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產(chǎn)品詳細(xì)介紹■適用范圍及特點(diǎn)：    盛華TQ-3碳?xì)湓販y(cè)定儀用于測(cè)定煤和其它有機(jī)物中的“碳”和“氫”的元素的含量。被測(cè)試樣在高溫條件下與氧氣流中燃燒生成水和二氧化碳，用吸水劑和二氧化碳吸收劑分別吸收，根據(jù)吸收劑的增重計(jì)算出碳和氫的百分含量。準(zhǔn)確度符合GB/T476的要求。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹真空原位分析表征系統(tǒng)是為紅外光譜吸附態(tài)表征和催化劑酸性測(cè)定設(shè)計(jì)的專用真空系統(tǒng)，配有石英紅外吸收池，可以與Bruker、Nicolet、PE、Shimadzu、Jasco、Varian\Bio-Rad等主要紅外光譜儀連接使用，進(jìn)行氨、吡啶、一氧化碳、一氧化氮、甲醇、乙醇等小分子化合物的化學(xué)吸附測(cè)定。具體應(yīng)用吸附態(tài)研究和催化劑的表征　　紅外光譜已經(jīng)廣泛應(yīng)用于催化劑表面性質(zhì)的研究，其中最有效和廣泛應(yīng)用的是研究吸附在催化劑表面的所謂“探針?lè)肿印钡募t外光譜， 如：NO、CO、CO2、NH3、C3H5N等，, 它可以提供在催化劑表面存在的“活性中心”信息。用這種方法可以表征催化劑表面暴露的原子或離子, 更深入地揭示表面結(jié)構(gòu)的信息。與其它方法相比較, 這樣的紅外研究所獲得的信息只限于探針?lè)肿樱ɑ蚍磻?yīng)物分子）可以接近或勢(shì)壘所允許的催化劑工作表面。? CO吸附態(tài)研究　　由于CO具有電子受授性質(zhì)，未充滿的空軌道很容易同過(guò)渡金屬相互作用。CO同許多重要的催化反應(yīng)有密切關(guān)系。如羰基合成、水煤氣合成、氧化等。并且具有很高的紅外消光系數(shù)。因此, 在過(guò)渡金屬表面吸附態(tài)的研究是一個(gè)十分廣泛的研究課題。? 雙金屬原子簇催化劑的研究（紅外光譜方法研究催化劑表面組成和相互作用）利用兩種氣體混合物吸附在雙組元過(guò)渡金屬催化劑上通過(guò)紅外光譜側(cè)其吸附在不同組元上吸收帶強(qiáng)度的方法可以測(cè)定雙金屬載體催化劑的表面組成。例如：CO和NO混合氣吸附在Pt-Ru/SiO2上的紅外光譜測(cè)定Pt-Ru/SiO2催化劑的表面組成。催化劑紅外酸性測(cè)定? 氧化物表面酸性的測(cè)定　　酸性中心一般看作是氧化物催化劑表面的活性中心。在催化裂化、異構(gòu)化、聚合等反應(yīng)中烴類分子和表面酸性中心相互作用形成正碳離子, 是反應(yīng)的中間化合物。正碳離子理論可以成功地解釋烴類在氧化物表面上的反應(yīng), 也對(duì)酸性中心的存在提供了強(qiáng)有力的證明。為了進(jìn)一步表征固體酸性催化劑的性質(zhì), 需要測(cè)定表面酸性中心的類型（L酸、B酸）、強(qiáng)度和酸量。利用紅外光譜研究表面酸性常常利用氨、吡啶、三甲基胺、正丁胺等堿性吸附質(zhì), 其中應(yīng)用比較廣泛的是吡啶和氨利用紅外光譜研究固體酸。? 氧化物表面羥基的研究? 紅外光譜應(yīng)用于反應(yīng)于反應(yīng)動(dòng)態(tài)學(xué)研究? 催化劑原位表征高真空系統(tǒng)解決的問(wèn)題　　由于紅外光譜方法本身存在一定的局限性。　　