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本發明提供了一類噻吩稠合苯并雜環衍生物，包括噻吩稠合喹喔啉衍生物和噻吩稠合苯并三氮唑衍 生物，及其兩側橋連噻吩后與給體共聚合成的有機聚合物。本發明的新型受體所形成的聚合物均具有良 好的溶解性以及具有好的熱穩定性，幾乎覆蓋了整個可見光區的吸收，并且通過改變 X 和 R 可以很方 便的調節聚合物的吸收光譜、帶隙以及電荷傳輸等光電性能，是一類優良的光電功能材料，可應用于有 機半導體光電領域如有機太陽能電池及場效應晶體管領域。

產品詳細介紹 力卓 ZP1708為17寸LCD液晶顯示器、鍵盤及鼠標（觸控板）內置8口KVM切換器于1U高度的抽取式、輕量化機身設計、安裝簡易，一人輕松裝上機柜，拋棄傳統的需要兩人以上才能安裝方式，機身帶摳鎖設計固定，讓您更加方便和安全。 功能特點 PANIO ZP1708為17寸LCD液晶顯示器、鍵盤及鼠標（觸控板）內置8口KVM切換器于1U高度的抽取式、輕量化機身設計、安裝簡易，一人輕松裝上機柜，拋棄傳統的需要兩人以上才能安裝方式，機身帶摳鎖設計固定，讓您更加方便和安全。 >集17寸液晶顯示屏/標準鍵盤/Touch PAD觸摸鼠標 >標準19’’機架結構，高度整合為標準1U高度，節省85%以上的機柜空間 >面板具有帶鎖裝置，保證液晶正常保護，帶有筆記本翻轉專利的型材，使顯示與機身更為一體自然 >即插即用,支持熱插拔,免驅動程式 >支持Windows,NT,UNIX,LIUNX,NOVELL,DOS等多種系統 >支持IBM、COMPAQ、HP、DELL、SUN、聯想等原裝服務器機型和研華、研祥、大眾、威達、艾訊等各類工控機。 1.透過本LCD KVM控制平臺可使用一組顯示設備/鍵盤/鼠標控制八臺計算機或服務器 2.每端口均能仿真屏幕/鍵盤鼠標訊號,可同時開機 3.支持熱插撥,免驅動程式,即插即用 4.每端口均能自動偵測屏幕/鍵盤/鼠標型號,設定最佳化 5.完整支持屏幕DDC2B功能,未切換計算機也能偵測屏幕型號 6.鼠標高性能兼容性,支持高階多功能鍵鼠標(如:Logitech MX系列) 7.可通過鍵盤熱鍵及OSD視控切換,支持最高分辨率達2048*1536 8.內建自動掃描功能方便監控,自動掃描時間為5~~255秒 9.OSD機種提供命名,每端口可以單獨設置密碼,自動掃描跳選及串聯擴充功能 10.面板具有帶鎖裝置,保證液晶面板最大程度不劃傷. 示意圖

本發明公開了一種D2D通信中能效最大化的功率分配方法，在有蜂窩網絡覆蓋的上行場景中，通過分布式優化蜂窩用戶的發射功率、D2D用戶對的發射功率，在保證宏用戶最低服務質量要求和D2D用戶與蜂窩用戶的功率限制的情況下最大化D2D用戶的全局能源效率。本方法給出了在任何D2D用戶都可以使用所有信道，并且任意信道可以同時被所有D2D用戶占用的情況下，最優的蜂窩用戶發射功率和D2D鏈路發射功率。主要用MM方法將非凸問題近似為可求解的子優化問題，并利用給出的閉式解快速收斂到子問題的優化解。本發明適用范圍廣，頻譜資源共享模式具有通用性，計算量小，速度快。

