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2010年我國含氟聚合物產能約8萬多噸，占世界總產能的三分之一，產量近6萬噸，其中PTFE約占80%，已成為世界第二大生產國。根據國家氟化工十二五規劃，到2015年我國含氟聚合物產能將達到13.4萬噸，產量達到9.4萬噸，其中PTFE約占70%。隨著戰略性新興產業的興起，PTFE應用范圍已經從傳統領域擴展到環保、生物醫藥、新能源、電子信息等新興產業領域。如在環保領域，PTFE膜接觸器應用于煙道氣處理；在生物醫藥領域，PTFE中空纖維管用作血漿過濾器；在新能源領域，PTFE用作鋰電池隔膜和太陽能電池背板；在電子信息領域，PTFE用作駐極體材料。而這些應用，無一不涉及到對PTFE的表面處理。傳統的濕化學法已經不能適應，正如氟化工十二五規劃中所述：產品結構不合理，中低端產品為主，高端產品仍然依賴進口；應用開發不力，加工技術和設備落后。 大氣壓低溫等離子體材料表面改性是一種新型的表面改性方法，這種方法可以有效地改善材料表面性能，且憑借其獨特的優點使其具有其它傳統方法不可比擬的優勢，是一項值得深入研究的有廣闊應用前景的技術。本項目采用大氣壓低溫等離子體改性PTFE材料，替代傳統的濕法化學處理方法，從而提高其表面的粘接性、吸濕性、可染色性、及生物相容性等性能，開發出適合對PTFE表面處理的高放電均勻性、高放電電離效率和大面積的均勻等離子體在線清潔處理技術，從而達到對PTFE表面改性的有效調控，取代傳統的化學表面處理方法，推動相關產業的技術進步和PTFE在新興行業中的應用，對于提升PTFE產品檔次，促進PTFE在新興行業的應用具有現實意義。 本項目所采用的常壓低溫等離子體設備為大面積、均勻連續處理設備，如圖所示，可以實現穩定均勻DBD模式運行，配合上收卷、送卷，臭氧抽氣等裝置，可實現在線連續運行。目前已在實驗室實現電極長度為1.5米的的大面積放電，如圖(a)所示，將進一步結合在線處理要求，深入研究等離子在線處理工藝，開發如圖(b)所示的在線處理樣機。處理寬度0.5m，處理速度1-5m/min可調；處理厚度0.05-0.5mm；處理后PTFE表面水接觸角不大于50°；PTFE表面微觀形貌：表面刻蝕程度均勻。 技術特點及創新性 針對目前PTFE表面處理中采用的濕法化學處理方法安全性、環保性、節能性差的缺點，采用大氣壓低溫等離子表面處理技術，通過研究放電參數、處理結構及處理氣體對PTFE表面改性影響的規律，獲取最優改性處理條件，找到最適合取代化學處理方法的PTFE表面狀態；通過研究在PTFE表面接枝不同的分子鏈，使其表面產生新的分子結構和新的功能，解決表面處理后老化效應等問題；開發新型的DBD等離子體處理樣機，提高等離子體大面積處理均勻性；實現對PTFE表面處理的在線連續性、經濟性、清潔性和安全性。同時為低溫等離子體材料表面改性的大規模工業應用提供實踐。研發出適應工業化生產的PTFE表面處理新技術和新設備，從而提高其表面的粘接性、吸濕性、可染色性、及生物相容性等性能，而且改性只涉及表面納米級別范圍內，基體性能不受影響，對于提升PTFE產品檔次，促進PTFE在新興行業的應用具有現實意義。 ●應用前景： 以聚四氟乙烯復合膠帶為例，該產品是采用PTFE乳液浸漬玻璃纖維基布，生產出聚四氟乙烯漆布，再進行單面表面處理后，涂上一層有機硅膠粘劑。該產品表面光滑，有著良好的抗粘性，耐化學腐蝕和耐高溫性以及優秀的絕緣性能，并具有反復粘貼功能，廣泛應用于在造紙、食品、環保、印染、服裝、化工、玻璃、醫藥、電子、絕緣、砂輪切片、機械等領域，還可應用于漿紗機的滾筒、熱塑脫模等行業。該產品預計全國年用量達1000多萬㎡。再以太陽能電池組件背板為例，其主流產品是TPT。該產品是由上下兩層PVF（聚氟乙烯）和PET（聚對苯二甲酸二乙酯俗稱滌綸）薄膜三層復合而成。該產品的生產就涉及到對PVF的表面處理。相對于PTFE來說，PVF的表面處理就比較容易。據統計1兆瓦組件需要8800-10000平方米的背膜,2007年我國組件量為1717兆瓦,消耗各種背膜1500-1700萬平方米,全部依賴進口。據《2008年中國光伏太陽能行業研究與投資前景分析報告》預測，2008年世界組件量為將上升40%，約為5600兆瓦，我國組件量約為2400兆瓦，需要背膜約1900-2400萬平方米，PVF表面處理量達3800-4800萬平方米。 目前，國內外相關研究大多實驗室階段，國外一些知名的大公司，如道康寧、3M以及德國的一些公司，也正致力于該技術研究。從目前報道資料情況上看，國外僅道康寧公司有應用報道，國內尚無相關產品推出。因此技術屬于自主創新技術，將填補國內空白，達到國際先進水平。本技術具有應用的普遍性，不但可用于PTFE的表面處理，更可用于其它氟樹脂和難粘高分子材料的表面處理，具有廣闊的市場前景。本技術還可以推廣到其他高分子材料處理領域，以及保護性包裝、生物材料處理、薄膜沉積、生物醫學應用等領域，在提高材料表面性能，開創材料新的應用領域方面發揮著至關重要的作用。

