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本發(fā)明構(gòu)建一種新型混合佐劑 DDA/PolyI:C。該混合佐劑組 (AMM+DDA/PolyI:C)和單獨(dú)佐劑組(AMM/DDA)分別加強(qiáng)免疫 小鼠兩次后，脾臟淋巴細(xì)胞經(jīng)抗原 AMM 刺激后，皆可產(chǎn)生分泌較僅 有融合蛋白 AMM 組高的 IFN-γ; 肺部荷菌量試驗(yàn)表明佐劑實(shí)驗(yàn)組加 強(qiáng) BCG 免疫后，肺部荷菌量都較 PBS 組低;肺組織病理分析顯示混 合佐劑組 AMM+DDA/P

本發(fā)明公開了一種在微流控芯片中同時利用抗原抗體特異性識別和細(xì)胞尺寸差別分選腫瘤細(xì)胞的 方法。本發(fā)明方法包括如下步驟:先在二氧化硅微球表面包裹一層明膠，再修飾上 anti-EpCAM，然后 與含有腫瘤細(xì)胞的樣品混合孵育，孵育后的混合樣品通過可進(jìn)行尺寸分選的微流控芯片分選收集后，用 明膠酶降解二氧化硅球表面的明膠即可釋放收集的腫瘤細(xì)胞。本發(fā)明通過抗原抗體特異性識別選擇性的 擴(kuò)大了吸附腫瘤細(xì)胞的微球與其他細(xì)胞的尺寸差別，分選效率及純度更高，并且分選出來的腫瘤細(xì)胞能 夠被釋放及培養(yǎng)，活性不受影響。

在天體力學(xué)、量子力學(xué)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、航天科技以及生物工程中很多模型都以哈密頓方程或者其攝動方程的形式出現(xiàn)，因此哈密頓方程一直是數(shù)學(xué)家和理論物理學(xué)家關(guān)心的熱點(diǎn)；KAM理論是關(guān)于可積哈密頓系統(tǒng)受攝動后其解的長期性態(tài)的理論，是牛頓力學(xué)在20世紀(jì)的重大進(jìn)展，是哈密頓系統(tǒng)理論發(fā)展的里程碑，具有劃時代意義。

SlRBP1通過與SleIF4A2翻譯起始復(fù)合物結(jié)合促進(jìn)靶標(biāo)RNAs翻譯以調(diào)節(jié)葉綠體功能。該發(fā)現(xiàn)闡明了RNA結(jié)合蛋白依托細(xì)胞器調(diào)控番茄生長發(fā)育的機(jī)制，為番茄增產(chǎn)、品種改良提供了潛在育種價值。

國科大物理科學(xué)學(xué)院路紅亮副教授和宋志朋博士后等人與物理所、高能所等單位科學(xué)家合作，利用分子束外延（MBE）方法構(gòu)筑了單層TiSe2/CuSe/Cu(111)異質(zhì)結(jié)以調(diào)控TiSe2的CDW相。

由于受到云、氣溶膠等不利天氣的影響，基于熱紅外遙感反演的地表溫度數(shù)據(jù)存在空間不連續(xù)問題，阻礙了地表溫度產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用。

本發(fā)明公開了格列本脲在制備用于防治由植物病原菌引起的植物病害的殺菌劑中的用途，本發(fā)明通過室內(nèi)毒力測定，證明了格列本脲對植物病原真菌具有良好的抑制活性。格列本脲作為殺菌劑，具有高效和低毒的優(yōu)點(diǎn)，適合于植物病害化學(xué)防治的要求。目前大量殺菌劑的使用，導(dǎo)致病原菌的抗藥性增強(qiáng)，而且傳統(tǒng)的殺菌劑對環(huán)境污染大、殘留高，直接威脅著人類的食品安全。而格列本脲是一種可降解、無污染、對環(huán)境友好的小分子化合物，并且其抗藥性差、對非靶標(biāo)生物及人畜安全，能夠保證農(nóng)產(chǎn)品及果蔬的高品質(zhì)，符合可持續(xù)發(fā)展的要求，其研究和市場應(yīng)用前景廣闊。

