葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

本發(fā)明涉及燃油脫硫劑技術(shù)，旨在提供一種介孔碳燃油脫硫劑的制備方法。該方法是：將硫脲溶液加入葡萄糖溶液中，滴加鹽酸反應(yīng)后，加入過(guò)渡金屬鹽溶液反應(yīng)后噴霧干燥，得到前驅(qū)體；氮?dú)夥障赂邷厣疃染酆稀⑻蓟焕鋮s后球磨得到黑色介孔材料；介孔材料與去離子水超聲振動(dòng)混合后加熱，過(guò)濾、清洗、真空干燥，得到介孔碳燃油脫硫劑。本發(fā)明將過(guò)渡金屬元素在介孔材料形成前加入，能夠形成更多的吸附中心，是吸附中心的分布更加均勻。得到的吸附劑比表面積大，具有極高的吸附能力。煅燒得到的介孔材料經(jīng)過(guò)水熱處理，有效改善介孔材料對(duì)硫醇的吸附效果，特別適用于重油提煉的汽柴油的精煉，成本低廉，有利于成品油品質(zhì)的提升，減少空氣污染。

為了提高白炭黑的利用價(jià)值，將其轉(zhuǎn)化為高效吸附劑和催化劑載體，本課題組研發(fā)了一種具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)（獲授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利）、高比表面積的二氧化硅介孔材料，有望應(yīng)用于氣體吸附和催化劑載體。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于腔鏡手術(shù)的穿刺器孔縫合器，包括直徑 11mm 的圓柱體，非工作狀態(tài)下，帶 線縫針收于圓柱體內(nèi)。帶線縫針可在推針桿的推動(dòng)下推離圓柱體，在推針件的推動(dòng)下沿預(yù)定軌跡運(yùn)動(dòng)。 推針件底端稍高，在牽引線的牽引下帶動(dòng)推針件推動(dòng)帶線縫針尾端脫離圓柱體。其優(yōu)點(diǎn)是:預(yù)置一線兩 針在圓形柱體內(nèi)，工作狀態(tài)下完成組織穿刺縫合，方便快捷;預(yù)置縫針前端帶有倒刺，進(jìn)入著針區(qū)后不 可再退出，

項(xiàng)目背景及用途： 脫色作為食品工業(yè)物質(zhì)純化的重要步驟，特別是在木糖醇、檸檬酸、味精等食品生產(chǎn)中都有重要應(yīng)用。本項(xiàng)目以木糖醇脫色為突破口，通過(guò)系列對(duì)比和研究最終得到了粒狀殼聚糖改性介孔分子篩。該材料具有殼聚糖大吸附量與介孔分子篩比表面積大（大于500m2/g）、吸附率快、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好的特點(diǎn)，并可多次再生重復(fù)使用，提高了初次脫色產(chǎn)品質(zhì)量，避免了碳酸氫鈣和活性炭的污染源，可將脫色液體的pH值提高，簡(jiǎn)化中和工序。利用此材料可將水解液直接

本發(fā)明公開(kāi)了一種加工硅通孔互連結(jié)構(gòu)的工藝方法，步驟為：①在基板上刻蝕盲孔；②在基板上沉積一層圖案化介電質(zhì)層；③刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁的介電材料，在基板上形成介電質(zhì)孔；④在介電質(zhì)孔上沉積一層導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電孔；⑤在導(dǎo)電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層，填充導(dǎo)電孔；⑥刻蝕板背面，暴露出導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上形成焊料微凸點(diǎn)。圖案化介電質(zhì)層的材料優(yōu)選聚對(duì)二甲苯。本發(fā)明簡(jiǎn)化了工藝步驟，減少工藝時(shí)間并降低了費(fèi)用；使用二層圖案化介電質(zhì)層，降低了寄生電容，提升了互連電性能，適用于高速和