本申請首先公開了一種雙向剝離的3D打印機，其包括工作臺和樹脂泵，打印平臺安裝在位于工作臺上的傳動機構上，在打印平臺上開設有導液孔，樹脂泵的進口連通該料槽的內腔，樹脂泵的出口連通導液孔；模型粘結在打印平臺上，在模型內形成有脫膜孔，脫膜孔的上端連通導液孔，脫膜孔至少向下貫穿一個固化層；當完成一個脫膜孔貫穿的固化層后，在樹脂泵的驅動下，料槽內地光敏樹脂能夠被送入到導液孔內，使離型膜沿脫膜孔的下端邊緣由內向外與固化層進行剝離。本申請還公開了一種3D打印方法。本申請利用樹脂泵將料槽內的光敏樹脂注入到模型內的脫膜孔內，使模型能夠從內外兩個方向同時剝離離型膜，提高了離型膜的剝離速度與打印速度。

產品詳細介紹A&D密度測定天平采用高精度稱重系統和嚴密的測定程序，使得密度直接顯示在顯示屏上。從而大大減少了人工換算的繁瑣性和人為誤差。操作簡單，直接，清晰，明了。滿足各工業應用及科研部門密度測定的要求 可測物體：    固體、液體、浮體、顆粒、粉末、粘稠體、海棉體。 適用行業：    研究院，  化工研究機構，  電子產業，  橡膠行業，  塑膠行業， 電線電欖制造業，制鞋業，  體育用品業，  食品業，  化妝品行業，  造紙業， 機械加工業，粉末冶金業，  輪胎制造業, 汽車工業等等。 適用材料：    塑料顆粒， 尼龍顆粒， 橡膠顆粒， PVC材料， EVA材料， 塑膠復合材料，樹脂， 金屬制品， 金屬粉末， PC材料， 矽膠， 石材， 石墨材料， 玻璃制品，  各種合金， 各種化學溶液等。 特點:  ●帶背光源的高清晰顯示屏 顯示字符高達16mm液晶顯示屏(EK-iD系列)，高清晰螢光顯示（GF-D系列），易于觀察和適用于陰暗的環境。 ●快速靈敏的稱重系統 GF-D采用快速靈敏的SHS稱量感應器，穩定時間僅需1秒。分辨率高達1/60000，內部分辨率達1/10,000,000。 ●環境偵測調節 調整三段FAST MID SLOW 反應速度。適應空氣流動大和輕微振動的環境。將在周圍環境中的振動和氣流對天平在稱量中的影響降到最低。 ●固體密度直讀測量 減少繁瑣操作及人工換算產生的誤差。 ●液體密度直讀測量 無需按鍵即可實現直讀。 ●滿數字量程校準，可修改砝碼重量 適用于零點校準和量程校準。 ●直接輸入純水溫度或參考液密度值 使測量媒介由溫度產生的誤差減到最小。 ●比較目標密度值，可實現有報警功能 通過設定上限，下限值實現高低限位（Hi、OK、Lo）比較。可選配比較輸出及報警裝置實現簡單的工業控制功能。 ●自動關機功能 可設定停止使用超過10分鐘自動關機。 ●標準串行接口及通訊軟件 配置標準RS-232C通訊接口，可選配RS-232電纜線連接電腦或打印機。附送原廠開發的WinCT軟件，方便數據的傳輸及外部設備的雙向控制。可將數據自動輸入Windows /Office /Excel等系統內。 保存測量結果，對多個結果進行統計分析； 連續記錄，作吸水率、膨脹率、孔隙率的計算； 連續記錄，以圖表顯示測量過程。 ●內建GLP/GMP/ISO軟件 配合原廠打印機AD-8121B可實現日期，時間，識別號碼，天平序號，校正數據，單重，總重，次數，最大值，最小值，平均值，標準差的打印輸出。   型號 EK-300iD EK-3000iD GF-300D GF-3000D 測定原理 阿基米德原理 稱重范圍 300g 3000g 310g 3100g 稱重精度 0.01g 0.1g 0.001g 0.01g 密度值精度 0.001g/cm3 0.01g/cm3 0.001g/cm3 0.001g/cm3 重復精度 0.002g/cm3 0.02g/cm3 0.002g/cm3 0.002g/cm3 稱盤尺寸 108×80mm

