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隨著支配半導(dǎo)體技術(shù)數(shù)十年的摩爾定律日益接近其發(fā)展極限，多種功能器件集成被認(rèn)為是超越摩爾定律延續(xù)集成電路發(fā)展進(jìn)程的重要途徑之一，這就需要能夠滿(mǎn)足多種功能器件高密度集成的制造技術(shù)。多元兼容集成制造技術(shù)就是為此而開(kāi)發(fā)的，該技術(shù)通過(guò)在更大范圍內(nèi)優(yōu)選結(jié)構(gòu)/功能材料組合，開(kāi)發(fā)異質(zhì)集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)和制造的騰挪空間。經(jīng)過(guò)多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復(fù)合材料的MEMS異質(zhì)異構(gòu)制造技術(shù)體系，并在多種類(lèi)型功能器件研發(fā)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，初步展現(xiàn)了其基礎(chǔ)性支撐作用，相關(guān)技術(shù)獲得2016年度上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。 微系統(tǒng)集成發(fā)展趨勢(shì) 多元兼容集成制造技術(shù)  獲獎(jiǎng)情況 上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2016年團(tuán)隊(duì)獲獎(jiǎng) 國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2008年 上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2007年 超薄超快高熱流密度微通道散熱器 上海交通大學(xué)團(tuán)隊(duì)在長(zhǎng)期研究經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累基礎(chǔ)上，創(chuàng)造性地提出了不同高熱導(dǎo)率材料組合構(gòu)造的復(fù)合結(jié)構(gòu)微通道散熱器設(shè)計(jì)方案，并基于多元兼容集成制造技術(shù)完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當(dāng)?shù)某∩崞骼鋮s能力達(dá)到800W/cm2以上，在保留傳統(tǒng)微通道散熱器良好系統(tǒng)兼容性和適用性的基礎(chǔ)上達(dá)到了相當(dāng)高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統(tǒng)超高熱流密度散熱問(wèn)題提供了一個(gè)深具可行性的解決方案。 高溫薄膜溫度傳感器研究  發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室等極端惡劣環(huán)境下（高溫、強(qiáng)振動(dòng)、強(qiáng)腐蝕等）的工作參數(shù)現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)對(duì)傳感器技術(shù)是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，國(guó)內(nèi)外研究廣泛。交大團(tuán)隊(duì)基于特種材料微納集成制造技術(shù)的長(zhǎng)期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應(yīng)力調(diào)控、曲面圖形化和高溫敏感介質(zhì)等技術(shù)上取得了一定突破，成功開(kāi)發(fā)了多種可與現(xiàn)場(chǎng)結(jié)構(gòu)共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環(huán)境擾動(dòng)小、響應(yīng)快、靈敏度高、可分布式安置等優(yōu)點(diǎn)，該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)掌握了溫度、應(yīng)力/應(yīng)變、熱流等多種高溫狀態(tài)參數(shù)測(cè)量技術(shù)，適用溫度在800-1300℃之間。 薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測(cè)試結(jié)構(gòu) 高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術(shù) 薄膜溫度傳感器在發(fā)動(dòng)機(jī)不同部位測(cè)溫需求 無(wú)線(xiàn)溫度傳感器測(cè)溫系統(tǒng) 高性能轉(zhuǎn)接板 基于轉(zhuǎn)接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統(tǒng)的硅轉(zhuǎn)接板性?xún)r(jià)比不高，阻礙了廣泛應(yīng)用。上海交大團(tuán)隊(duì)基于非硅微加工技術(shù)的長(zhǎng)期積累，突破了硅轉(zhuǎn)接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉(zhuǎn)接板。此外，還開(kāi)發(fā)了復(fù)合材料非硅轉(zhuǎn)接板，TCV陶瓷轉(zhuǎn)接板，TGV玻璃轉(zhuǎn)接板等各種三維封裝基板，實(shí)驗(yàn)室能夠針對(duì)不同類(lèi)型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開(kāi)發(fā)不同功能的專(zhuān)用轉(zhuǎn)接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個(gè)性化解決方案。 TSV-3D 高密度封裝概念圖  金屬-聚合物-納米復(fù)合材料非硅基轉(zhuǎn)接板實(shí)物圖片

