù)項(xiàng)目合計(jì)約 500 萬(wàn)元。 2017 年，西安電子科技大學(xué)與西安市高新區(qū)、西電電氣集團(tuán)等聯(lián)合成立“陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心”，中心致力于推動(dòng)陜西第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進(jìn)以氮化鎵為代表的射頻器件、功率器件等加速產(chǎn)業(yè)化，2019 年團(tuán)隊(duì)向陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心轉(zhuǎn)讓專利 35 項(xiàng)，作價(jià) 2000 萬(wàn)元，雙方正在聯(lián)合推進(jìn)搭建第三代半導(dǎo)體中試平臺(tái)，平臺(tái)將會(huì)立足西安，服務(wù)全國(guó)，提升氮化鎵基射頻器件量產(chǎn)工藝可靠性，實(shí)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)成果轉(zhuǎn)化。 （三）關(guān)鍵技術(shù) 本項(xiàng)目由西安電子科技大學(xué)作為技術(shù)攻關(guān)的主要單位，制定技術(shù)路線，保障國(guó)家重大科技專項(xiàng)“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”和“5G 移動(dòng)通信 GaN 芯片可靠性機(jī)理研究”研究，與華為和中興聯(lián)合開展工程合作項(xiàng)目實(shí)施，加快解決器件工藝可靠性工程問(wèn)題，重點(diǎn)開展氮化鎵微波功率與太赫茲器件工程技術(shù)研究，突破高性能低缺陷外延材料生長(zhǎng)、高效率高可靠氮化鎵微波功率器件工藝技術(shù)等關(guān)鍵瓶頸問(wèn)題，協(xié)助規(guī)模量產(chǎn)高效率 S-Ku 波段典型氮化鎵功率器件和模塊、5G 基站核心射頻模塊。

石墨烯增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料制備及性能研究

本發(fā)明涉及一種生物基蒽醌類酸性染料及其制備方法，屬于染料化工和紡織印染領(lǐng)域。本發(fā)明所述的含生物基胺或生物基氨基酸的蒽醌類酸性染料制備方法簡(jiǎn)單，可用于羊毛纖維的染色。具體的制備方法是：溴氨酸在催化劑的作用下與生物基胺或生物基氨基酸發(fā)生縮合，得到生物基酸性染料。利用此類酸性染料對(duì)羊毛織物進(jìn)行染色，可以得到較高的上染率和良好的勻染性，提高織物的耐洗牢度、耐摩擦牢度和耐光牢度等，各項(xiàng)染色牢度達(dá)到4級(jí)以上。本發(fā)明所述的酸性染料制備方法簡(jiǎn)單，反應(yīng)條件溫和，原料易得、污染少，是一種生物基、綠色、環(huán)保產(chǎn)品，具有節(jié)約石油資源和保護(hù)環(huán)境的雙重功效。

凹凸棒石粘土是一種具有規(guī)整孔道（0.36nm×0.64nm）和納米棒晶結(jié)構(gòu)（棒晶長(zhǎng)約1-5μm，直徑約20-70nm）的天然一維納米材料，具有獨(dú)特的吸附性能與膠體性能，與傳統(tǒng)涂料中使用的增稠劑有機(jī)膨潤(rùn)土相比，可大幅提高漆膜的光澤防止漆膜流掛現(xiàn)象和涂布過(guò)程中的飛濺現(xiàn)象，防止顏填料沉降，改善涂料水分，使涂料外觀均勻，并對(duì)微生物、鹽、輕度酸堿呈惰性，可有效改善涂料的穩(wěn)定性。 成果亮點(diǎn) 技術(shù)特點(diǎn)：凹凸棒土作為觸變型防沉增稠劑，在水性和溶劑型體系中均具有良好的防沉、增稠效果，并具有以下特點(diǎn)：高觸變性，可防止漆膜流掛現(xiàn)象和涂布時(shí)涂料的飛濺，有利于建立厚層涂料、提高遮蓋力；當(dāng)施工剪切時(shí)，粘度迅速下降，因此在凝膠結(jié)構(gòu)重新建立前，改進(jìn)了流動(dòng)和流平性；良好的流變性，這包括顏料的優(yōu)良懸浮性，可防止顏填料沉降，改善涂料分水；很好的抗流掛性能，可防縮孔和魚眼，使涂料外觀均勻；物理性能穩(wěn)定，對(duì)微生物、鹽、輕度酸堿呈惰性，可穩(wěn)定涂料體系，延長(zhǎng)儲(chǔ)存期限，提高開罐效果，并可以干粉狀態(tài)下加到配方的顏料分散中，或在預(yù)凝膠后加入；可取代部分纖維素增稠劑而減少對(duì)水的敏感性，與其他增稠劑間有著很好的相容性。

