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一種電場輔助寫入型磁隧道結單元及其寫入方法
本發明公開了一種電場輔助寫入型磁隧道結單元及其寫入方法； 電場輔助磁隧道結單元具有雙勢壘結構，包括第一電極層，以及依次 形成在第一電極層上的第一磁性層、第一絕緣隧穿層、第二磁性層、 第一金屬層、第二絕緣層和第二電極層。第一磁性層為參照層 RL，第 一絕緣層為隧穿層 I，第二磁性層為自由層 FL，第一金屬層為非磁金 屬層 NM，第二絕緣層為介電層 I*；當在磁隧道結單元的兩端施加電 壓時，電場通過兩個絕緣層引入到 I/FL 和 FL/NM 界面，從而調控 I/FL 的界面磁各向異性，并控制 FL/NM
華中科技大學
2021-04-14
一種電場輔助寫入型磁隧道結單元及其寫入方法
本發明公開了一種電場輔助寫入型磁隧道結單元及其寫入方法； 電場輔助磁隧道結單元具有雙勢壘結構，包括第一電極層，以及依次 形成在第一電極層上的第一磁性層、第一絕緣隧穿層、第二磁性層、 第一金屬層、第二絕緣層和第二電極層。第一磁性層為參照層 RL，第 一絕緣層為隧穿層 I，第二磁性層為自由層 FL，第一金屬層為非磁金 屬層 NM，第二絕緣層為介電層 I*；當在磁隧道結單元的兩端施加電 壓時，電場通過兩個絕緣層引入到 I/
華中科技大學
2021-04-14
一種土壓平衡盾構機隧道掘進參數智能控制方法
本發明公開了一種土壓平衡盾構機隧道掘進參數智能控制方法， 其特征在于：該方法包括如下步驟：S1：采集數據提取影響盾構機掘 進性能的因素節點，S2：構建影響盾構機掘進性能所述因素節點的拓 撲結構，獲取各節點之間的模糊關聯矩陣 Wij，S3：構建土壓平衡盾 構機掘進模糊控制網絡圖，根據迭代推理公式動態演化計算各個因素 節點在 t+1 時刻上的狀態值，S4：利用所述模糊控制網絡圖進行多階 段決策分析，實現對土壓平衡盾構機掘進參數的實時分析與糾偏控制。 本發明的方法，通過統籌采用專家先驗知識、模糊邏輯、圖論
華中科技大學
2021-04-14
電化學沉積制備單原子催化劑的普適性方法
近日，中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家研究中心和化學物理系曾杰教授、周仕明副教授研究團隊發展出了一套利用電化學沉積制備單原子催化劑的普適性方法，利用該方法研究人員成功制備出了34種單原子催化劑，覆蓋了多種過渡金屬和多種襯底。相關成果發表在《自然·通訊》上。發展對襯底和金屬無選擇性的普適性單原子合成方法具有重要意義。研究人員在電化學三電極體系下進行電化學沉積，并通過陰極沉積和陽極沉積獲得了兩種Ir1/Co(OH)2單原子催化劑。此外，研究人員又探究了沉積條件（前驅體濃度、沉積圈數和沉積速率）對單原子形成的影響，發現當金屬的負載量低于某一限度時，可以獲得單原子；高于這一限度時則有金屬團簇或顆粒形成，這一變化類似于液相中晶體生長中的成核過程（圖1）。電化學沉積制備單原子的機理研究。(a)陰極沉積示意圖；(b)陽極沉積示意圖；(c)在陰極沉積中，前驅體濃度、沉積量和單原子形成的關系；(d)在陽極沉積中，前驅體濃度、沉積量和單原子形成的關系。為了證明該方法的普適性，研究人員又在氫氧化鈷、硫化鉬、氧化錳、氮摻雜的碳等襯底上成功獲得覆蓋3d、4d、5d金屬的單原子催化劑，并且對所制備的單原子催化劑的結構表征后發現，陰極和陽極沉積獲得的同一單原子催化劑具有不同的電子結構，這為其在不同催化反應中的應用提供了可能。研究人員還對所得單原子催化劑在電催化水分解反應中的性能進行了探究。實驗結果表明，陰極沉積所得的一些催化劑在電催化析氫反應中表現出了優異的性能，同時，陽極沉積所得的一些催化劑在電催化析氧反應中也表現出了良好的性能。該制備單原子催化劑的普適性方法不僅為單原子催化領域注入了新的活力，而且為今后系統性研究催化劑結構和性能之間的關系提供了新的思路。論文鏈接：https://www.nature.com/articles/s41467-020-14917-6.pdf詳細閱讀：http://news.ustc.edu.cn/2020/0313/c15884a414545/page.htm
中國科學技術大學
2021-04-10
一維原子鏈缺陷兩端零能束縛態的發現
在二維鐵基高溫超導體中的一維原子缺陷鏈兩端發現馬約拉納零能模，為實現較高溫度下、無外加磁場的拓撲零能激發態提供了一種可行性平臺。王健研究組通過分子束外延（MBE）技術在鈦酸鍶襯底上成功制備出大尺度、高質量的單層FeTe0.5Se0.5高溫超導薄膜，其超導轉變溫度T_c≈62 K，遠高于塊材Fe(Te,Se) (T_c≈14.5 K)。利用原位低溫（4.2 K）掃描隧道顯微鏡（STM）和掃描隧道譜（STS）技術，研究組在薄膜表面發現了一種由最上層Te/Se原子缺失形成的一維原子鏈缺陷。在這種一維原子鏈缺陷兩端，同時觀測到了零能束縛態（圖1），而在一維原子鏈缺陷的非端點處，依然是超導帶隙的譜形。隨著溫度升高，零能束縛態的峰高逐漸降低，最終在遠低于T_c時消失（約20 K）。