該技術(shù)涉及一項(xiàng)基于聚苯乙烯基的載體高分子微球的生產(chǎn)技術(shù)。產(chǎn)品經(jīng)改性后，可獲得表面帶-Cl、-NH3等功能性基團(tuán)的微球。 

"近年來(lái)，鋰離子電池在智能電網(wǎng)、航空航天和軍事儲(chǔ)能等高能耗新能源領(lǐng)域的應(yīng)用不斷擴(kuò)展，現(xiàn)有商用正極材料體系（包括層狀結(jié)構(gòu)的鎳鈷錳酸鋰、尖晶石結(jié)構(gòu)的錳酸鋰和橄欖石結(jié)構(gòu)的磷酸鐵鋰）的實(shí)際比容量已經(jīng)接近各自的理論極限值，無(wú)法滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的能量密度需求。富鋰錳基正極材料不僅具有高的比容量（250 mA h/g）和能量密度（1000 Wh/kg），而且其較低的鈷和鎳含量能夠有效降低電池的成本。 本項(xiàng)目主要通過(guò)構(gòu)筑缺陷來(lái)增強(qiáng)富鋰錳基正極材料的電化學(xué)性能，實(shí)現(xiàn)高的首圈庫(kù)倫效率、倍率性能和循環(huán)穩(wěn)定性，提升富鋰錳基正極材料整體性能，為其商業(yè)化應(yīng)用打下基礎(chǔ)。 "

