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自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷
北京科技大學(xué)特種陶瓷研究室開發(fā)出一種自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷材料，其應(yīng)用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應(yīng)的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔陶瓷的強(qiáng)度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結(jié)性能差。本項(xiàng)目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當(dāng)加工時(shí)，弱界面上會(huì)形成微裂紋，并沿弱界面發(fā)生偏轉(zhuǎn)，耗散裂紋擴(kuò)展的能量使裂紋擴(kuò)展終止；當(dāng)載荷繼續(xù)上升時(shí)，在下層的弱結(jié)合界面處將產(chǎn)生新的臨界裂紋再擴(kuò)展；如此反復(fù)，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴(kuò)展，斷裂漸次發(fā)生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項(xiàng)目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結(jié)工藝節(jié)約了原料成本。產(chǎn)品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應(yīng)器中進(jìn)行，燒結(jié)所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)）相比較，不需要高溫?zé)Y(jié)爐長(zhǎng)時(shí)間燒結(jié)，大大節(jié)省了能源。本項(xiàng)目工藝簡(jiǎn)單，燒結(jié)速度快，效率高。可制作復(fù)雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強(qiáng)度已做到188MPa，材料可加工性能優(yōu)良。 已獲中國(guó)發(fā)明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應(yīng)燒結(jié)Si3N4/BN復(fù)相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大學(xué)
2021-04-11
北京科技大學(xué)液相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀公開招標(biāo)公告
北京科技大學(xué)液相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在華采招標(biāo)集團(tuán)有限公司電子郵箱獲取招標(biāo)文件，并于2022年07月11日13點(diǎn)30分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。
北京科技大學(xué)
2022-06-21
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一種液相還原與氫處理制備碲化鎘粉末的方法
本發(fā)明公開了一種液相還原與氫處理制備碲化鎘粉末的方法，其工藝步驟為：按照Cd2+與Te(Ⅳ)的摩爾比為0.9～1.1的配比在酸中溶解鎘和碲的氧化物、氫氧化物或鹽，配制成Cd2+、Te(Ⅳ)的濃度為0.2～1mol/L的溶液；然后將該溶液置于恒溫水浴鍋中，恒溫溫度為20～90℃；接著滴加入濃度為0.2～1mol/L的還原劑溶液，并不斷攪拌，直至滴加入的還原劑的摩爾質(zhì)量達(dá)到Cd2+和Te(Ⅳ)離子物質(zhì)的量和的3～5倍為止；反應(yīng)結(jié)束后，將溶液過濾，濾出物置于真空干燥箱烘干，再置于通有流動(dòng)氫氣氣氛管式爐中或直接置于通有流動(dòng)氫氣的管式爐中，再在150℃～450℃下反應(yīng)0.5～4h，冷卻至室溫即得碲化鎘粉末。
四川大學(xué)
2021-04-11
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一種六方相WO3納米管及其制備方法
本發(fā)明公開了一種六方相WO3納米管及其制備方法。稱取3mmoL二水合鎢酸鈉(Na2WO4·2H2O)到50毫升的燒杯中；加入適量草酸胺((NH4)2C2O4)和20毫升蒸餾水，磁力攪拌10-15分鐘；再加入10毫升濃度8mol/L的鹽酸，繼續(xù)攪拌30-50分鐘；將反應(yīng)混合液轉(zhuǎn)移至40毫升帶有聚四氟乙烯內(nèi)襯的不銹鋼反應(yīng)釜中，設(shè)置一定的溫度，反應(yīng)20-30小時(shí)；自然冷卻至室溫，即得本發(fā)明的六方相WO3納米管。六方相WO3納米管產(chǎn)量高，尺寸細(xì)小，分布均勻。管外徑為8～12nm之間，管壁厚度為2～4nm之間