隨著針尖逐漸逼近薄膜表面，即隧穿勢壘電導變大，零能束縛態峰迅速升高且沒有發生劈裂，展現出良好的抗干擾性。此外，研究組發現在較短的一維原子鏈缺陷兩端的零能束縛態發生了一定程度的耦合（圖2），其峰高隨缺陷長度的依賴關系在統計中展現出正相關關系。這些零能束縛態的譜學特性，如峰值高度與半高寬隨溫度的演化，消失的溫度，針尖逼近隧穿譜與難劈裂的特性等，都與馬約拉納零能模的解釋相符合，可以基本上排除Kondo效應、雜質缺陷束縛態或有節點的高溫超導體中Andreev零能束縛態等其它可能性。波士頓學院的汪自強教授團隊基于肖克利缺陷態的能帶理論在超導體中的表現提出了可能的理論解釋。在強自旋軌道耦合作用下，單層FeTe0.5Se0.5薄膜表面的一維原子鏈缺陷可以是衍生一維拓撲超導體，其端點處會產生受時間反演對稱性保護的一對馬約拉納零能模。時間反演對稱性破缺下也可產生一維原子鏈缺陷拓撲超導體，其兩個端點各產生一個馬約拉納零能模。這一工作首次揭示了二維高溫超導體FeTe0.5Se0.5單層薄膜中的一類拓撲線缺陷端點處的零能激發，具備單一材料、較高工作溫度和零外加磁場等優勢，為進一步實現可應用的拓撲量子比特提供了一種可能的方案。
北京大學
2021-04-11
一種用于制作原子層沉積膜的可拆卸噴頭及裝置
本發明公開了一種用于制作原子層沉積膜的可拆卸噴頭及裝置。用于制作原子層沉積膜的噴頭，包括進氣管路、進氣口和出氣口；所述進氣口內部為空腔；所述出氣口內部形成空腔，分為上半部分和下半部分，其上半部分與下半部分之間設有漏斗形結構；進氣管路與進氣口固定連接，進氣口與出氣口可拆卸密閉連接。用于制作原子層沉積膜的裝置，包括所述噴頭、腔體支撐架、基片承載臺和運動平臺，腔體支撐架中間形成長條狀鏤空，可順序設置多個可拆卸噴頭，基片承載臺設置在墻體支撐架下方，運動平臺帶動基片承載臺。本發明能適應不同的原子層沉積反應，通
華中科技大學
2021-04-14
一種基于原子力顯微鏡的多功能組合探針系統
本發明公開了一種基于原子力顯微鏡的多功能組合探針系統。該系統能在各種設定的工作環境中通過程序控制原位切換具有不同功能的探針，從而在同一實驗區域原位實現微觀摩擦磨損實驗、表面形貌掃描、晶體結構演變探測和摩擦能量耗散測量等功能。該系統在原位切換探針時，無需破壞工作環境，有效避免外界環境對樣品表面的污染。
西南交通大學
2016-10-19
基于 PSO 改進的原子分解法的雷擊干擾與故障識別方法
本發明涉及一種雷擊干擾與雷擊故障識別方法，尤其是涉及一種基于 PSO 改進的原子分解法的雷 擊干擾與故障識別方法。本發明利用原子分解法對故障線路保護安裝處的電壓電流信號進行頻率成分分 析，提出基于零序電流穩態工頻分量有無的雷擊干擾識別方法;提出基于電流線模分量原子分解能量比 值與基于故障相電流電磁暫態特征的雙重故障類型識別判據，提高了故障識別的準確率。本發明在過完 備冗余原子庫的基礎上自適應地尋找信號的最佳匹配原子及其參數，從而使信號的自適應表達簡潔，分 解結果稀疏，極大地提高了
武漢大學
2021-04-14
施工及運營期隧道滲流場模型試驗系統及其試驗方法
成果描述：本發明公開了一種施工及運營期隧道滲流場模型試驗系統及其試驗方法，包括滲流模型箱的箱體和數據采集裝置，箱體的頂部設有壓力表，側壁底部設有溢流孔，側壁頂端和底端分別設有模型箱上進水孔和模型箱下進水孔；相對的兩側壁上開有隧道孔；固定鋼筋籠的兩端固定于隧道孔孔緣內壁上，其外包裹隔土層；法蘭盤的外圈螺栓固定于隧道孔孔緣外壁上，內、外鋼筋籠分別均通過法蘭盤固定于隧道兩隧道孔之間；法蘭盤的內孔設有蓋板；在內外鋼筋籠之間螺紋連接施工期隔土板；在內鋼筋籠內螺紋固定掌子面擋水板；且二者位于同一垂向截面上。該系統可方便、準確、真實地測試滲流場作用下隧道施工、運營期的滲流場情況。市場前景分析：軌道交通基礎設施建設領域。與同類成果相比的優勢分析：技術先進，性價比較高。
西南交通大學
2021-04-10
鐵電量子隧道結亞納秒超快憶阻器的研究
中國科學技術大學李曉光團隊在前期研究基礎上，基于鐵電隧道結量子隧穿效應，實現了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構建存算一體人工神經網絡，該成果在線發表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）。基于隧道結能帶的設計，以及其對阻變速度、開關比、操作電壓的調控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機械硬盤的速度約為1ms, 固態硬盤的約為1-10ms）、開關比達2個數量級，且其600ps的阻變速度在85℃時依然穩定（工業測試標準）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態；寫入的信息預計可在室溫穩定保持約100年；可重復擦寫次數達108-109次，遠超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環境下仍能進行信息的寫入，可實現高溫緊急情況備用。
中國科學技術大學
2021-04-10