傳統(tǒng)pH值測(cè)試方法大多采用取樣的方式來(lái)測(cè)定溶液的pH值，對(duì)隨時(shí)變化的工業(yè)廢水的pH檢測(cè)相對(duì)滯后，不能實(shí)時(shí)反應(yīng)溶液酸堿性的變化，其結(jié)果是當(dāng)檢測(cè)到pH值偏離正常時(shí)，污染已經(jīng)發(fā)生，不能在第一時(shí)間控制污染造成的損害。 本項(xiàng)目將pH指示劑固定在微流芯片中，當(dāng)不同酸堿度的液體流經(jīng)檢測(cè)芯片時(shí)，特定波長(zhǎng)透過(guò)光強(qiáng)發(fā)生變化，經(jīng)光電二極管轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)，再經(jīng)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)讀出pH值，可實(shí)時(shí)反映流體pH值的改變，監(jiān)控生產(chǎn)狀況的變化及對(duì)污染進(jìn)行實(shí)時(shí)報(bào)警。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:隨著支配半導(dǎo)體技術(shù)數(shù)十年的摩爾定律日益接近其發(fā)展極限，多種功能器件集成被認(rèn)為是超越摩爾定律延續(xù)集成電路發(fā)展進(jìn)程的重要途徑之一，這就需要能夠滿(mǎn)足多種功能器件高密度集成的制造技術(shù)。多元兼容集成制造技術(shù)就是為此而開(kāi)發(fā)的，該技術(shù)通過(guò)在更大范圍內(nèi)優(yōu)選結(jié)構(gòu)/功能材料組合，開(kāi)發(fā)異質(zhì)集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)和制造的騰挪空間。經(jīng)過(guò)多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復(fù)合材料的MEMS異質(zhì)異構(gòu)制造技術(shù)體系，并在多種類(lèi)型功能器件研發(fā)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，初步展現(xiàn)了其基礎(chǔ)性支撐作用，相關(guān)技術(shù)獲得2016年度上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。微系統(tǒng)集成發(fā)展趨勢(shì)多元兼容集成制造技術(shù) 獲獎(jiǎng)情況上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2016年團(tuán)隊(duì)獲獎(jiǎng)國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2008年上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2007年超薄超快高熱流密度微通道散熱器上海交通大學(xué)團(tuán)隊(duì)在長(zhǎng)期研究經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累基礎(chǔ)上，創(chuàng)造性地提出了不同高熱導(dǎo)率材料組合構(gòu)造的復(fù)合結(jié)構(gòu)微通道散熱器設(shè)計(jì)方案，并基于多元兼容集成制造技術(shù)完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當(dāng)?shù)某∩崞骼鋮s能力達(dá)到800W/cm2以上，在保留傳統(tǒng)微通道散熱器良好系統(tǒng)兼容性和適用性的基礎(chǔ)上達(dá)到了相當(dāng)高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統(tǒng)超高熱流密度散熱問(wèn)題提供了一個(gè)深具可行性的解決方案。高溫薄膜溫度傳感器研究 發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室等極端惡劣環(huán)境下（高溫、強(qiáng)振動(dòng)、強(qiáng)腐蝕等）的工作參數(shù)現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)對(duì)傳感器技術(shù)是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，國(guó)內(nèi)外研究廣泛。交大團(tuán)隊(duì)基于特種材料微納集成制造技術(shù)的長(zhǎng)期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應(yīng)力調(diào)控、曲面圖形化和高溫敏感介質(zhì)等技術(shù)上取得了一定突破，成功開(kāi)發(fā)了多種可與現(xiàn)場(chǎng)結(jié)構(gòu)共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環(huán)境擾動(dòng)小、響應(yīng)快、靈敏度高、可分布式安置等優(yōu)點(diǎn)，該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)掌握了溫度、應(yīng)力/應(yīng)變、熱流等多種高溫狀態(tài)參數(shù)測(cè)量技術(shù)，適用溫度在800-1300℃之間。薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測(cè)試結(jié)構(gòu)高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術(shù)薄膜溫度傳感器在發(fā)動(dòng)機(jī)不同部位測(cè)溫需求無(wú)線(xiàn)溫度傳感器測(cè)溫系統(tǒng)高性能轉(zhuǎn)接板基于轉(zhuǎn)接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統(tǒng)的硅轉(zhuǎn)接板性?xún)r(jià)比不高，阻礙了廣泛應(yīng)用。上海交大團(tuán)隊(duì)基于非硅微加工技術(shù)的長(zhǎng)期積累，突破了硅轉(zhuǎn)接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉(zhuǎn)接板。此外，還開(kāi)發(fā)了復(fù)合材料非硅轉(zhuǎn)接板，TCV陶瓷轉(zhuǎn)接板，TGV玻璃轉(zhuǎn)接板等各種三維封裝基板，實(shí)驗(yàn)室能夠針對(duì)不同類(lèi)型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開(kāi)發(fā)不同功能的專(zhuān)用轉(zhuǎn)接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個(gè)性化解決方案。TSV-3D 高密度封裝概念圖 金屬-聚合物-納米復(fù)合材料非硅基轉(zhuǎn)接板實(shí)物圖片知識(shí)產(chǎn)權(quán)類(lèi)型:發(fā)明專(zhuān)利 、 軟件著作權(quán) 、 集成電路布圖設(shè)計(jì)技術(shù)先進(jìn)程度:達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平成果獲得方式:獨(dú)立研究獲得政府支持情況:國(guó)家級(jí)

目前，從美國(guó)能源信息署的數(shù)據(jù)可以看出，到2025年，全球的石油年需求量將達(dá)到136.5億噸。然而，世界范圍內(nèi)易開(kāi)采、低成本的石油資源越來(lái)越少，難開(kāi)采、高成本的石油資源越來(lái)越多，因此需要目前主要可以通過(guò)開(kāi)發(fā)一些新的技術(shù)來(lái)解決這一矛盾，水力壓裂就是一種新型高效的開(kāi)采技術(shù)，它是石油、天然氣低滲透油氣井開(kāi)采增產(chǎn)的重要新技術(shù)，水力壓裂一般應(yīng)用到水平井中。在水力壓裂過(guò)程的中，支撐劑是其中的關(guān)鍵材料。本項(xiàng)目采用軟化學(xué)漿液閥制備超低密度微球支撐劑，廣泛應(yīng)用于各種油氣井中。