1) 利用透射方法研究載體催化劑, 由于大部分載體低于1000cm, 就不透明了,所以很難獲得這一范圍的許多重要信息?！　?) 金屬粒子不同的暴露表面邊、角、階梯、相間界面線等,分子吸附在所有這些中心上的光譜都可對(duì)測(cè)得的光譜有貢獻(xiàn), 因而解釋起來(lái)有困難。　　3) 由于催化反應(yīng)過(guò)程中, 在催化劑表面上反應(yīng)中間物濃度一般都很低,壽命很短（尤其是反應(yīng)活性的承擔(dān)者）, 紅外光譜的靈敏度和速度不夠高?！　?) 紅外光譜只適用于有紅外活性的物質(zhì)?！　‰S著光譜技術(shù)的發(fā)展, 這些局限性將通過(guò)真空系統(tǒng)克服。系統(tǒng)基本情況　　一套用于催化劑原位表征的真空裝置及紅外原位測(cè)量系統(tǒng)，配備紅外吸收池統(tǒng)。 提高真空系統(tǒng)的性能使其在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到測(cè)量需要的中高真空度。主要技術(shù)指標(biāo)　　1. 樣品處理開(kāi)始后樣品池中真空度應(yīng)在30 分鐘內(nèi)達(dá)到10-5 Torr；　　2. 樣品測(cè)量過(guò)程中各樣品可同時(shí)或分別進(jìn)行吸附或脫附探針?lè)肿?；　?. 由于測(cè)量所需探針?lè)肿訛樗嵝曰驂A性分子，高硼硅玻璃材質(zhì)避免了相互污染；　　4、真空處理系統(tǒng)由機(jī)械泵與玻璃四級(jí)擴(kuò)散泵串聯(lián)組合抽氣，達(dá)到客戶對(duì)測(cè)試池中高真空的要求，抽速快，體積小,低噪音，操作簡(jiǎn)單，使用方便的特點(diǎn),并且價(jià)格適中?！　?、低真空部分主要是抽出系統(tǒng)中的高濃度氣體或吸附的殘余氣體?！　?、各部分節(jié)門選用高硼硅玻璃節(jié)門，滿足系統(tǒng)高真空的要求，透明性操作，便于調(diào)試?！　?、真空測(cè)量?jī)x使用數(shù)顯高精密真空計(jì)?！　?、本系統(tǒng)配備透過(guò)式石英紅外吸收池，采用透射模式，可對(duì)樣品進(jìn)行陪燒、流動(dòng)氧化還原、抽空脫氣、吸附反應(yīng)等處理過(guò)程，可隨時(shí)移入或移出到紅外光譜儀的光路中進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，也可利用配備的延長(zhǎng)管路進(jìn)行原位表征和實(shí)驗(yàn)。其加熱方式可采用程序升溫方法控制溫度的升降，也可使用調(diào)壓變壓器對(duì)溫度的升降進(jìn)行控制，使用溫度可以高達(dá)450度，標(biāo)準(zhǔn)配置的吸收池窗口為CaF2，工作區(qū)間為4000—1200波數(shù)之間，用戶也可按照需要自性配置其他材料的窗口。　　9. 樣品測(cè)量過(guò)程中各樣品可同時(shí)或分別進(jìn)行預(yù)處理、吸附、脫附探針?lè)肿踊蚋鼡Q樣品?！　?0. 波紋管更換方便?！　?1．為滿足客戶的要求真空系統(tǒng)可做相應(yīng)改變。配置單序號(hào) 設(shè)備名稱 數(shù)量高真空裝置 1.1 機(jī)械泵 1 1.2 玻璃油擴(kuò)散泵 1 1.3 真空計(jì) 1 1.4 壓力規(guī)表頭 1 1.5 吸附阱、冷卻室、管道、真空工作架、玻璃節(jié)門、電控標(biāo)準(zhǔn)連接件等 1測(cè)量系統(tǒng) 2.1 石英樣品池 1 2.2 溫控裝置 1 2.3 操作手冊(cè) 1