3D虛擬校博物館是應用虛擬現實技術及3D建模技術構建，針對學校教育教學成果展示、校園文化成果展示、對外宣傳展示、校園品牌建設而創意研發的。通過展覽館漫游、三維互動體驗的方式，將展廳、展板、展臺、藏品等展示在3D虛擬校博物館中，結合圖片、文字、陳列品、視音頻等資料，以網站或光盤為載體，實現互聯網三維虛擬展覽，全面展示學校風采！ 產品優勢： 1、通過3D校園互聯網展示技術，能夠彰顯學校科技、文化創新意識，迅速吸引社會各界的廣泛關注提升影響力。 2、突破二維圖文平鋪直敘的展示方式，將所有信息通過3D校園展示平臺系統地整合在一起，并通過智能化、互動式的呈現方式吸引參觀者不斷深入和全面地了解學校。 3、分散的校園數字資產通過3D校園系統，得到系統和永久保存。?

MCPS V4.0軟件專門用于多分量地震數據的處理與解釋，是一個完全具備自主知識產權的軟件系統。本軟件基于三分量地震數據的特點，充分利用多波地震數據的矢量信息，對隨機干擾與面波干擾進行識別與壓制，最大限度的保持了有效地震信息的真振幅、極化特征、頻帶范圍；在此基礎之上對矢量波場進行分離與合成，將偏移成像中的輸入道與輸出道技術相結合，對轉換波數據進行CCP道集分選與疊前偏移成像。本軟件系統還提供了一些必要的振幅調制模塊，如三分量地震數據歸一化、三分量道均衡模塊，可用于對不同系統輸出的中間數據進

西安交通大學自 1993 年開始增材制造（3D 打印）技術研究，是國內最早開展增材制造技術研究的單位之一。經過二十年的發展，西安交通大學形成了多種增材制造工藝和裝備，建立了以快速制造系統為特色工程應用的研究隊伍，產生了以盧秉恒院士為學術帶頭人的“增材制造”教育部創新團隊。研究團隊依托機械制造系統工程國家重點實驗室（西安交通大學）開展基礎研究，在高分子材料、金屬、陶瓷、復合材料、智能材料的增材制造等方面取得進展，多項技術成果處于國內領先、國際先進平。為推動 3D 打印技術的產業化，在 2000 年成立“教育部快速成形制造工程研究中心”（市場經營主體為陜西恒通智能機器有限公司），2007 年成立“快速制造國家工程研究中心”（市場經營主體為西安瑞特快速制造工程研究有限公司）。建立了一套支撐產品快速開發的快速制造系統，研制、生產和銷售 16 個型號的激光快速成型設備、快速模具設備及三維檢測設備。同時開展快速原型制作、快速模具制造以及逆向工程服務。產品在全國各院校、汽車、電器等企業銷售應用十多年，客戶近萬家。近年協助政府和企業在多個地區成功建立產學研結合的推廣基地、快速成形制造服務制造中心。

? 本項目是基于Android平臺的一款3D動作類游戲，擁有華麗的3D視覺效果，精致的劇情設計與動畫效果等，創意新穎，可玩性及擴展性都極強。本項目由學生自主開發并且正在參加2011年全國第二屆“中科杯”軟件創新大賽。

已有樣品/n3D NAND 是革新性的半導體存儲技術，通過增加存儲疊層而非縮小器件二維尺寸實現存儲密度增長，從而拓寬了存儲技術的發展空間，但其結構的高度復雜性給工藝制造帶來全新的挑戰。經過不懈努力，工藝團隊攻克了高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關鍵技術難點，為實現多層堆疊結構的3D NAND 陣列打下堅實基礎。