本發(fā)明提供一種識(shí)別微絲菌用熒光探針的制備方法，該方法先采用鹵代長(zhǎng)碳鏈化合物對(duì)咔唑吡啶苯乙烯類(lèi)菁染料的4-甲基吡啶部分進(jìn)行修飾，而后再與3-甲?；?N-乙基咔唑反應(yīng)合成具有長(zhǎng)疏水鏈的熒光探針。本發(fā)明效果為，該探針制備過(guò)程中將咔唑吡啶苯乙烯類(lèi)菁染料的制備和修飾同步化，制備方法簡(jiǎn)單，制得的熒光探針背景干擾小，熒光強(qiáng)度高，熒光性質(zhì)穩(wěn)定。利用微絲菌具有疏水表面這一特性，本申請(qǐng)中所制備的具有長(zhǎng)疏水鏈的熒光探針可與其結(jié)合，從而達(dá)到熒光識(shí)別微絲菌的目的。

本發(fā)明涉及一種空心陶瓷微球及其制備方法。本發(fā)明屬于陶瓷微球技術(shù)領(lǐng)域。一種空心陶瓷微球，為中空結(jié)構(gòu)陶瓷球，空心陶瓷球?yàn)門(mén)iO2包覆SiC的核殼結(jié)構(gòu)?？招奶沾晌⑶虻闹苽浞椒?，包括步驟：1.制備實(shí)心微球：(1)制作聚苯乙烯微球；(2)進(jìn)行磺化；(3)包覆一層陶瓷先驅(qū)體；2.陶瓷先驅(qū)體包覆的聚苯乙烯實(shí)心微球表面包覆二氧化鈦:（1）將微球分散于乙醇和酞酸丁酯的混合溶液中；（2）將酸和去離子水加入到混合溶液中；(3)進(jìn)行水熱處理得到陶瓷先驅(qū)體包覆的聚苯乙烯實(shí)心微球；3.制備空心陶瓷微球:將表面包括覆有TiO2的陶瓷先驅(qū)體包覆的聚苯乙烯實(shí)心微球放在真空爐中燒結(jié)，獲得空心陶瓷微球。本發(fā)明具有產(chǎn)品活性高，性能優(yōu)異，隔熱效果好，適用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。

高性能的相干光源是基礎(chǔ)光物理研究和集成光子學(xué)應(yīng)用的關(guān)鍵前提之一。近年來(lái)，具有超高品質(zhì)因子的回音壁模式光學(xué)微腔已經(jīng)成為研究各種新型高效光源的重要平臺(tái)，實(shí)驗(yàn)上已經(jīng)獲得了包括宇稱(chēng)-時(shí)間反演對(duì)稱(chēng)激光、軌道角動(dòng)量激光和微腔光學(xué)頻率梳等。然而，回音壁微腔模式存在的固有手征對(duì)稱(chēng)性導(dǎo)致腔中激光場(chǎng)通常是等強(qiáng)度相向傳輸?shù)模瑖?yán)重阻礙了諸多光子學(xué)器件應(yīng)用的發(fā)展，例如單向光發(fā)射、全光寄存器和非互易光傳輸?shù)?。迄今，要獲得具有單向性的回音壁微腔手征激光，通常需要直接打破光學(xué)諧振腔的幾何手征對(duì)稱(chēng)性。這種方法得到的激光方向性是固定的，難以動(dòng)態(tài)調(diào)控其出射性質(zhì)，且對(duì)諧振腔的形狀設(shè)計(jì)和工藝制備要求較高。

本項(xiàng)目將研究CVD金剛石厚膜的制備技術(shù)，導(dǎo)絲模的超聲微納加工技術(shù)，最終制作出合格的CVD金剛石導(dǎo)絲模，內(nèi)孔尺寸公差<0.1微米，內(nèi)孔和外圓的同心度要求小于5mm，內(nèi)孔表面粗糙度Ra<0.01mm，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。 本項(xiàng)目涉及金剛石厚膜的制備到CVD金剛石導(dǎo)絲模的關(guān)鍵工藝，項(xiàng)目成功后，將研發(fā)成功具有我國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的金剛石導(dǎo)絲模，對(duì)我國(guó)模具產(chǎn)業(yè)和精密加工技術(shù)的發(fā)展具有重要的推動(dòng)作用。   應(yīng)用范圍： 該產(chǎn)品應(yīng)用于電火花線(xiàn)切割機(jī)床上使用，可以保證電火花線(xiàn)切割的質(zhì)量和工件的加工精度。