本項(xiàng)目應(yīng)用成果導(dǎo)向教育理念（Outcome-Based Education，OBE），配合學(xué)校逐步形成 OBE 管理模式，為學(xué)校構(gòu)建從生源質(zhì)量、過(guò)程質(zhì)量到結(jié)果質(zhì)量的全面質(zhì)量監(jiān)測(cè)與分析報(bào)告體系。成果導(dǎo)向的質(zhì)量監(jiān)測(cè)體系為學(xué)校教學(xué)與質(zhì)量管理、二級(jí)院系和教師考核、專業(yè)建設(shè)和專業(yè)調(diào)整以及院校評(píng)估、專業(yè)認(rèn)證提供數(shù)據(jù)支撐與管理分析報(bào)告。

成果介紹基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)是近十幾年發(fā)展起來(lái)的一類新型平面集成高性能導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，2011年被國(guó)際微波雜志列為“改變未來(lái)無(wú)源與控制器件的十大非凡發(fā)明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011）。本項(xiàng)目組是國(guó)際上這一領(lǐng)域的主要貢獻(xiàn)者之一，在國(guó)家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新群體基金和國(guó)家973項(xiàng)目等的資助下，對(duì)基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的傳輸特性、諧振特性、損耗機(jī)理、模式轉(zhuǎn)換機(jī)理、極化轉(zhuǎn)換機(jī)理等科學(xué)問(wèn)題及其在多個(gè)分支的創(chuàng)新應(yīng)用開(kāi)展了系統(tǒng)深入的研究，建立了精確有效的設(shè)計(jì)方法，構(gòu)建了基礎(chǔ)設(shè)計(jì)公式，提出并命名了半模基片集成波導(dǎo)等新型導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，提出了一系列基片集成類無(wú)源元件新結(jié)構(gòu)等。技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)1、在國(guó)際上最早提出并發(fā)展了適合于周期性基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的頻域有限差分和直線法全波分析模型，揭示了其傳輸機(jī)理，并在此基礎(chǔ)上構(gòu)建了一組閉式設(shè)計(jì)公式。這組公式已被廣泛用于基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)元器件的設(shè)計(jì)。相關(guān)代表作單篇正面他引均超過(guò)150次。2、提出并命名了半?；刹▽?dǎo)、折疊半?；刹▽?dǎo)等新型導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，系統(tǒng)研究了其導(dǎo)波特性、損耗機(jī)理和模式轉(zhuǎn)換機(jī)理等，構(gòu)建了設(shè)計(jì)公式，并在此基礎(chǔ)上發(fā)展了一系列新型微波毫米波高性能元器件，其中代表作單篇正面他引均超過(guò)100次。3、提出了多種基片集成波導(dǎo)無(wú)源新結(jié)構(gòu)，深入研究了其諧振特性、耦合特性和損耗機(jī)理，并在此基礎(chǔ)上發(fā)展了一系列高性能新型元器件及單基片集成系統(tǒng)。相關(guān)代表作合計(jì)正面他引350余次。4、在基片集成波導(dǎo)天線輻射機(jī)理研究的基礎(chǔ)上，突破了經(jīng)典Elliott設(shè)計(jì)公式的局限性，建立了相應(yīng)的分析模型和設(shè)計(jì)方法，發(fā)展了一系列新穎的高性能基片集成類天線及陣列，相關(guān)代表作由于其基礎(chǔ)性和創(chuàng)新性被合計(jì)正面他引300余次。市場(chǎng)前景項(xiàng)目研究成果已獲54項(xiàng)授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利，其中部分專利已進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)讓并應(yīng)用于企業(yè)產(chǎn)品中。

該項(xiàng)目以基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的工作機(jī)理與創(chuàng)新應(yīng)用為主線，對(duì)這類結(jié)構(gòu)及器件的傳輸特性、損耗機(jī)理等基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題進(jìn)行了深入研究，提出了半模基片集成波導(dǎo)等多種新型平面導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，發(fā)展了相應(yīng)的設(shè)計(jì)方法，并發(fā)明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實(shí)際應(yīng)用。

微流體數(shù)字化技術(shù)通過(guò)對(duì)裸結(jié)構(gòu)的微噴嘴實(shí)施脈沖的慣性力，使微量流體在慣性力與黏性力交替作用下實(shí)現(xiàn)微流體的脈沖流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)字化可控的微量流體的噴射，適用于液體微噴射、粉體微噴射等領(lǐng)域。 成熟度：基于非晶態(tài)玻璃材料毛細(xì)加工原理，進(jìn)行了拉制、鍛制、殘余應(yīng)力熱處理等工序研究，制作了出微納米級(jí)的微噴嘴、微管道。以玻璃微噴嘴制備儀為平臺(tái)研究了不同拉制參數(shù)、鍛制參數(shù)對(duì)微噴嘴幾何形狀的影響規(guī)律?；谖⒘黧w脈沖驅(qū)動(dòng)-控制技術(shù)，分別采用拉制、鍛制的微噴嘴穩(wěn)定地制備了均一的微液滴。 微流體

采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進(jìn)一步發(fā)展的尺寸限制同時(shí)可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實(shí)現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因?yàn)槠溟g接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實(shí)現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。

寧波大學(xué)晶體材料實(shí)驗(yàn)室在國(guó)際上首次成功開(kāi)發(fā)鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長(zhǎng)技術(shù)，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術(shù)。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡(jiǎn)介 閃爍單晶是廣泛應(yīng)用于高能射線探測(cè)成像技術(shù)的光學(xué)功能材料。寧波大學(xué)晶體材料實(shí)驗(yàn)室在國(guó)際上首次成功開(kāi)發(fā)鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長(zhǎng)技術(shù)，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術(shù)。近年來(lái)所制備閃爍單晶性能完全達(dá)到射線探測(cè)器制造所要求實(shí)用化指標(biāo)，CWO閃爍單晶材料可廣泛應(yīng)用于安檢設(shè)備、集裝箱檢查系統(tǒng)、CT診療儀等技術(shù)領(lǐng)域。迄今已經(jīng)形成單晶原坯、多規(guī)格晶片和單晶陣列的批量生產(chǎn)能力，相關(guān)材料產(chǎn)品已銷往國(guó)內(nèi)外相關(guān)射線探測(cè)成像設(shè)備制造廠商。 

針對(duì)汽車電子、5G通訊基站、航空航天及電力電子設(shè)備等功率電子元器件難以在高溫、大電流/電壓、潮濕等惡劣工作環(huán)境下服役的難題，并且要求芯片封裝互連接頭尺寸更小、高溫穩(wěn)定性更好、可靠性更高，本團(tuán)隊(duì)首次采用超聲輔助納米燒結(jié)的新型互連工藝，利用納米銀包銅顆粒作為焊料，成功獲得大功率器件高溫高可靠服役要求的互連接頭，為高功率芯片貼裝高導(dǎo)熱界面制造提供了新材料和新工藝。