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本發明公開了一種具有高傳輸效率可快速連續調節能量的降能 器，包括碳化硼能量粗調單元、石墨能量精調單元、束流準直器組、 運動控制模塊、真空模塊；碳化硼能量粗調單元實現能量的初級步進 調節，提高了束流傳輸效率；石墨能量精調單元可實現束流能量的連 續精準調節；準直器組可對束流發射度進行有效抑制，通過改變孔徑 實現了發射度的選擇；運動控制模塊可分別對碳化硼和石墨能量調節 單元進行快速運動控制，保證了能量的快速調節；真空模塊創造并維 持了真空環境。本發明的降能器可以實現束流能量的高傳輸效率、快 速、連續調節，

本發明提供一種基于能量原理的深部巖體爆破開挖誘發振動預報方法，包括如下步驟：⑴采用量綱 分析方法，建立了基于能量平衡原理的峰值振動速度預測公式；⑵針對深埋地下隧洞爆破開挖，在洞壁 布置振動監測儀，記錄爆破過程的巖體振動波形，獲取圍巖振動響應；⑶根據深埋地下隧洞爆破參數和 場地環境，計算出每段炮孔所裝炸藥爆炸能量及被開挖巖體的應變能，再結合實測的爆破振動峰值速度， 采用多元回歸分析方法計算出預測公式中的未知系數，實現深部巖體爆破開挖誘發振動的預報。本發明 方法大幅度提高了深部巖體爆破開挖誘發振動的預報精度，可廣泛應用于交通、水電、礦山等深埋地下 工程爆破開挖誘發振動的預報。 

超級電容器是一種新型綠色儲能器件，擁有比功率大、充放電效率高， 壽命長等優點，在低碳經濟時代展現出巨大應用前景，已經被廣泛應用于電 子產品、電動汽車、混合電動汽車、無線通訊設施、信號監控、太陽能及風 力發電等領域。開發具有高能量、高循環性和低成本的超級電容器是該領域 未來重要研究之一。電極材料作為超級電容器的核心組成部分，對其儲能 性能有著至關重要的影響，而具有高理論容量、低價格的過渡金屬基化合物 （Fe、Co、Ni）是實現高容量、低成本超級電容器首選的電極材料。以過渡金 屬基化合物為主要研究對象，對其組分及結構進行了調控，通過儲能性能測 試及儲能機理分析，為開發高性能、低成本的活性電極材料提供實驗依據。 這一研究的開展，給組裝超高能量密度的超級電容器并使其從實驗室走向我們 的日常生活帶來了新的前景。 1.先進性及產業化前景：提高性能、降低成本一直以來都是超級電容器發展的 主旋律，其中能量密度低是超級電容器發展面臨的主要問題，因此開發出具 有高能量、成本低的超級電容器迫在眉睫。就提高性能而言，超級電容器的 電極改進是重點，主要途徑是通過提高電壓窗口和提高電極材料的比電容。 目前針對超級電容器電極材料的研究主要集中在：(1)改進現有的電極材料; (2)開發新型電極材料；(3)改進生產工藝，實現低成本化。目前在全球范 圍內達到工業化生產水平的超級電容器基本都是以雙電層為儲能機制的活性 碳基超級電容器，而以贋電容為儲能機制的超級電容器尚處于實驗室開發階 段，因此超級電容器還有很大的發展空間。 2.對所在行業和關聯產業發展和轉型升級的影響：根據超級電容器的容量大小 和功率密度，可以將其用作后備電源、替換電源和主電源。當主電源發生故障 而不能正常使用時，超級電容器便起到后備補充作用，它具有壽命長、充放電快 和環境適應性強等優點。當用作替換電源時，主要應用于對環境變化有特殊要 求的場合，例如白天太陽能提供電源并對超級電容器充電，晩上則由超級電 容器提供電源。作為主電源時，主要利用超級電容的大功率密度，一般是一個或幾個超級電容器通過一定的方式連接起來持續釋放幾毫秒至幾秒的大電 流，放電之后，再由低功率的電源對其充電。 3.市場分析：根據IDTechEX數據統計，2014年超級電容器全球市場規模為11 億美元，預計到2018年，超級電容器全球市場規模將達到32億美元，年復合 增長率為31%,并預測將會以此速度預計到2018年，超級電容器全球市場規模 將達到32億美元，年復合增長率為31%,并預測將會以此速度繼續增長。我國 將“超級電容器關鍵材料的研究和制備技術"列入到《國家中長期科學和技 術發展綱要(2006-2020年)》，作為能源領域中的前沿技術之一。有數據顯示， 2015年國內超電市場規模已經超過了 70億元，因此，在這樣的一個大背景下， 研究新材料以開發具有超高能量密度的超級電容器具有非常大的市場前景。

天津大學大裝置水凈化設備競爭性磋商

冷勁松院士團隊自主設計并研制的中國國旗鎖緊展開結構，歷經202天地火轉移軌道飛行和93天環繞探測，飛行4.75億公里后，于2021年5月15日在天問一號著陸器上成功完成了中國國旗可控動態展開，為中國探測器在火星上打上“中國標識”，使我國成為世界上首個將形狀記憶聚合物復合材料智能結構應用于深空探測工程中的國家。

