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本發明公開一種同質結型感存算集成器件及其制備方法。該同質結型感存算集成器件包括：柔性襯底；底電極，其為有機導電聚合物，形成在所述柔性襯底上；第一功能層，其為經退火后的三元素n型氧化物半導體薄膜，具有光電響應的結晶相，形成在所述底電極上；第二功能層，其為未經退火的三元素n型氧化物半導體薄膜，與所述第一功能層的材料相同，共同構成同質結；多個彼此間隔分布的凹槽，貫穿所述第二功能層和所述第一功能層至底電極，其內填充有隔離層；頂電極，形成在所述第二功能層上，其中，第一功能層在光照下產生光生載流子，對光學信息進行感知，并以電流的形式反饋至器件，同時借助第二功能層的憶阻特性，以實現整體器件狀態的記憶存儲，通過對器件不斷地施加光電信號，實現器件電導的連續調制，從而實現神經形態計算中權重更迭。

本發明提供了一種混合導通機制鰭型柵場效應晶體管器件，包括鰭型柵場效應晶體管、第二源區與第二漏區；鰭型柵場效應晶體管包括襯底、鰭型溝道區、第一源區及第一漏區；第二源區的高度不低于第一源區與第一漏區之間的襯底的高度；第一源區與第一漏區中摻雜有第一離子；第二源區形成于襯底與第一源區之間，第二漏區形成于襯底與第一漏區之間，第二漏區與第二源區中分別摻雜有第一離子與第二離子。該方案解決了鰭型柵場效應晶體管的底部電流泄漏的問題，且通過增設第二源區和第二漏區，相當于在鰭型柵場效應晶體管的底部并聯隧穿場效應晶體管器件結構，可以實現鰭型溝道擴散漂移電流和底部溝道帶帶隧穿電流混合導通，從而獲得更優的超陡開關特性。

一種半橋LLC諧振變換器中的高頻中間抽頭平面變壓器，采用八層結構，原邊繞組位于第一、三、六、八層，兩個副邊繞組分別位于第二、七層和四、五層，原邊附加繞組包括兩個矩形的附加繞組，第一、三、五、七層的繞組串聯構成一個附加繞組，第二、四、六、八層的繞組串聯構成另一個附加繞組，相鄰兩層之間的附加繞組交叉設置，且相鄰兩層之間的附加繞組之間采用完全正對繞制，使兩個附加繞組之間的等效電感Lr’和等效電容Cr’替代諧振網絡中分立的諧振電感Lr和諧振電容Cr，勵磁電感Lm由中間抽頭平面變壓器提供，通過磨磁芯的氣隙來獲得需要的勵磁電感值；原邊繞組或副邊繞組分別位于該層相應的矩形附加繞組之內。

本成果首次成功合成了有機磷多面體低聚硅倍半氧烷(P-POSS)阻燃劑。P-POSS以硅、磷為主要阻燃元素，以籠型無機Si-O結構為內核、含磷有機基團為外殼的獨特結構，具有常溫下為固體、聚合物材料加工溫度下出現玻璃化轉變的良好加工性能，同時具有熱穩定性高和與聚合物相容性好的特點，指向一類新型高效阻燃劑分子的未來特征。前期研究結果表明，P-POSS在環氧樹脂和聚碳酸酯中均表現出優異的阻燃性能，同時，使聚合物材料保持良好的綜合性能，具有廣闊的市場應用前景。 在阻燃環氧樹脂應用中，低含量的P-POSS（硅、磷元素含量為0.1——0.5wt%）即可使阻燃環氧樹脂的氧指數達到30%以上，獲得UL-94 V0級別。而且P-POSS 阻燃的環氧樹脂表現出獨特的“吹熄”現象，即樣條點燃后，點燃端明顯有氣流從炭層燃燒點噴射而出，將火焰吹離聚合物表面并迅速熄滅，正是這種“吹熄”現象實現P-POSS的高效阻燃環氧樹脂。P-POSS不但能夠提高環氧樹脂阻燃性能和熱穩定性，還能保持環氧樹脂本身的透明性、機械性能和電性能。 在阻燃聚碳酸酯應用中，P-POSS不但能夠保持POSS結構熱穩定性高的特點，而且還可以有效回避原料磷系阻燃劑的增塑作用。常溫下這種P-POSS的固體狀態使其更容易儲存和添加，而它們在PC加工溫度范圍內存在的玻璃化轉變現象更是使其分散狀態較一般固體阻燃劑有著顯著的改善，甚至達到納米級分散。P-POSS在2wt%的添加量下就可以使聚碳酸酯達到UL-94 V0級別，同時熱變形溫度保持在140℃。

本發明提出了一種基于自適應半軟閾值小波變換的多路徑誤差提取方法，應用于全球衛星導航系統中多路徑誤差的消除。首先利用衛星觀測值得到雙差偽距的殘差值，作為待處理信號；利用小波變換對待處理信號進行多尺度分析，從中提取出待處理的多路徑信號；然后使用FIR濾波器對待處理的多路徑信號進行過濾，得到最終的多路徑誤差信號。其中，小波變換中的閾值函數采用自定義的半軟閾值函數，并且采用自適應法搜索閾值點。本發明方法計算量小，計算速度快，可實施性強。還可根據不同實驗環境自適應調節，以達到最好的抑制多路徑誤差的效果。

本發明公開一種基于力覺信息和姿態信息的肢體運動意圖理解與上肢康復訓練機器人及其控制方法，通過姿態傳感器分別獲取人體手臂的各個姿態信息，并輸入至控制器，人體手臂發力通過搖桿作用于六維力傳感器上，六維力傳感器輸入相應信號至控制器，控制器將獲取到的姿態參數以及力覺參數，通過建立的意圖識別模型解算，并控制康復訓練機器人做出相應動作，對康復訓練機器人實現控制，以實現微弱主動力下的輔助主動訓練。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明涉及一種半導體發光與顯示器件的制備方法，具體地說，是涉及一種基于紫外光激發的白光發射器件及其制備方法，屬光電集成技術領域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見光區發光的白光發射器件。 技術推廣意向：半導體發光與顯示領域技術創新：本發明具有如下的有益效果：器件結構簡單，無污染，制備成本低；不需要熒光粉，發光效率高；發光性能穩定，光譜波長范圍寬。

本發明公開了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領域釬焊材料。該種無鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設計所需成分配比，預先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無鉛釬料對應無鉛焊點的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。 

本發明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其 制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖 維層、保護層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層 為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極， 并選擇合適的靜電紡絲參數沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維 進行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維 能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉換效率，尤其是對彎曲運動機械 能的捕獲效果。