銅氧化物超導(dǎo)體自從1986年被發(fā)現(xiàn)以來，其超導(dǎo)機(jī)理一直被本領(lǐng)域科學(xué)家高度關(guān)注。具有庫侖排斥的兩個電子，為什么在高達(dá)160多開爾文（約等于零下113度）下仍然能夠相互吸引形成電子配對，并凝聚成為宏觀的量子相干態(tài)，這是橫亙在凝聚態(tài)物理領(lǐng)域的一個重大科學(xué)問題。2008年至今，鐵基超導(dǎo)體家族的發(fā)現(xiàn)和壯大也為超導(dǎo)機(jī)理的研究注入了新的活力。隨著研究的深入，從僅有的兩大非常規(guī)超導(dǎo)家族出發(fā)，實(shí)際上人們很難直接得到普遍的規(guī)律和共識。如果出現(xiàn)一個除銅基，鐵基之外的第三家族的超導(dǎo)體，這一情況可能得到很大的改善。2019年，美國斯坦福大學(xué)小組在介于鐵、銅之間的鎳元素所形成的氧化物Nd1-xSrxNiO2薄膜中發(fā)現(xiàn)了9-15 K左右的超導(dǎo)電性，它似乎具有與銅氧化物超導(dǎo)體類似的3d9最外層電子軌道，這為非常規(guī)超導(dǎo)機(jī)理的研究提供了一個嶄新的平臺。科學(xué)界非常關(guān)心它的超導(dǎo)形成與銅氧化物超導(dǎo)體有何異同，因此在學(xué)界迅速掀起了對鎳基超導(dǎo)體研究的熱潮。 超導(dǎo)體內(nèi)部的單粒子激發(fā)需要一定的能量即為超導(dǎo)能隙，這也是超導(dǎo)態(tài)為什么能夠在一定溫度下穩(wěn)定存在的原因。而兩個電子形成配對的內(nèi)在因素直接決定著超導(dǎo)能隙函數(shù)的表現(xiàn)形式。因此探測非常規(guī)超導(dǎo)體的機(jī)理問題的首要任務(wù)是知道超導(dǎo)能隙的函數(shù)形式。就鎳基超導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)而言，得到Nd1-xSrxNiO2超導(dǎo)薄膜樣品似乎比較困難，因此國際上關(guān)于Nd1-xSrxNiO2薄膜的相關(guān)實(shí)驗(yàn)還不是很多，許多實(shí)驗(yàn)并不能直接反映超導(dǎo)的能隙函數(shù)。最近南京大學(xué)聞海虎團(tuán)隊(duì)和聶越峰、潘曉晴團(tuán)隊(duì)通力合作，成功在Nd1-xSrxNiO2超導(dǎo)薄膜樣品中測量到高質(zhì)量的掃描隧道譜，證明了Nd1-xSrxNiO2中存在兩類超導(dǎo)能隙，一類是V型隧道譜即典型的d波超導(dǎo)能隙，能隙最大值為3.9meV，這一點(diǎn)與銅氧化物超導(dǎo)體及其類似；而另一類是完全能隙形式（full gap）的隧道譜，能隙值為2.35meV，這一點(diǎn)又與銅氧化物不一致，而與鐵基超導(dǎo)體相似。聶越峰實(shí)驗(yàn)組利用分子束外延（MBE）技術(shù)制備出高質(zhì)量的Nd1-xSrxNiO3 (113)薄膜及具有初步超導(dǎo)轉(zhuǎn)變的Nd1-xSrxNiO2 (112)薄膜，聞海虎小組進(jìn)行了后續(xù)的氫化處理，進(jìn)一步優(yōu)化了Nd1-xSrxNiO2 (112)鎳基薄膜的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度及表面平整度，這是實(shí)驗(yàn)?zāi)軌颢@得成功的關(guān)鍵因素之一。這一結(jié)果揭示了Nd1-xSrxNiO2超導(dǎo)體的能隙函數(shù)，發(fā)現(xiàn)與銅氧化物之間既有相似之點(diǎn)也有不同之處，并為接下來繼續(xù)對鎳基超導(dǎo)體開展深入研究奠定了堅實(shí)的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。