單層半導體性過渡族金屬硫屬化合物（MX2: MoS2, WS2 等）是繼石墨烯之后備受關注的二維層狀材料。該類材料具有優異的電學性質、強的光物相互作用、高效的催化特性等，在光電子學器件、傳感器件、電催化產氫等領域具有非常廣闊的應用前景。單層MX2 材料的批量制備和高品質轉移是關鍵的科學問題。現有方法仍面臨著諸多重大挑戰，例如，難以實現晶圓尺寸的層數均勻性、單晶疇區小、生長速度緩慢、生長襯底價格昂貴、轉移過程復雜、容易引入污染物等。北京大學張艷鋒課題組是國內較早開展相關研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產氫應用方面取得了一系列重要進展：基于范德華外延的機理，他們在晶格匹配的云母基底上首次獲得了厘米尺度均勻的單層MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在藍寶石上獲得了大疇區單層WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；發展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實現了疇區尺寸可調單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態、電子結構和電催化析氫之間的構效關系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰寫綜述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他們在大尺寸均勻MoS2的批量制備以及“綠色”轉移方面取得重要進展。他們選用廉價易得的普通玻璃作為基底，創新性地采用Mo箔作為金屬源(與S粉共同作為前驅體)，采用“face-to-face”的金屬前驅體供給方式，實現了前驅體在樣品上下游的均勻供應，使得樣品尺寸可以得到最大限度的放大(僅受限于爐體尺寸)，獲得了對角線長度可達6英寸的均勻單層MoS2; 結合DFT理論計算和系統的實驗結果發現，玻璃基底上微量的Na對材料生長起到明顯的促進作用, Na傾向于吸附在MoS2疇區的邊緣，起到顯著降低MoS2拼接生長能壘的作用，從而促進其快速生長。 獲取滿覆蓋單層樣品的生長時間僅為8 min，單晶疇區邊緣尺寸可達0.5 mm。此外，他們利用玻璃基底的親水特性，發展了一種無刻蝕的、僅利用超純水輔助的“綠色”轉移方法。該方法適用于晶圓尺寸樣品的快速轉移，且具有操作簡單，轉移樣品質量高等明顯優勢。該工作提出了利用廉價的普通玻璃基底來制備大面積、晶圓尺寸均勻、大疇區單層MoS2的新方法/新途徑，并深入分析了其生長機制，為相關二維材料的批量制備和高效轉移提供了重要的實驗依據，對于推動該類材料的實際應用具有非常重要的意義。

為滿足國內市場對高強度低松弛預應力混凝土（PC）用鋼絞線的需求，開發高檔次PC鋼絞線用熱軋盤條，以替代進口。項目組與江蘇沙鋼集團以1860MPa級PC鋼絞線作為研究對象，開展了系統的研究。

?  成果簡介：大尺寸碟形金剛石砂輪是指用于齒輪專用磨床的直徑300mm～500mm之間的碟形金剛石砂輪，本項目對碟形金剛石砂輪的修整原理和技術基礎進行了深入研究，研究結果顯著地提高了硬質合金插齒刀制造的齒形精度和表面質量，解決了高精度、高速、高承載硬齒面傳動齒輪加工的關鍵技術難題。研制出一種利用杯形砂輪和對磨修整法的大尺寸碟形金剛石砂輪修整器，已獲得實用新型專利。修整器具有獨立的動力系統和雙向修整進給裝置，修整器剛性和工作穩定性好，可分別使用D/GC杯形砂輪作為修整工具，修整器

特殊鋼是指具有特殊的化學成分、采用特殊的工藝生產、具備特殊的組織和性能、能夠滿足特殊需要的鋼類。本項目提出了采用三步法加工該類模具的新技術，先采用激光成型機加工出模具的預孔；然后用電火花線切割機床切割出模具的定徑區、壓縮區、倒錐區；最后用自主研發的臥式超聲研磨拋光機對模具的各個區域進行研磨和拋光加工。 技術特點: 本項目利用已研發成功的大孔徑(孔徑5mm以上)拉拔模具專用臥式超聲波研磨拋光機，并確定了一套大孔徑人造金剛石特殊鋼管材拉拔模具的工藝路線，即“三步法”。先采用激光成型機加工出模具的預孔；然后用電火花線切割機床切割出模具的定徑區、壓縮區、倒錐區；最后用自主研發的臥式超聲研磨拋光機對模具的各個區域進行研磨和拋光加工。 主要技術指標： 經濟指標：10萬噸/年的特殊鋼產量在國內屬于中等規模的企業。按特殊鋼鋼管年產10萬噸計算，假如鋼管的外徑為10mm，那么人造金剛石拉拔模的價格約為5000元，一般情況下，每只拉拔模具可以拉拔20噸特殊鋼鋼管，那么拉拔模具的產值將達到2500萬元。 應用范圍： 該項目涉及的產品主要用于拉拔各種高精度特殊鋼鋼管，通過改變拉拔模具壓縮區角度的大小，亦可應用于拉拔銅管和鋁管等有色金屬管，可以大大提高模具的使用壽命和產品的精度。

項目簡介 本成果提出大模場光纖的系列解決方案，基于新型環形纖芯、非對稱型微結構包層、 以及模式正交耦合及分離技術獲得新型大模場光纖，光纖同時具有大模場、低損耗、單 模傳輸特性，實現高質量光束輸出。已申請發明專利 9 項，其中已授權發明專利 4 項 （ZL201010589053.3、ZL201010590795.8、ZL201110356877.0、ZL201210391185.4）。 性能指標 （1）模場面積可達 1500μm 2 以上。 （2）光纖可在彎曲半徑為 20~30cm 的