脫色作為食品工業(yè)物質(zhì)純化的重要步驟，特別是在木糖醇、檸檬酸、味精等食品生產(chǎn)中都有重要應(yīng)用。本項(xiàng)目以木糖醇脫色為突破口，通過(guò)系列對(duì)比和研究最終得到了粒狀殼聚糖改性介孔分子篩。該材料具有殼聚糖大吸附量與介孔分子篩比表面積大（大于 500m2 /g）、吸附率快、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好的特點(diǎn)，并可多次再生重復(fù)使用，提高了初次脫色產(chǎn)品質(zhì)量，避免了碳酸氫鈣和活性炭的污染源，可將脫色液體的 pH值提高，簡(jiǎn)化中和工序。利用此材料可將水解液直接脫色，大大提高了吸附效率。 應(yīng)用領(lǐng)域及能為產(chǎn)業(yè)解決的關(guān)鍵技術(shù)： 該脫色分子篩現(xiàn)主要用于食品脫色領(lǐng)域，如木糖醇，檸檬酸，味精等的脫色處理，將該材料進(jìn)一步改性，可應(yīng)用于藥品提純，污水處理等行業(yè)，相關(guān)行業(yè)、跨行業(yè)擴(kuò)散的能力也很強(qiáng)，市場(chǎng)前景十分廣泛。 殼聚糖/介孔分子篩可代替碳酸氫鈣和活性炭，無(wú)污染源，可再生利用，經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益顯著。 技術(shù)產(chǎn)業(yè)化條件： （一）設(shè)備：1.用于填裝殼聚糖介孔分子篩脫色劑交換柱，工作溫度 30－100℃，設(shè)計(jì)處理糖汁能力 30m3 /h，適應(yīng)于年產(chǎn) 500 噸精制糖生產(chǎn)線使用。2．再生裝置，配套檢測(cè)出料糖液色值及 SO2 含量，具有自動(dòng)清洗交換樹(shù)脂或脫色高分子材料的功能。3、用于糖汁暫存和保溫的 10M3 儲(chǔ)罐。2、液相色譜，用于測(cè)試糖含量及純度。4、氣相色譜及其自動(dòng)進(jìn)樣器等。 （二）材料：低黏度殼聚糖、高黏度殼聚糖、分子篩、各種烷基銨鹽、戊二醛、環(huán)氧氯丙烷、聚乙烯亞胺、醋酸、酸堿度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)、其它標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)、氮?dú)狻錃狻?shí)驗(yàn)室及生產(chǎn)設(shè)備及耗材、常用試劑等。 按年產(chǎn)殼聚糖改性介孔分子篩脫色劑 1000 噸進(jìn)行計(jì)算，項(xiàng)目建設(shè)周期 12 個(gè)月，除基建投資外，設(shè)備投資總額為 400 萬(wàn)元左右。

電鍍作為金屬材料的表面改性技術(shù)已經(jīng)取得了很廣泛的應(yīng)用，近年來(lái)電鍍也開(kāi)始在非金屬導(dǎo)電材料的表面改性領(lǐng)域取得相當(dāng)規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。但高電阻率氧化物材料表面金屬鍍覆一直以來(lái)不能采用電鍍工藝，這是因?yàn)檫@類材料的電子電導(dǎo)小，電鍍液中被鍍金屬離子不能從材料表面得到電子，所以不能沉積下來(lái)。傳統(tǒng)的絕緣氧化物材料表面鍍覆金屬的方法有化學(xué)鍍、真空蒸鍍、濺射鍍、涂覆金屬漿料后再燒結(jié)等方法，各方法都有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。如含有氨水的化學(xué)鍍銀溶液不穩(wěn)定，甚至有可能生成有爆炸危險(xiǎn)的疊氮化合物。真空蒸鍍和濺射鍍有設(shè)備投資大、維護(hù)費(fèi)用較高等缺點(diǎn)，涂覆金屬漿料后再燒結(jié)的方法有金屬層厚度不均勻等缺點(diǎn)。 我們發(fā)明了一種高電阻率金屬氧化物材料表面電鍍的技術(shù)，解決了多種高電阻率金屬氧化物材料表面不能電鍍的問(wèn)題。高電阻率金屬氧化物材料電鍍的基本過(guò)程是首先對(duì)氧化物材料表面進(jìn)行原子氫致電導(dǎo)改性處理，提高其表面電子電導(dǎo)，使材料表面出現(xiàn)半導(dǎo)化甚至金屬化，然后在氧化物材料表面直接電鍍金屬層。我們?cè)谶@個(gè)方向上已經(jīng)進(jìn)行了近十年的研究，發(fā)表了十幾篇學(xué)術(shù)論文，申請(qǐng)了兩項(xiàng)發(fā)明專利。      本技術(shù)適用于由氧化物功能材料制造的電子元器件表面電鍍，也適用于氧化物材料顆粒或塊體的電鍍等，所得金屬鍍層厚度均勻，與氧化物材料表面具有良好的結(jié)合力。

