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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法
本發(fā)明涉及一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法，其具體作法是：a、配制混合溶液：分別稱量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O，0.5-1.5mmol Se，1mmolNa2SO3,將其混合后放入高壓釜內(nèi)襯。在高壓釜內(nèi)襯中加入80mL乙醇，用玻璃棒攪拌越5min。b、水熱反應(yīng)：封閉高壓釜后，將其放入箱式爐加熱至200°C，12h，待自然冷卻后取出。c、離心過濾：將b步反應(yīng)后所得的溶液超聲5-8分鐘，1000轉(zhuǎn)/分離心過濾，將濾液于80℃下干燥得灰黑色產(chǎn)物，即為半弧形Bi2Se3超薄納米片。合成步驟少，操作簡單，目的產(chǎn)物物性能優(yōu)良。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
科德勁半金屬KDJ-3B窗口對講機(jī)河南地區(qū)專供
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 一.功能簡介 1.全自動雙向?qū)χv機(jī)，不用按鍵，自由交談 2.三種副機(jī)可自由選配，外型美觀 3.外話筒已置于副機(jī)內(nèi)，內(nèi)外只有一根連線，安裝簡捷 4.對講系統(tǒng)語音逼真、清晰，內(nèi)外音量可自由調(diào)節(jié) 5.最新技術(shù)，微電腦處理電路，具靜噪功能，并徹底解決回音嘯叫問題 6.可以用在任何窗口內(nèi)外交談困難的地方，適用于銀行，金融，售票窗口等不同工作環(huán)境 具有較寬的動態(tài)工作范圍，有效適應(yīng)各種工作環(huán)境；超強(qiáng)的背景噪音抑制電路，靜態(tài)時本機(jī)無噪音； 線性音量控制功能，音量調(diào)節(jié)時無噪音；功率大，最大達(dá)8W(主機(jī)3W,付機(jī)5W)可長時連續(xù)工作；自動雙向錄音轉(zhuǎn)換 。 設(shè)計：專業(yè)窗口對講，適用服務(wù)窗口 外型:全新外觀設(shè)計，貼近客戶環(huán)境 音質(zhì)：音響芯片處理，純真優(yōu)美動聽 功能：通道自動切換，監(jiān)聽語音輸出 安裝：一線轉(zhuǎn)接內(nèi)外，靈活選擇整機(jī) 使用：音量獨立調(diào)節(jié)，靜音手動選擇 維護(hù)：SMD表貼元件，經(jīng)久穩(wěn)定耐用 升級：不斷探索創(chuàng)新，客戶擁有信心 二.技術(shù)參數(shù) 通道控制：快速智能切換 頻率響應(yīng)：主機(jī)、副機(jī)200Hz-10KHz 輸出功率：主機(jī)2W，副機(jī)2W 規(guī)格：272(L)*165（W)*120（H)mm 失 真 度：小于2% 話筒插孔：3.5雙聲道插座 監(jiān)聽插孔：3.5雙聲道插座 電源電壓：AC220V 50Hz DC12-15V 消耗功率：0.5W 中軟高科官網(wǎng)http://www.sfzydq.com 和www.kedejin.com 感興趣者可以聯(lián)系電話13383829331，或者QQ 2929054816
河南身份證閱讀器服務(wù)有限公司
2021-08-23
科德勁半金屬窗口對講機(jī)KDJ-3B河南廠家直供
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 新型半金屬帶語音窗口對講機(jī)KDJ-3B 一.技術(shù)參數(shù) 通道控制：快速智能切換 頻率響應(yīng)：主機(jī)、副機(jī)200Hz-10KHz 輸出功率：主機(jī)2W，副機(jī)2W 規(guī)格：272(L)*165（W)*120（H)mm 失 真 度：小于2% 話筒插孔：3.5雙聲道插座 監(jiān)聽插孔：3.5雙聲道插座 電源電壓：AC220V 50Hz DC12-15V 消耗功率：0.5W 二.功能簡介 1.全自動雙向?qū)χv機(jī)，不用按鍵，自由交談 2.三種副機(jī)可自由選配，外型美觀 3.外話筒已置于副機(jī)內(nèi)，內(nèi)外只有一根連線，安裝簡捷 4.對講系統(tǒng)語音逼真、清晰，內(nèi)外音量可自由調(diào)節(jié) 5.最新技術(shù)，微電腦處理電路，具靜噪功能，并徹底解決回音嘯叫問題 6.可以用在任何窗口內(nèi)外交談困難的地方，適用于銀行，金融，售票窗口等不同工作環(huán)境 具有較寬的動態(tài)工作范圍，有效適應(yīng)各種工作環(huán)境；超強(qiáng)的背景噪音抑制電路，靜態(tài)時本機(jī)無噪音； 線性音量控制功能，音量調(diào)節(jié)時無噪音；功率大，最大達(dá)8W(主機(jī)3W,付機(jī)5W)可長時連續(xù)工作；自動雙向錄音轉(zhuǎn)換 。 設(shè)計：專業(yè)窗口對講，適用服務(wù)窗口 外型:全新外觀設(shè)計，貼近客戶環(huán)境 音質(zhì)：音響芯片處理，純真優(yōu)美動聽 功能：通道自動切換，監(jiān)聽語音輸出 安裝：一線轉(zhuǎn)接內(nèi)外，靈活選擇整機(jī) 使用：音量獨立調(diào)節(jié)，靜音手動選擇 維護(hù)：SMD表貼元件，經(jīng)久穩(wěn)定耐用 升級：不斷探索創(chuàng)新，客戶擁有信心