將石墨烯進(jìn)行二維或三維組裝，制備透明可導(dǎo)電薄膜、復(fù)合導(dǎo)熱膜及吸附材料技術(shù)。

石墨烯基多種納米復(fù)合材料的制備及用于光催化技術(shù)。

近年來(lái)，隨著綠色經(jīng)濟(jì)概念的提出和人們環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，生物基材料的研究和應(yīng)用受到了廣泛的關(guān)注。張勝文團(tuán)隊(duì)以纖維素為基體，成功制備了纖維素/CeO2 復(fù)合材料，并通過(guò)簡(jiǎn)單熱壓貼合的方法制備了 PMMA/纖維素/CeO2 復(fù)合材料。其中，CeO2 納米粒子以 20nm 的尺寸較均勻的分布在纖維素基體中，且復(fù)合材料在 550nm 處的可見(jiàn)光透過(guò)率達(dá) 75%，在 330nm 處紫外光阻隔率高達(dá) 99%，在戶外紫外線的防護(hù)領(lǐng)域有較好的應(yīng)用前景。 關(guān)鍵技術(shù) 1、通過(guò)堿脲體系制備了再生纖維素膜； 2、通過(guò)一步酸解法制備了羧基化納米纖維素； 3、通過(guò)原位合成的方法制備了纖維素/CeO2 復(fù)合材料。 獲得成果 1、發(fā)表學(xué)術(shù)論文一篇 2、申請(qǐng)專利一項(xiàng)

項(xiàng)目簡(jiǎn)介 ： 在食品醫(yī)藥及化工行業(yè)中， 手性甘油醒縮丙酮是合成手性藥物和具有

本發(fā)明公開了一種富鋰錳基正極材料及其制備方法。該方法采用共沉淀法制備前驅(qū)體[Ni(x-y/2)/x+(2-y)/3CoyMn((2-x)/3-y/2)/(x+(2-x)/3)](OH)2，然后采用高溫固相法得到富鋰錳基正極材料 Li[Li(1-2x)/3Nix-y/2CoyMn(2-x)/3-y/2]O2（0＜x＜0.5,0≤y≤0.15）。這些材料在 2.0-4.6V充放電比容量達(dá)到 200mAh/g 以上。本發(fā)明的制備方法工藝簡(jiǎn)單，成本低，適用于工業(yè)化大生產(chǎn)，所得到的富鋰錳基正極材料在-20°C 下的放電容量可達(dá)到常溫放電容量的 70%以上，可以廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、通訊領(lǐng)域等。目前已經(jīng)研究的體系有 Li[Li（1-x）/3Ni2x/3Mn （ 2-x ） /3]O2 ， Li[Li （ 1-x ） /3NixMn （ 2-2x ） /3]O2 ， Li[Li1/3-2x/3NixMn2/3-x/3]O2 ，Li1+x(Ni1/3Co1/3Mn1/3)O2+x/2 等。 

大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價(jià)格低廉等方面的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機(jī)、航空電子、雷達(dá)等領(lǐng)域等應(yīng)用最廣泛的射頻功率器件。 本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國(guó)內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測(cè)試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段