簡介：本發明公開了一種三相無電解電容LED電源的拓撲電路及其控制方法，屬于LED驅動電源技術領域。本發明包括三相交流電源、EMI濾波器、單相整流橋、單相PFC電路和控制單元，三相交流電源的A相輸出端依次與EMI濾波器、單相整流橋、單相PFC電路相連；所述的控制單元采樣單相PFC電路的輸入電壓、輸入電流以及輸出電流，經過計算產生占空比信號控制單相PFC電路；三相交流電源的B相、C相與A相設置相同，三個單相PFC電路的輸出端并聯后連接LED負載。本發明適用于大功率的三相LED驅動電源，具有較高的功率因數，且無需大容量的電解電容。

（專利號：ZL 201510552708.2） 簡介：本發明提供一種起重機箱形主梁三自由度移動焊接機器人，屬于機器人焊接技術領域。該焊接機器人包括底座、縱向移動機構、焊槍升降機構、焊槍旋轉機構、焊接設備及電纜卷筒等，焊接設備包括送絲機、焊機、氣瓶座、二氧化碳氣瓶，焊槍旋轉機構通過升降臺安裝在焊槍升降機構上，齒輪齒條傳動與直線導軌副相配合實現長位移移動的精確定位，通過三臺伺服電機聯合控制焊槍位姿實現長距離平面曲線連續光滑平角焊縫的自動焊接。本發明所提供的焊接機器人具有結構簡單、傳動鏈短、位置準確、工作可靠、焊接質量穩定等技術特點。

本發明涉及一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置，包括以下步驟：1)設計三維芯片的三維結構圖，并轉化為片層圖形文件格式；2)開啟三維打印裝置，將打印墨水吸入各個噴頭中；導入片層圖形文件；3)三維打印裝置分別將主體材料打印墨水、犧牲材料打印墨水和不同的細胞打印墨水打印到底板系統預先設計的位置；4)重復步驟3)逐層累積完成三維芯片結構打印，直至片層圖形文件打印完成；5)加熱或制冷整體打印完成的三維芯片，使通道犧牲材料變為溶膠態；6)將變為溶膠態的通道犧牲材料使用移液槍吸出，去除通道犧牲材料，形成完整的三維芯片結構；7)對未被融化的細胞打印墨水材料進行交聯，灌流培養基。

第三代半導體氮化鎵和碳化硅因其禁帶寬、穩定性好等優點，已廣泛應用于電子和光電子等領域。各種氮化鎵和碳化硅基器件是5G技術中的關鍵器件。將半導體晶片制成器件，其中的一個關鍵加工步驟是晶片表面的拋光。然而，氮化鎵和碳化硅的化學性質極其惰性，半導體工業目前常用的化學機械拋光方法無法對其實現高效加工。對此，我們從原理上創新發展了一種光電化學機械拋光技術，不僅可快速加工各種化學惰性半導體晶片（如:加工氮化鎵的材料去除速率可達1.2 μm/h，比目前的化學機械拋光的高約10倍），而且可加工出原子臺階結構的平滑表面。設備簡單，技術具有完全的自主知識產權。

本發明公開了一種基于單光場相機的微尺度流動三維速度場的測量裝置及方法，其中測量裝置包括雙脈沖激光器、熒光顯微鏡、相機系統、同步控制器和計算機，其中計算機用于存儲ＣＣＤ相機獲得的光場圖片；選擇兩幀時間間隔為Δｔ光場照片，利用計算的點擴散函數，反卷積重建出示蹤粒子的三維位置信息；通過三維互相關算法得出微流場的三維速度場信息。本發明采用單相機系統與傳統熒光顯微鏡結合，實現微尺度流場的三維速度場測量，系統無需深度掃描，可以對非定常流動或非周期性流動的流場測量。

本發明公開了一種基于均值漂移的不同精度下的三維點云數據 的融合方法，針對兩組精度等級不同的三維點云數據，利用高精度點 云建立低精度點云的誤差分布，進而對低精度點云進行均值漂移，消 除低精度點云的漂移誤差，從而實現兩組數據信息的融合，該方法包 括：S1：建立低精度點云的拓撲結構信息，包括每個樣點的鄰域點集 和單位法矢；S2：利用高精度點云對低精度點云進行密度聚類，根據 聚類結果確定低精度點云每個樣點的漂移誤差；S3：利用低精度點云 的拓撲結構信息和所述漂移誤差確定低精度點云各樣點的漂移矢量， 根據該漂移矢量對低精度點云的各樣點進行漂移，實現融合。本發明 的方法在消除低精度點云漂移誤差的同時，可實現小幅度噪聲的光順。 

該成果主要研究了大傾角 “ 三軟 ” 易燃厚煤層綜放面自燃規律、基于指標氣體的預測預報技術、大傾角 “ 三軟 ” 易燃厚煤層綜放面綜合防滅火技術。并制定寶雞秦源煤業有限公司火災事故應急救援預案、火區綜合治理技術。項目于 2008 年由陜西省科學技術廳組織的鑒定，鑒定委員會一致同意通過技術鑒定。認為該項目在大傾角 “ 三軟 ” 易燃厚煤層綜放面防滅火技術研究方面達到國際先進水平。