一種自發成核過程可控式的DAST晶體生長裝置
本技術屬于溶液法晶體生長設備技術領域,涉及一種有機非線性光學晶體的溶液降溫生長方法,特別是一種方形四棱錐底式DAST晶體自發成核生長裝置,通過生長裝置和底部載晶斜板的特殊設計,大幅增加可用來生長晶體的載晶斜板有效面積,提高DAST晶體生產效率,同時可消除載晶斜板外的自發成核晶體生長,有效提高晶體生長的穩定性,進而大幅改善斜板式自發成核法生長DAST晶體的質量。本發明與現有技術相比,其選用的生長裝置結構簡單,成本低,組裝簡便,操作方便,可大幅增加晶體生長缸中用以生長晶體的有效面積,提高DAST晶體生產效率;同時有效控制聚四氟乙烯四棱錐外的自發成核晶體生長,提高晶體生長的穩定性,進而大幅改善自發成核法生長DAST晶體的質量,有效解決了傳統斜板式自發成核法中,在斜板之外其它位置容易出現無效的自發成核雜晶生長問題,提高晶體生長的穩定性和生長效率。可望應用于有機晶體的自發成核生長。
青島大學
2021-04-13