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納米銀包裹二氧化硅納微米球導電粉末及其制備方法和應用
本發明公開了一種納米銀包裹二氧化硅納微米球導電粉末及其制備方法和應用。采用二氧化硅納微米球表面預處理法，通過―晶核-生長‖理論控制納米銀顆粒在二氧化硅納微米球表面的沉積:先將二氧化硅納微米球在 SnCl2·2H2O/CF3COOH 溶液中進行表面處理;然后將處理后的 SiO2 納微米球分散在乙醇中，倒入新配制的硝酸銀和三乙醇胺的絡合溶液中;最后，加入甲醛水溶液進行還原。所用的二氧化硅納微米球，粒徑大小在 0.
武漢大學
2021-04-14
一種碳納米球/NiCo2O4復合材料及其制備方法與應用
本發明涉及一種用于鋰離子電池、超級電容器的高能量密度的碳納米球/NiCo2O4 復合材料及其制備 方法與應用，所述的碳納米球/NiCo2O4 復合材料是粒徑為 100-300nm 的核殼結構納米微球，其內層是粒 徑為 50-200nm 的碳納米球，外層是厚度為 20～100nm 的 NiCo2O4 包覆層。其制備方法為：先將粒徑為 50-200nm 的碳納米球與油酸鈉混合后超聲分散均勻；然后加入弱堿、Co2+和 Ni2+，混合均勻后水熱處 理得
武漢大學
2021-04-14
一種基于免疫遺傳算法的模塊化多電平變換器的調制方法
本發明涉及一種基于免疫遺傳算法的模塊化多電平變換器的調制方法，對模塊化多電平變換器的優化控 制方面的問題進行研究，優化目標為模塊化多電平變換器的輸出電流波形最優，本發明結合模塊化多電平變 換器的結構特點和輸出特性，采用各相上橋臂投入子模塊的數目表示工作狀態，對模塊化多電平的工作狀態 進行優化，通過編碼操作，注入疫苗，親和度計算，濃度計算，免疫選擇，交叉操作，變異操作，倒位操作， 經過多次迭代收斂后得到優化后的模塊化多電平變換器的輸出電壓階梯波。
武漢大學
2021-04-14
低含量界面相誘導形成三相共連續三元共混物及其制備方法
本發明公開了低含量界面相誘導形成三相共連續三元共混物及其制備方法，所述共混物是由40vol％～45vol％的聚偏氟乙烯，40vol％～55vol％的高密度聚乙烯和聚苯乙烯經熔融共混制備得到，其中界面相聚苯乙烯的用量不超過20vol％。本發明還提供了所述低含量界面相誘導形成三相共連續三元共混物的制備方法。本發明加工過程操作簡單、成本低廉。相比二元聚偏氟乙烯/聚苯乙烯共混物，本發明所述三元共混物能夠在聚苯乙烯含量很低的情況下形成連續相結構，這樣的結構拓寬了共混物在低含量下的連續相結構應用以及其潛在的功能化結構設計。
四川大學
2016-09-29
一種基于附加交變電壓的無氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法
"本發明公開了一種基于附加交變電壓的無氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法，采用在懸浮電磁鐵線圈閉環控制電壓中摻雜具有一定特征的交變電壓，施加在懸浮電磁鐵線圈，在線圈中得到含有相同特征的分量的電流，根據輸入摻雜的特征交變電壓和線圈電流中具有相同特征的電流分量辨識出懸浮電磁鐵線圈電感，通過電感得到懸浮電磁鐵氣隙，使用此氣隙值進行閉環控制。由于不采用氣隙傳感器，可以大大簡化系統，通過附加線圈得到的電感可以反映真實的懸浮氣隙，本發明可以降低磁浮列車系統軌道精度要求，也不會由于氣隙傳感器的測量不準確導致系統控制不穩定，可以比較好的解決磁浮列車過軌縫、齒槽效應等問題，具有可靠性高、成本低，安全可靠等優點。 "
西南交通大學
2016-07-05
一種利用縱橫波波阻抗增量比識別天然氣水合物的方法，
眾所周知，BSR是識別水合物的主要標志。但世界各地鉆探結果表明，沒有BSR的地方也可能有水合物。BSR不是識別水合物的充分必要標志。高速特征也是人們用來識別水合物的標志。但很多非水合物的地質因素也能夠使地層的速度增大。本專利成果提出了一種排他的識別水合物的有效方法。該方法能夠區分水合物和非水合物因素引起的高速特征。從而，大大提高水合物識別的可靠性。
中國地質大學（北京）
2021-04-14
原位懸浮聚合一步法合成的彩色聚苯乙烯粒子制備方法
1、成果簡介： 可發性聚苯乙烯（EPS）因其優異特性以及質輕價廉等優點，在許多領域得到了廣泛使用。功能性EPS在建筑保溫、包裝、電子電器產品和車輛裝飾等領域更備受青睞。特別是國家提倡節能減排、要求建筑節能50%-65%以來，以及各地的"暖房子"工程相繼實施，低導熱系數EPS的制備成為EPS行業研究的熱點。 德國巴斯夫和韓國錦湖相繼推出了低導熱系數黑色石墨EPS（G-EPS），但其合成工藝對外保密，以此控制低導熱系數G-EPS市場。而我國G-EPS的制備還是空白，因此在該技
吉林大學
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法
本發明屬于結構優化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構建基 于參數化水平集方法的優化模型，在宏觀材料布局優化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優化，并輸出最優細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優化及細觀微結構拓撲優化，避免了在增材制造成型
華中科技大學
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14