超高分辨率光矢量分析設(shè)備采用“微波光子學(xué)方法”，首創(chuàng)具有國(guó)際領(lǐng)先水平的“超高分辨率光矢量分析技術(shù)”，集成了電-光、光-電和光-光3類元器件頻譜響應(yīng)的測(cè)量功能，可應(yīng)用于光纖通信、光纖傳感、光信號(hào)處理和集成光子學(xué)等領(lǐng)域。 技術(shù)特征 關(guān)鍵技術(shù)與創(chuàng)新點(diǎn)一：基于120度電橋的高抑制比光單邊帶調(diào)制技術(shù)和基于光載波抑制與平衡光電探測(cè)的非線性誤差對(duì)消技術(shù)。 關(guān)鍵技術(shù)與創(chuàng)新點(diǎn)二：光頻梳通道化測(cè)量技術(shù)和基于光希爾伯特變換的鏡像邊帶抑制技術(shù)。 關(guān)鍵技術(shù)與創(chuàng)新點(diǎn)三：多種測(cè)量模式融合與系統(tǒng)軟硬件集成技術(shù)。 工作波長(zhǎng)：1528-1565 nm 最高波長(zhǎng)分辨率：50 kHz（即0.4 fm） 幅度分辨率：0.01 dB 幅度精確度：±0.11 dB 相位分辨率：0.01° 相位精確度：±1.2° 對(duì)比國(guó)際上最高水平商用光矢量分析儀表LUNA OVA5000，設(shè)備的分辨率提升了4000倍，動(dòng)態(tài)范圍提升了31倍（15dB），相位精確度提升了2.5倍（單通道40GHz范圍內(nèi)），幅度分辨率也提升5倍以上，打破國(guó)外技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。

超高分辨率光矢量分析設(shè)備采用“微波光子學(xué)方法”，首創(chuàng)具有國(guó)際領(lǐng)先水平的“超高分辨率光矢量分析技術(shù)”，集成了電-光、光-電和光-光3類元器件頻譜響應(yīng)的測(cè)量功能，可應(yīng)用于光纖通信、光纖傳感、光信號(hào)處理和集成光子學(xué)等領(lǐng)域。技術(shù)特征關(guān)鍵技術(shù)與創(chuàng)新點(diǎn)一：基于120度電橋的高抑制比光單邊帶調(diào)制技術(shù)和基于光載波抑制與平衡光電探測(cè)的非線性誤差對(duì)消技術(shù)。關(guān)鍵技術(shù)與創(chuàng)新點(diǎn)二：光頻梳通道化測(cè)量技術(shù)和基于光希爾伯特變換的鏡像邊帶抑制技術(shù)。關(guān)鍵技術(shù)與創(chuàng)新點(diǎn)三：多種測(cè)量模式融合與系統(tǒng)軟硬件集成技術(shù)。工作波長(zhǎng)：1528-1565 nm最高波長(zhǎng)分辨率：50 kHz（即0.4 fm）幅度分辨率：0.01 dB幅度精確度：±0.11 dB相位分辨率：0.01°相位精確度：±1.2°對(duì)比國(guó)際上最高水平商用光矢量分析儀表LUNA OVA5000，設(shè)備的分辨率提升了4000倍，動(dòng)態(tài)范圍提升了31倍（15dB），相位精確度提升了2.5倍（單通道40GHz范圍內(nèi)），幅度分辨率也提升5倍以上，打破國(guó)外技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。應(yīng)用范圍:設(shè)備已應(yīng)用于包含海思光電子以及4家上市公司在內(nèi)的數(shù)十家單位47種高端光器件的研發(fā)和生產(chǎn)（用戶包括：華為、長(zhǎng)飛光纖601869.SH、中航光電002179.SZ、航天電器002025.SZ、光迅科技002281.SZ等），其中31種高端光器件在本項(xiàng)目設(shè)備的支撐下實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)；在我國(guó)高速光電芯片、新一代光通信系統(tǒng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能感知等領(lǐng)域發(fā)揮著穩(wěn)定的作用，有力支撐了我國(guó)核心光器件的自主可控和原始創(chuàng)新。

本發(fā)明涉及一種提高節(jié)目收視率統(tǒng)計(jì)的方法，該方法包括：提供并運(yùn)行片上盒節(jié)目統(tǒng)計(jì)平臺(tái)，所述片上盒節(jié)目統(tǒng)計(jì)平臺(tái)包括片上盒裝置和支撐架構(gòu)，所述片上盒裝置包括上方開(kāi)口的方型容器、封裝面板、SDRAM、互聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備、串并轉(zhuǎn)換設(shè)備、智能解密卡和HDMI接口，SDRAM、互聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備、串并轉(zhuǎn)換設(shè)備、智能解密卡和HDMI接口都位于方型容器內(nèi)，封裝面板用于封裝方型容器的上方開(kāi)口；所述支撐架構(gòu)位于封裝面板上，包括主連接件和金屬支撐結(jié)構(gòu)，第一連接扣件、第二連接扣件和第三連接扣件都被扣接到主連接件上且使得第一長(zhǎng)筒架構(gòu)和第三長(zhǎng)筒架構(gòu)水平連接，以及使得第一長(zhǎng)筒架構(gòu)和第二長(zhǎng)筒架構(gòu)呈90度連接，第三長(zhǎng)筒架構(gòu)和第二長(zhǎng)筒架構(gòu)呈90度連接。