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
一種高取向二氧化釩薄膜的液相制備方法
本發(fā)明公開了一種高取向二氧化釩薄膜的液相制備方法，屬于化學(xué)功能材料領(lǐng)域。該制備方法以三異丙醇氧釩為溶質(zhì)制備前驅(qū)液，將所得前驅(qū)液涂于藍(lán)寶石襯底制備前驅(qū)物薄膜，最后將前驅(qū)物薄膜置于真空環(huán)境中燒制而成。本發(fā)明在液相法的基礎(chǔ)上，通過控制真空燒結(jié)條件制備二氧化釩薄膜，所獲得的薄膜均具有良好的生長(zhǎng)取向，相變溫度為60°C左右，相變前后電阻率的變化在三個(gè)量級(jí)以上；且制備工藝簡(jiǎn)單，適合大范圍推廣。
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
一種三相異步電動(dòng)機(jī)保護(hù)裝置
本實(shí)用新型公開了一種三相異步電動(dòng)機(jī)保護(hù)裝置，包括處理器以及與處理器相連的信號(hào)采集模塊、按鍵模塊、存儲(chǔ)模塊、顯示模塊、通訊模塊、控制模塊、時(shí)鐘模塊、負(fù)序反時(shí)限保護(hù)模塊。本實(shí)用新型具有穩(wěn)定的保護(hù)性能，能夠自動(dòng)識(shí)別干擾和排除干擾，可以準(zhǔn)確地發(fā)現(xiàn)裝置故障部位，及時(shí)報(bào)警，以利處理，以根據(jù)系統(tǒng)運(yùn)行的實(shí)際條件或故障情況隨機(jī)變化，使保護(hù)具有自適應(yīng)能力，具有較小的調(diào)試維護(hù)工作量，節(jié)省大量的人力物力，經(jīng)濟(jì)效益可觀，也可以進(jìn)一步將保護(hù)、控制和監(jiān)視等功能統(tǒng)一設(shè)計(jì)、協(xié)調(diào)配合，實(shí)現(xiàn)整個(gè)電力系統(tǒng)監(jiān)視、控制、保護(hù)的綜合自動(dòng)化，進(jìn)一
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
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利用雙時(shí)相探測(cè)定位山體中地下建筑的背景濾波方法
本發(fā)明公開了一種利用雙時(shí)相探測(cè)定位山體中地下建筑的背景濾波方法。包括紅外圖像濾波預(yù)處理、對(duì)紅外圖像取其像素灰度值的低位進(jìn)行地下建筑的粗檢測(cè)和“剝洋蔥”算法尋優(yōu)精確檢測(cè)三步驟，通過獲取白天和晚上的雙時(shí)相紅外圖，將晚上紅外圖作為背景場(chǎng)，首先對(duì)白天紅外圖進(jìn)行雙邊濾波處理去除噪聲，再進(jìn)行聚類分析，檢測(cè)出疑似目標(biāo)區(qū)域，對(duì)疑似目標(biāo)區(qū)域利用基于鄰近像素的截位算法處理粗略檢測(cè)出地下建筑區(qū)域，將粗檢測(cè)的地下建筑面積作為尋優(yōu)準(zhǔn)則，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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圖像法噴霧等稀疏顆粒兩相流在線測(cè)量?jī)x器研發(fā)
上海理工大學(xué)
2021-01-12
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具有抗耐藥性的含三唑結(jié)構(gòu)鏈接子的組合抗菌肽及其合 成方法
近年來，濫用抗生素產(chǎn)生的耐藥性問題日益嚴(yán)重，對(duì)人類疾病造成了巨大的威脅。尋找新的可替代抗生素的新藥迫在眉睫。抗菌肽（Antimicrobial peptides），是生物體經(jīng)誘導(dǎo)產(chǎn)生的一類具有抗菌活性的小分子多肽，來源廣泛，其分子量小，大約在 3~6 kD 之間，有耐熱、 耐酸性強(qiáng)，水溶性好，快速的殺菌能力等特點(diǎn)（Hancock REW，Scott MG. Proc Natl AcadSci USA，2000，97（16）：8856~ 8861）。抗菌肽的抗菌機(jī)制不同于普通抗生素，抗菌機(jī)制一般包括①
蘭州大學(xué)
2021-04-14
一種 H.264/AVC 中 4x4 子宏塊的并行幀內(nèi)預(yù)測(cè)方法
本發(fā)明公開了一種 H.264/AVC 中 4x4 子宏塊的并行幀內(nèi)預(yù)測(cè)方 法，包括以下步驟：統(tǒng)一幀內(nèi)預(yù)測(cè)公式、參考值數(shù)組、參考位置表和 并行幀內(nèi)預(yù)測(cè)的具體執(zhí)行步驟，統(tǒng)一幀內(nèi)預(yù)測(cè)公式是根據(jù) CUDA 和幀 內(nèi)預(yù)測(cè)計(jì)算公式的特性改進(jìn)而成的，通過將 9 種預(yù)測(cè)模式對(duì)應(yīng)的預(yù)測(cè) 公式變換成一個(gè)計(jì)算公式，滿足了 CUDA 多線程單指令多數(shù)據(jù)流的需 求，實(shí)現(xiàn)了幀內(nèi)預(yù)測(cè)子宏塊中細(xì)粒度并行，參考值數(shù)組及參考位置表 是為了配合統(tǒng)一幀內(nèi)預(yù)
華中科技大學(xué)
2021-04-14