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一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝，光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于真空吸鑄的非晶合金微細(xì)零件的制備方法及裝置
本發(fā)明公開了一種非晶合金微細(xì)零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內(nèi)；準(zhǔn)備用于制備非晶合金微細(xì)零件的硅模具，將該硅模具置于內(nèi)部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護(hù)氣，對(duì)非晶合金原材料進(jìn)行熔煉，并通過(guò)降低銅模具內(nèi)的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過(guò)所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內(nèi)；脫模即可得到非晶合金微細(xì)零件。本發(fā)明還公開一種非晶合金微細(xì)零件的制備裝置。本發(fā)明采用真空吸鑄，克服了非
華中科技大學(xué)
2021-04-14
獨(dú)立無(wú)刷雙饋感應(yīng)發(fā)電機(jī)無(wú)速度傳感器直接電壓控制方法
本發(fā)明公開了一種獨(dú)立無(wú)刷雙饋感應(yīng)發(fā)電機(jī)無(wú)速度傳感器直接 電壓控制方法，將無(wú)刷雙饋感應(yīng)發(fā)電機(jī)的功率繞組 PW 電壓矢量分解 為同步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系中的 d 軸和 q 軸分量，調(diào)節(jié)控制繞組 CW 電流幅值 使 PW 電壓的 d 軸分量收斂至 PW 電壓的參考幅值，調(diào)節(jié) CW 電流頻 率使 PW 電壓的 q 軸分量收斂至 0，當(dāng)系統(tǒng)穩(wěn)定時(shí) PW 電壓矢量與同 步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系的 d 軸重合，于是同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對(duì) PW 電壓幅值和頻率的 控制。該控制方法省去了速度傳感器，降低了發(fā)電系統(tǒng)的硬件成本， 提高了運(yùn)行可靠性，并增
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種考慮局部軸向壓力的瀝青混合料水平抗剪性能試驗(yàn)裝置及方法
本發(fā)明公開了一種考慮局部軸向壓力的瀝青混合料水平抗剪性能試驗(yàn)裝置及方法，裝置包括：瀝青混合料圓柱體試件、圓形鋼墊塊、鋼套筒、半圓環(huán)形壓頭、凹形底座、螺栓和剪式千斤頂；方法具體為采用萬(wàn)能材料試驗(yàn)機(jī)，通過(guò)半圓環(huán)形壓頭對(duì)作用有軸向局部荷載的瀝青混合料圓柱體試件進(jìn)行勻速加載，由試件變形測(cè)定裝置LVDT及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)自動(dòng)繪制和記錄試件的荷載?變形曲線，根據(jù)讀取
東南大學(xué)
2021-04-14
一種 APD 像元塊輸出電壓四通道選擇電路及其輸出方法
本發(fā)明公開了一種 2×2APD 像元塊四通道選擇電路，每個(gè)獨(dú)立 的 APD 單元包括地址選擇控制電路和四通道選擇電路，地址選擇控制 電路通過(guò)光檢測(cè)產(chǎn)生的控制信號(hào)，與四通道選擇電路開關(guān)相連，其中， 每個(gè)單元的控制信號(hào)與自身的通道 1 連接，并分別連到 2×2 像元塊中 另外三個(gè) APD 單元的通道 2、通道 3 和通道 4 上。每次光照，只有像 元塊首地址輸出控制信號(hào)有效，從而保證像元塊電壓依次從四個(gè)通道 輸出
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于低分辨率氣象云圖生成高分辨率云圖的方法
本發(fā)明公開了一種基于低分辨率氣象云圖生成高分辨率云圖的方法，包括以下步驟：（1）對(duì)原始低分辨率云圖進(jìn)行降級(jí)處理；（2）分別對(duì)原始低分辨率云圖和降級(jí)后的云圖進(jìn)行分塊操作并編號(hào)；（3）（4）計(jì)算值域塊中的每個(gè)子塊與(3)中仿射變換后的子塊匹配誤差，并保存匹配誤差最小的子塊序號(hào)、灰度變換對(duì)比度因子及灰度變換的亮度因子；（5）根據(jù)計(jì)算得出的變換因子參數(shù)矩陣及云圖局部與整體基于統(tǒng)計(jì)學(xué)的自相似性，對(duì)輸入圖像進(jìn)行分形迭代；（6）得
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種膠質(zhì)瘤靶向磁共振和熒光雙模式成像對(duì)比劑及制備方法
本發(fā)明提供了一種膠質(zhì)瘤靶向磁共振和熒光雙模式成像對(duì)比劑及其制法，該對(duì)比劑由丙烯酰胺類單體、帶有巰基或羧基或氨基的烯丙基類單體、超順磁性鐵氧化物納米粒、熒光染料和乳鐵蛋白組成，其中，丙烯酰胺類單體與帶有巰基或羧基或氨基的烯丙基類單體通過(guò)聚合反應(yīng)形成共聚物納米凝膠，在聚合反應(yīng)過(guò)程中加入超順磁性鐵氧化物納米粒獲得超順磁性共聚物納米凝膠。將熒光染料與乳鐵蛋白以共價(jià)鍵進(jìn)行結(jié)合獲得標(biāo)記有熒光染料的乳鐵蛋白，再將上述超順磁性共聚物納米凝膠與標(biāo)記有熒光染料的乳鐵蛋白通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合獲得本發(fā)明的膠質(zhì)瘤靶向磁共振和熒光雙
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法
本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法，其包括以下步驟:(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實(shí)體材 料的密度分布，同時(shí)得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場(chǎng);(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對(duì)不同的中間密度單元進(jìn)行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細(xì)觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細(xì)觀微結(jié)構(gòu)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種中紅外非線性光學(xué)晶體材料 RbIO2F2 及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種中紅外非線性光學(xué)晶體材料，其化學(xué)式為 RbIO2F2，上述材料的晶體空間群為 Pca21，晶胞參數(shù)為 a?=?8.567(4)??、b?=?6.151(3)?、c?=?8.652(4)??、α?=?β?=?γ?=?90?、Z?=?4。本發(fā)明 還提供了上述晶體材料的水熱法制備方法，本發(fā)明制得的中紅外非線性光學(xué)晶體材料具有較強(qiáng)的能相位 匹配的倍頻效應(yīng)(SHG)，Kurtz 粉末倍頻測(cè)試結(jié)果表明其粉末倍頻效應(yīng)為磷酸二氫鉀(KDP)的 4&n
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種二維過(guò)渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種二維過(guò)渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應(yīng)用。在惰性氣氛中，借助常見(jiàn) 的可與硫族單質(zhì)(S，Se)反應(yīng)的金屬和氫氣輔助控制體系中 S 或 Se 的濃度，以達(dá)到控制過(guò)渡金屬層硫化 或硒化程度的目的，利用化學(xué)氣相沉積方法可控地生長(zhǎng) TMDs 單晶;將沉積時(shí)的溫度控制為 750°C至 850°C，并且沉積時(shí)間控制為 5 至 15 分鐘，完成 TMDs
武漢大學(xué)
2021-04-14