河南身份證閱讀器服務(wù)有限公司
2021-08-23
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寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計與研制方案。目前基于國內(nèi)工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件
本發(fā)明公開了一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導(dǎo)（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設(shè)計方向決定。本發(fā)明利用光瞳重塑方式解決了傳統(tǒng)二維擴(kuò)瞳方式產(chǎn)生的大視場角情況下的視場分離。
東南大學(xué)
2021-04-11
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高溫壓電振動能量回收器件和高溫驅(qū)動器
傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能實現(xiàn)納米級驅(qū)動的器件，壓電驅(qū)動器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。
北京大學(xué)
2021-02-01
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
本團(tuán)隊在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計與研制方案。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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磁流體熱磁對流在電子器件散熱中的應(yīng)用
項目概況 針對小型化、集成化、高頻率和高運算速度的電子器件，應(yīng)用磁流體的熱磁對流效應(yīng)，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術(shù)用于高密度高功率電子器件設(shè)備中。 主要特點 1. 選擇合適的外加磁場和屏蔽技術(shù)。 2．溫度區(qū)內(nèi)磁場梯度條件和粒子濃度的準(zhǔn)確控制 3．磁流體微型熱管散熱過程的磁場的準(zhǔn)確定位。 技術(shù)指標(biāo) 建立適合電子器件密集環(huán)境下適用磁流體散熱技術(shù)及相應(yīng)的磁場條件和屏蔽技術(shù)，提高了磁流體在磁場、熱場和重力場協(xié)同作用下的流動傳熱效果。促進(jìn)節(jié)能環(huán)保技術(shù)的發(fā)展，達(dá)到節(jié)能減排的綠色材料應(yīng)用。市場前景 目前該項目已通過現(xiàn)場的工業(yè)化證明，散熱效果好，能達(dá)到電子器件冷卻要求，滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求，在生產(chǎn)過程中無污染，無三廢排放。該項目可應(yīng)用于高密度、高功率電子器件密集環(huán)境下的散熱設(shè)備中，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。
南京工程學(xué)院
2021-04-11
基于超陡擺幅器件的極低功耗物聯(lián)網(wǎng)芯片
隨著集成電路的發(fā)展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯(lián)智能時代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點等對極低功耗的需求。 本項目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個量級以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點的工作時間，具有重要的應(yīng)用價值。
北京大學(xué)
2021-02-01
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基于閃蒸噴霧的大功率電子器件冷卻系統(tǒng)
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和芯片性能的提高帶來電路及其芯片的散熱問題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時由于芯片的不斷集成化和微型化，導(dǎo)致散熱量的迅速增加，傳統(tǒng)的冷卻技術(shù)已經(jīng)不能滿足散熱要求。本技術(shù)開發(fā)了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環(huán)系統(tǒng)，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術(shù)，實現(xiàn)了低溫高效換熱，傳熱系數(shù)高達(dá)26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過100W/cm2（而常規(guī)水冷條件下元器件表面溫度超過150攝氏度）。
西安交通大學(xué)
2021-04-11